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CXCN5323采用先进工艺提供较低的导通电阻低栅极电荷和低栅极电压(低至2.5V)适合用于电池保护或作为开关的应用较高的功率和电流处理能力
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CXCN5323采用先进工艺,提供较低的导通电阻,低 栅极电荷和低栅极电压(低至2.5V)。CXCN5323适合 用于电池保护,或作为开关的应用。

CXCN5323采用先进工艺提供较低的导通电阻低栅极电荷和低栅极电压(低至2.5V)适合用于电池保护或作为开关的应用较高的功率和电流处理能力
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产品简介

目录

1.产品概述    2.产品特点     ru8嘉泰姆

3.应用范围    4.技术规格书下载(PDF文档)ru8嘉泰姆

5.产品封装    6.电路原理图  ru8嘉泰姆

     7.相关产品ru8嘉泰姆

产品概述                                             返回TOP


CXCN5323采用先进工艺,提供较低的导通电阻,低 栅极电荷和低栅极电压(低至2.5V)。CXCN5323适合 用于电池保护,或作为开关的应用。

产品特点  返回TOP


 VDS = 20V,ID = 2.9A RDS(ON) < 59mΩ @ VGS=2.5V RDS(ON) < 45mΩ @ VGS=4.5V 

 较高的功率和电流处理能力 ru8嘉泰姆

 3 管脚 SOT23 封装 ru8嘉泰姆

 产品无铅,满足 rohs,不含卤素ru8嘉泰姆

应用范围                                             返回TOP


  电池保护

  负载开关ru8嘉泰姆

  电源管理ru8嘉泰姆

技术规格书(产品PDF)                          返回TOP 

要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持ru8嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgru8嘉泰姆

产品封装图                                               返回TOP


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电路原理图                                               返回TOP


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相关芯片选择指南                                      返回TOP


型号ru8嘉泰姆

最大漏源电压ru8嘉泰姆

栅极阈值电压ru8嘉泰姆

最大导通电流ru8嘉泰姆

导通阻抗ru8嘉泰姆

封装ru8嘉泰姆

CXCN5323ru8嘉泰姆

20Vru8嘉泰姆

0.85Vru8嘉泰姆

2.9Aru8嘉泰姆

45 毫欧ru8嘉泰姆

SOT23-3ru8嘉泰姆

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