20V N沟道增强型MOS场效应管极低的导通电阻高密度的单元设计CXMS5265
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CXMS5265 VDS= 20V
RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@2.0A = 50mΩ@TYP
RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@2.8A =40mΩ@TYP
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VDS= 20V
RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@2.0A = 50mΩ@TYP
RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@2.8A =40mΩ@TYP
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高级的加工技术
极低的导通电阻高密度的单元设计
应用范围 返回TOP
电源管理、小功率驱动等
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MOSFET类 MOSFET CLASS>>>MOS管 MOS TUBE |
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型号 |
功能 |
适用范围 |
封装 |
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N沟道场效应功率管 |
航模螺旋桨驱动、其它需大电流驱动的产品 |
TO-252 |
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20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 |
电源管理、小功率驱动等 |
SOT23-3 |
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N 沟道功率 MOS 场效应用管 |
锂电池保护板 |
TSSOP8 |
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20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 |
电源管理、小功率驱动等 |
SOP-8 |
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N 沟道功率 MOS 场效应用管 |
锂电池保护板 |
TSSOP-8 |
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20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 |
用于功率开关等 |
SOP-8 |
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20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 |
电源管理、小功率驱动等 |
SOP-8 |
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20V N 沟道 MOS |
用于功率开关等 |
DFN(3*3)-8 |
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20V N 沟道 MOS |
用于功率开关等 |
DFN(3*3)-8 |
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20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 |
锂电池保护板 |
TSSOP8/SOT26 |
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