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CX15N10是N通道增强型功率效应晶体管采用高单元密度的先进沟道技术制造高密度工艺特别适合于降低状态电阻适用于低压应用电源管理的DC-DC变换器
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CX15N10是一种N通道增强型功率效应晶体管,采用高单元密度的先进沟道技术制造,这种高密度工艺特别适合于降低状态电阻,特别适用于低压应用电源管理的DC-DC变换器

CX15N10是N通道增强型功率效应晶体管采用高单元密度的先进沟道技术制造高密度工艺特别适合于降低状态电阻适用于低压应用电源管理的DC-DC变换器
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   产品概述 返回TOPu1e嘉泰姆


The CX15N10 is N channel enhancement mode power effect transitor which is produced using high cell density advanced trench technology.The high density process is especially able to minize on-state resistance.These devices are.especially suited for low voltage application power management DC-DC converters.

   产品特点 返回TOPu1e嘉泰姆


100V/15 A, RDS(ON)=80.0mΩ (typ.)@VGS= 10Vu1e嘉泰姆

100V/8A,RDS(ON)=115m Ω(typ.)@VGS= 4.5V u1e嘉泰姆

Super high design for extremely low RDS(ON) u1e嘉泰姆

Exceptional on-resistance and Maximum DC current capability u1e嘉泰姆

Full RoHS complianceu1e嘉泰姆

SOP8 andTO252 package designu1e嘉泰姆

100% UIS Tested u1e嘉泰姆

 100% Rg testedu1e嘉泰姆

   应用范围 返回TOPu1e嘉泰姆


Power Management u1e嘉泰姆

DC/DC Converter u1e嘉泰姆

Load Switch u1e嘉泰姆

   技术规格书(产品PDF) 返回TOP u1e嘉泰姆


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 QQ截图20160419174301.jpgu1e嘉泰姆

产品封装图 返回TOPu1e嘉泰姆


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电路原理图 返回TOPu1e嘉泰姆


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MOSFET
型号 说明
CXMS5202 2A N MOS
CXMS5203 4A/ 20V NMOS
CXMS5206 30V/4A NMOS
CX15N10 15A-100V NMOS

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