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CXNP5419 CXNP5419硅外延NPN晶体管高频4GHz低噪声高频放大工作频率 900 MHz
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CXNP5419 CXNP5419硅外延NPN晶体管高频4GHz低噪声高频放大工作频率 900 MHz

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产品简介

                          目录q0F嘉泰姆

   1.产品概述      2.产品特点      3.应用范围     4.技术规格书下载(PDF文档)q0F嘉泰姆

   5.产品封装      6.电路原理图     7.相关产品q0F嘉泰姆

一.产品概述q0F嘉泰姆


 硅外延 NPN 晶体管 高频,f T典型值 4GHz 低噪声 q0F嘉泰姆

二.产品特点q0F嘉泰姆


应用条件q0F嘉泰姆

参数q0F嘉泰姆

符号q0F嘉泰姆

最大值q0F嘉泰姆

单位q0F嘉泰姆

BC 结击穿电压q0F嘉泰姆

VCBOq0F嘉泰姆

20q0F嘉泰姆

Vq0F嘉泰姆

EC 结击穿电压q0F嘉泰姆

VCEOq0F嘉泰姆

12q0F嘉泰姆

Vq0F嘉泰姆

EB 结击穿电压q0F嘉泰姆

VEBOq0F嘉泰姆

3q0F嘉泰姆

Vq0F嘉泰姆

集电极电流q0F嘉泰姆

ICq0F嘉泰姆

50q0F嘉泰姆

mAq0F嘉泰姆

功耗q0F嘉泰姆

PCq0F嘉泰姆

0.2q0F嘉泰姆

Wq0F嘉泰姆

结温q0F嘉泰姆

Tjq0F嘉泰姆

150q0F嘉泰姆

q0F嘉泰姆

保存温度q0F嘉泰姆

Tstgq0F嘉泰姆

-55-+150q0F嘉泰姆

q0F嘉泰姆

电学特性 (T=25℃)q0F嘉泰姆

参数q0F嘉泰姆

符号q0F嘉泰姆

最小q0F嘉泰姆

典型q0F嘉泰姆

最大q0F嘉泰姆

单位q0F嘉泰姆

测试条件q0F嘉泰姆

BC 结击穿电压q0F嘉泰姆

BVCBOq0F嘉泰姆

20q0F嘉泰姆

   

Vq0F嘉泰姆

IC=10μAq0F嘉泰姆

EC 击穿电压q0F嘉泰姆

BVCEOq0F嘉泰姆

12q0F嘉泰姆

   

Vq0F嘉泰姆

IC=1mAq0F嘉泰姆

EB 结击穿电压q0F嘉泰姆

BVEBOq0F嘉泰姆

3q0F嘉泰姆

   

Vq0F嘉泰姆

IE=10μAq0F嘉泰姆

BC 结漏电流q0F嘉泰姆

ICBOq0F嘉泰姆

   

0.5q0F嘉泰姆

μAq0F嘉泰姆

Vcb=10Vq0F嘉泰姆

EB 结漏电流q0F嘉泰姆

IEBOq0F嘉泰姆

   

0.5q0F嘉泰姆

μAq0F嘉泰姆

Veb=2Vq0F嘉泰姆

CE 饱和电压q0F嘉泰姆

VCE   (SAT)q0F嘉泰姆

   

0.5q0F嘉泰姆

Vq0F嘉泰姆

Ic/Ib =   10m A / 5m Aq0F嘉泰姆

电流增益q0F嘉泰姆

hFEq0F嘉泰姆

56q0F嘉泰姆

70q0F嘉泰姆

180q0F嘉泰姆

 

VCE/IC=5V/5mAq0F嘉泰姆

频率q0F嘉泰姆

fTq0F嘉泰姆

1.4q0F嘉泰姆

4q0F嘉泰姆

 

GHzq0F嘉泰姆

VCE=10V,   IC=10mAq0F嘉泰姆

输出电容q0F嘉泰姆

Cobq0F嘉泰姆

 

0.8q0F嘉泰姆

1.5q0F嘉泰姆

pFq0F嘉泰姆

Vcb=10V,Ie=0A,   f= 1MHzq0F嘉泰姆

噪声因子q0F嘉泰姆

NFq0F嘉泰姆

 

3.5q0F嘉泰姆

 

dbq0F嘉泰姆

Vce=8V,   Ic=2m A, f=500MHzq0F嘉泰姆

Rg=50Ωq0F嘉泰姆

三.应用范围q0F嘉泰姆


高频放大,工作频率 900 MHz    q0F嘉泰姆

四.技术规格书(产品PDF)q0F嘉泰姆


需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!q0F嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgq0F嘉泰姆

五.产品封装图q0F嘉泰姆


  blob.pngq0F嘉泰姆

六.电路原理图q0F嘉泰姆


   q0F嘉泰姆

七.相关芯片选择指南q0F嘉泰姆


高频双极NPN晶体管(NPN Silicon Epitaxial Transistor)
Part No. Polarity VCEO(Max.) IC(Max.) Ft(Typical) Package Application
CXNP5419 NPN 12V 50mA 3.0GHz SOT23 LNA
CXNP5419B NPN 12V 80mA 4.0GHz SOT23 LNA
CXNP5420 NPN 12V 100mA 5.0GHz SOT23 LNA
CXNP5420B NPN 12V 200mA 5.0GHz SOT23 LNA

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