产品信息查询
产品 技术 新闻 资料
首页 > 产品中心 > 功率器件 > N沟道P沟道双极MOSFETs >CXIG100R120KZ1 IGBT34模块|1200V/100A低损耗IGBT功率模块 – JTM-IC
CXIG100R120KZ1 IGBT34模块|1200V/100A低损耗IGBT功率模块 – JTM-IC
15

CXIG100R120KZ1_IGBT34是一款额定电压1200V、额定电流100A的IGBT模块,具备低导通损耗和优秀的开关性能,适用于中高功率变换场合。模块内部集成快速恢复二极管,进一步提升了系统的整体效率与可靠性。

CXIG100R120KZ1 IGBT34模块|1200V/100A低损耗IGBT功率模块 – JTM-IC
产品手册
样品申请

样品申请

产品简介

CXIG100R120KZ1 IGBT34:一款高效可靠的1200V IGBT功率模块

          在现代电力电子设备中,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块因其高耐压、大电流承载能力和良好的开关特性,被广泛应用于工业变频、不间断电源(UPS)、感应加热及电焊设备中。本文将详细介绍CXIG100R120KZ1(IGBT34) 这款性能优异的IGBT模块,从产品特性、电气参数、典型应用及系统设计建议等多角度展开,为工程师和采购人员提供全面的技术参考。Gvm嘉泰姆


一,产品概览

       CXIG100R120KZ1_IGBT34是一款额定电压1200V、额定电流100A的IGBT模块,具备低导通损耗优秀的开关性能,适用于中高功率变换场合。模块内部集成快速恢复二极管,进一步提升了系统的整体效率与可靠性。Gvm嘉泰姆


二,核心产品特点

2.1. 优异的电气特性

·   低饱和压降:在额定电流100A、栅极电压15V条件下,饱和压降VCE(sat)典型值仅为2.5V(Tj=25°C),有效降低通态损耗。Gvm嘉泰姆

·   高开关效率:模块具备快速的导通与关断特性,典型导通延迟时间td(on)为43ns,上升时间tr为75ns(Tj=25°C),有助于降低系统开关损耗。Gvm嘉泰姆

·   强健的短路能力:在600V母线电压下,模块可承受10μs的短路电流,提升系统在异常工况下的可靠性。Gvm嘉泰姆

2.2. 内置二极管性能优良

模块反并联二极管具备低正向压降(VFM=2.2V@100A, 25°C) 和良好的反向恢复特性,在高温环境下仍保持稳定性能,有助于抑制EMI并提升整机效率Gvm嘉泰姆

2.3. 良好的热管理与绝缘设计

·   低热阻结构:IGBT部分结壳热阻RθJC为0.17 K/W,模块外壳至散热器热阻为0.1 K/W,散热效率高。Gvm嘉泰姆

·   高绝缘强度:模块隔离电压高达2500V AC,符合严苛的工业安全标准。Gvm嘉泰姆

·   宽温度工作范围:结温最高达175°C,适用于-40°C至+150°C的环境温度。Gvm嘉泰姆


三,主要应用领域

CXIG100R120KZ1适用于多种中高功率电力电子设备,包括:Gvm嘉泰姆

·   UPS不同断电源:提供高效率、高可靠性的逆变输出。Gvm嘉泰姆

·   感应加热系统:支持快速开关与高电流输出,加热控制精准。Gvm嘉泰姆

·   工业电焊机:输出稳定,适用于多种焊接工艺需求。Gvm嘉泰姆

·   高功率AC/DC转换器:如太阳能逆变器、电机驱动等。Gvm嘉泰姆


四,关键参数速览

参数 符号 测试条件 数值
集电极-发射极电压 VCES 1200 V
连续集电极电流 IC TC = 100°C 100 A
饱和压降 VCE(sat) IC=100A, VGE=15V, 25°C 2.5 V
栅极阈值电压 VGE(th) IC=1mA 5.8 V(典型)
开通损耗 Eon VCC=600V, Rg=10Ω, 25°C 10.8 mJ
关断损耗 Eoff 同上 4.3 mJ

