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高频低噪声放大高频双极NPN晶体管(NPN Silicon Epitaxial Transistor)CXNP5420 CXNP5420B低噪声和高功率增益的硅外延NPN晶体管 ,
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高频低噪声放大 ,高频双极NPN晶体管(NPN Silicon Epitaxial Transistor)CXNP5420 CXNP5420B低噪声和高功率增益的硅外延NPN晶体管 ,

高频低噪声放大高频双极NPN晶体管(NPN Silicon Epitaxial Transistor)CXNP5420  CXNP5420B低噪声和高功率增益的硅外延NPN晶体管 ,
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产品简介

                          目录BF9嘉泰姆

   1.产品概述      2.产品特点      3.应用范围     4.技术规格书下载(PDF文档)BF9嘉泰姆

   5.产品封装      6.电路原理图     7.相关产品BF9嘉泰姆

一.产品概述BF9嘉泰姆


 低噪声和高功率增益的硅外延NPN晶体管 BF9嘉泰姆

二.产品特点BF9嘉泰姆

参数BF9嘉泰姆

符号BF9嘉泰姆

极值BF9嘉泰姆

单位BF9嘉泰姆

BC 击穿电压BF9嘉泰姆

VCBOBF9嘉泰姆

20BF9嘉泰姆

VBF9嘉泰姆

EC 击穿电压BF9嘉泰姆

VCEOBF9嘉泰姆

12BF9嘉泰姆

VBF9嘉泰姆

EB 击穿电压BF9嘉泰姆

VEBOBF9嘉泰姆

3BF9嘉泰姆

VBF9嘉泰姆

集电极电流BF9嘉泰姆

ICBF9嘉泰姆

100BF9嘉泰姆

mABF9嘉泰姆

功耗BF9嘉泰姆

PCBF9嘉泰姆

0.2BF9嘉泰姆

WBF9嘉泰姆

结温度BF9嘉泰姆

TjBF9嘉泰姆

150BF9嘉泰姆

BF9嘉泰姆

存储温度BF9嘉泰姆

TstgBF9嘉泰姆

-65-+150BF9嘉泰姆

BF9嘉泰姆

参数BF9嘉泰姆

符号BF9嘉泰姆

最小BF9嘉泰姆

值.BF9嘉泰姆

典型BF9嘉泰姆

值.BF9嘉泰姆

最大BF9嘉泰姆

BF9嘉泰姆

单位BF9嘉泰姆

条件BF9嘉泰姆

BC 击穿电压BF9嘉泰姆

BVCBOBF9嘉泰姆

20BF9嘉泰姆

   

VBF9嘉泰姆

IC=10uABF9嘉泰姆

EC 击穿电压BF9嘉泰姆

BVCEOBF9嘉泰姆

12BF9嘉泰姆

   

VBF9嘉泰姆

IC=1mABF9嘉泰姆

EB 击穿电压BF9嘉泰姆

BVEBOBF9嘉泰姆

3BF9嘉泰姆

   

VBF9嘉泰姆

IE=10uABF9嘉泰姆

集电极关断电流BF9嘉泰姆

ICBOBF9嘉泰姆

   

1BF9嘉泰姆

uABF9嘉泰姆

VCB=10VBF9嘉泰姆

发射极关断电流BF9嘉泰姆

IEBOBF9嘉泰姆

   

1BF9嘉泰姆

uABF9嘉泰姆

VEB=1VBF9嘉泰姆

直流增益BF9嘉泰姆

HFE*1BF9嘉泰姆

90BF9嘉泰姆

130BF9嘉泰姆

170BF9嘉泰姆

 

VCE= 10V, IC=20mABF9嘉泰姆

高频特性BF9嘉泰姆

特征频率BF9嘉泰姆

fTBF9嘉泰姆

 

5BF9嘉泰姆

 

GHzBF9嘉泰姆

VCE=10V, IC=20mABF9嘉泰姆

三.应用范围BF9嘉泰姆


高频低噪声放大    BF9嘉泰姆

四.技术规格书(产品PDF)BF9嘉泰姆


需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!BF9嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgBF9嘉泰姆

五.产品封装图BF9嘉泰姆


  blob.pngBF9嘉泰姆

六.电路原理图BF9嘉泰姆


   BF9嘉泰姆

七.相关芯片选择指南BF9嘉泰姆


高频双极NPN晶体管(NPN Silicon Epitaxial Transistor)
Part No. Polarity VCEO(Max.) IC(Max.) Ft(Typical) Package Application
CXNP5419 NPN 12V 50mA 3.0GHz SOT23 LNA
CXNP5419B NPN 12V 80mA 4.0GHz SOT23 LNA
CXNP5420 NPN 12V 100mA 5.0GHz SOT23 LNA
CXNP5420B NPN 12V 200mA 5.0GHz SOT23 LNA

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