20V N沟道增强型MOS场效应管,CXMS5270用于大功率、大电流产品,高密度超低电阻设计,专有的先进平面技术,理想的锂电池应用
20V N 沟道增强型 MOS 场效应管
RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A = 75mΩ
RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.5A = 38mΩ
RDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@4.5A = 30mΩ
RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.5A = 28mΩ
RDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.0A = 25mΩ
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[ CXMS5270 ]
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20V N 沟道增强型 MOS 场效应管
RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A = 75mΩ
RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.5A = 38mΩ
RDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@4.5A = 30mΩ
RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.5A = 28mΩ
RDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.0A = 25mΩ
产品特点 返回TOP
专有的先进平面技术
高密度超低电阻设计
大功率、大电流应用
理想的锂电池应用
封装形式：TSSOP-8/SOT-23-6
应用范围 返回TOP
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型号 |
功能 |
适用范围 |
封装 |
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N沟道场效应功率管 |
航模螺旋桨驱动、其它需大电流驱动的产品 |
TO-252 |
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20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 |
电源管理、小功率驱动等 |
SOT23-3 |
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N 沟道功率 MOS 场效应用管 |
TSSOP8 |
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20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 |
电源管理、小功率驱动等 |
SOP-8 |
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N 沟道功率 MOS 场效应用管 |
TSSOP-8 |
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20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 |
用于功率开关等 |
SOP-8 |
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20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 |
电源管理、小功率驱动等 |
SOP-8 |
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20V N 沟道 MOS |
用于功率开关等 |
DFN(3*3)-8 |
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20V N 沟道 MOS |
用于功率开关等 |
DFN(3*3)-8 |
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20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 |
TSSOP8/SOT26 |
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