五,选型与系统设计建议

5.1.  栅极驱动设计Gvm嘉泰姆
建议使用±15V驱动电压,并串接10Ω栅极电阻,以平衡开关速度与噪声抑制。
Gvm嘉泰姆

5.2.  散热系统设计Gvm嘉泰姆
推荐使用高性能散热器与导热硅脂,控制模块壳温在100°C以下,确保长期稳定运行。
Gvm嘉泰姆

5.3.  保护电路配置Gvm嘉泰姆
尽管模块具备短路耐受能力,仍建议配置快速过流与过热保护电路,进一步延长模块寿命。
Gvm嘉泰姆

5.4.  并联使用注意Gvm嘉泰姆
若需并联使用,请确保各模块参数匹配,并适当降额使用,避免电流不均。
Gvm嘉泰姆


六,结语

CXIG100R120KZ1_IGBT34作为一款性能卓越的IGBT功率模块,兼具高效率、高可靠性以及优良的热管理能力,非常适用于现代工业电源与驱动系统。如果您正在为中功率UPS、感应加热或焊接设备寻找一款高性价比的IGBT解决方案,CXIG100R120KZ1将是理想选择。Gvm嘉泰姆

如需获取详细数据手册、样品申请或采购支持,欢迎访问 JTM-IC官方网站(jtm-ic.com,我们为您提供专业的产品选型支持与全球供货服务。Gvm嘉泰姆


七,相关芯片选择指南下载                   ►更多同类产品....Gvm嘉泰姆

       电表模数音视频半桥芯片.pdf (203.52 KB)

发表评论
    共有条评论
    用户名: 密码:
    验证码: 匿名发表

热门信息
♦   CXLE86234 45V同步降压LED驱动器   ...
♦   CXHA31115宽电压线性霍尔传感器:-   ...
♦   CXHA3197锁存型霍尔开关传感器 -   ...
♦   【6A大电流】CXSD62667宽压同步   ...
♦   CXLE86231 60V降压恒流驱动器1.5   ...
♦   CXBD3567高速驱动芯片25V宽压9A   ...
♦   CXBD3534D高压驱动芯片:220V自举   ...
♦   CXBD3526 600V大电流悬浮驱动芯   ...
♦   宽压高效DC-DC降压芯片CXSD62674   ...
♦   CXLB74216开关充电技术提供1.1A   ...
  • 最新信息
    (1.)CXMD32137高压MOS/IGBT驱动器 -    ...
    (2.)CXIG75R120KX1 IGBT34模块|1250V/   ...
    (3.)CXIG100R120KZ1 IGBT34模块|1200V   ...
    (4.)CXIG150R120KZ1 IGBT62模块 - 12   ...
    (5.)CXIG200R120KZ1 IGBT62模块 - 12   ...
    (6.)CXIG300R120KX1 IGBT62模块 - 12   ...
    (7.)CXIG400R120KX1_IGBT62   ...
    (8.)CXEP2350单相多功能电能计量芯片   ...
    (9.)CXAS42304高精度电子测温枪专用   ...
    (10.)CXAS42303高精度电子秤模拟前端   ...
    推荐信息
  • CXIG75R120KX1 IGBT34模块|1250V/   ...
  • CXIG100R120KZ1 IGBT34模块|1200V   ...
  • CXIG150R120KZ1 IGBT62模块 - 12   ...
  • CXIG200R120KZ1 IGBT62模块 - 12   ...
  • CXIG300R120KX1 IGBT62模块 - 12   ...
  • CXMS5233采用先进的沟道技术在低   ...
  • CXMS5221双N沟道增强型场效应晶   ...
  • CXMS5179是双P通道逻辑增强型功   ...
  • CXMS5149是N沟道增强MOS场效应晶   ...
  • CXMS5135沟槽技术超高密度电池设   ...

  • 相关文章
    ♦ CXIG75R120KX1 IGBT34模块|1250V/   ...
    ♦ CXIG100R120KZ1 IGBT34模块|1200V   ...
    ♦ CXIG150R120KZ1 IGBT62模块 - 12   ...
    ♦ CXIG200R120KZ1 IGBT62模块 - 12   ...
    ♦ CXIG300R120KX1 IGBT62模块 - 12   ...
    ♦ 12V 21A 5.5mΩ双N沟道功率MOSFE   ...
    ♦ N通道增强模式功率MOSFET CXMS52   ...
    ♦ N沟道增强型功率MOSFET CXMS5245   ...
    ♦ CXMS5238NE CXMS5240NE总线采用   ...
    ♦ CXMS5237E CXMS5239E采用先进的   ...
    头条信息
  • CXIG75R120KX1 IGBT34模块|1250V/   ...
  • CXIG100R120KZ1 IGBT34模块|1200V   ...
  • CXIG150R120KZ1 IGBT62模块 - 12   ...
  • CXIG200R120KZ1 IGBT62模块 - 12   ...
  • CXIG300R120KX1 IGBT62模块 - 12   ...