首页 > 产品中心 > 功率器件 > N沟道P沟道双极MOSFETs >高频低噪声放大高频双极NPN晶体管(NPN Silicon Epitaxial Transistor)CXNP5420 CXNP5420B低噪声和高功率增益的硅外延NPN晶体管 ,
高频低噪声放大高频双极NPN晶体管(NPN Silicon Epitaxial Transistor)CXNP5420 CXNP5420B低噪声和高功率增益的硅外延NPN晶体管 ,
24
高频低噪声放大 ,高频双极NPN晶体管(NPN Silicon Epitaxial Transistor)CXNP5420 CXNP5420B低噪声和高功率增益的硅外延NPN晶体管 ,
产品手册
-
[ CXNP5420 ]
样品申请
产品简介
目录
1.产品概述 2.产品特点 3.应用范围 4.技术规格书下载（PDF文档）
一.产品概述
低噪声和高功率增益的硅外延NPN晶体管
二.产品特点
|
参数 |
符号 |
极值 |
单位 |
|
BC 击穿电压 |
VCBO |
20 |
V |
|
EC 击穿电压 |
VCEO |
12 |
V |
|
EB 击穿电压 |
VEBO |
3 |
V |
|
集电极电流 |
IC |
100 |
mA |
|
功耗 |
PC |
0.2 |
W |
|
结温度 |
Tj |
150 |
℃ |
|
存储温度 |
Tstg |
-65-+150 |
℃ |
|
参数 |
符号 |
最小 值. |
典型 值. |
最大 值 |
单位 |
条件 |
|
BC 击穿电压 |
BVCBO |
20 |
V |
IC=10uA |
||
|
EC 击穿电压 |
BVCEO |
12 |
V |
IC=1mA |
||
|
EB 击穿电压 |
BVEBO |
3 |
V |
IE=10uA |
||
|
集电极关断电流 |
ICBO |
1 |
uA |
VCB=10V |
||
|
发射极关断电流 |
IEBO |
1 |
uA |
VEB=1V |
||
|
直流增益 |
HFE*1 |
90 |
130 |
170 |
VCE= 10V, IC=20mA |
|
|
高频特性 |
||||||
|
特征频率 |
fT |
5 |
GHz |
VCE=10V, IC=20mA |
||
三.应用范围
高频低噪声放大
四.技术规格书（产品PDF)
需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！
五.产品封装图
六.电路原理图
七.相关芯片选择指南
| 高频双极NPN晶体管(NPN Silicon Epitaxial Transistor) | ||||||
| Part No. | Polarity | VCEO(Max.) | IC(Max.) | Ft(Typical) | Package | Application |
| CXNP5419 | NPN | 12V | 50mA | 3.0GHz | SOT23 | LNA |
| CXNP5419B | NPN | 12V | 80mA | 4.0GHz | SOT23 | LNA |
| CXNP5420 | NPN | 12V | 100mA | 5.0GHz | SOT23 | LNA |
| CXNP5420B | NPN | 12V | 200mA | 5.0GHz | SOT23 | LNA |
发表评论
| 头条信息 |
|---|
