CXMS5259采用了最新的处理技术，以实现高密度单元，并降低了导通电阻高频率工作指数。这些功能结合起来，使这个设计成为一个非常有效和可靠的用于功率开关和各种其他应用设备的产品
先进的MOS工艺技术
为PWM、负载开关和其他通用应用的特殊设计
超低的导通电阻与低栅极电荷
快速切换和反向恢复
150℃的工作温度
无铅产品
-
[ CXMS5259 ]
目录
产品概述 返回TOP
CXMS5259采用了最新的处理技术，以实现高密度单元，并降低了导通电阻高频率工作指数。这些功能结合起来，使这个设计成为一个非常有效和可靠的用于功率开关和各种其他应用设备的产品
产品特点 返回TOP
先进的MOS工艺技术
为PWM、负载开关和其他通用应用的特殊设计
超低的导通电阻与低栅极电荷
快速切换和反向恢复
150℃的工作温度
无铅产品
应用范围 返回TOP
用于功率开关等
技术规格书（产品PDF) 返回TOP
需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！
产品封装图 返回TOP
电路原理图 返回TOP
相关芯片选择指南 返回TOP 更多同类产品......
|
MOSFET类 MOSFET CLASS>>>MOS管 MOS TUBE |
|||
|
型号 |
功能 |
适用范围 |
封装 |
|
N沟道场效应功率管 |
航模螺旋桨驱动、其它需大电流驱动的产品 |
TO-252 |
|
|
20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 |
电源管理、小功率驱动等 |
SOT23-3 |
|
|
N 沟道功率 MOS 场效应用管 |
锂电池保护板 |
TSSOP8 |
|
|
20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 |
电源管理、小功率驱动等 |
SOP-8 |
|
|
N 沟道功率 MOS 场效应用管 |
锂电池保护板 |
TSSOP-8 |
|
|
20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 |
用于功率开关等 |
SOP-8 |
|
|
20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 |
电源管理、小功率驱动等 |
SOP-8 |
|
|
20V N 沟道 MOS |
用于功率开关等 |
DFN(3*3)-8 |
|
|
20V N 沟道 MOS |
用于功率开关等 |
DFN(3*3)-8 |
|
|
20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 |
锂电池保护板 |
TSSOP8/SOT26 |
|
◀ 上一篇:20V N沟道增强型MOS场效应管CXMS5263电源管理小功率驱动
下一篇▶:CXMS5260超低的导通电阻与低栅极电荷快速切换和反向恢复为PWM负载开关和其他通用应用的特殊设计先进的MOS工艺技术实现高密度单元降低了导通电阻高频率工作指数
| 推荐信息 |
|---|
| 头条信息 |
|---|
