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1.产品概述                       2.产品特点EjD嘉泰姆
3.应用范围                        4.下载产品资料PDF文档EjD嘉泰姆
5.产品封装图                        6.电路原理图           EjD嘉泰姆
7.功能概述                        8.相关产品EjD嘉泰姆

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一,产品概述(General Description)        EjD嘉泰姆

  CXUS7705A是一款低压单片N-MOSFET高边电源开关，非常适用于自供电和EjD嘉泰姆
总线供电的USB应用。CXUS7705A配备一个电荷泵电路来驱动内部MOSFET开关；EjD嘉泰姆
80mΩ低导通电阻满足USB压降要求；FLAG引脚输出可显示故障状态给本地USBEjD嘉泰姆
控制器。附加特性还包括软启动来限制插拔时的浪涌电流，过热关断保护可避免EjD嘉泰姆
来自高电流负载的灾难性开关故障，欠压锁定用来确保设备锁定在关闭状态，除EjD嘉泰姆
非当前有一个有效的输入电压出现。最大电流分别通过开关CXUS7705A/A/B/C/D 限EjD嘉泰姆
制 在 2.1A/1.5A/1A/0.65A 典 型值，25uA的低静态电流使该设备成为便携式供电EjD嘉泰姆
设备的理想选择。EjD嘉泰姆
  CXUS7705A适用于SOT-23-5L和MSOP8/SOP8封装，仅需要极小的电路板空间EjD嘉泰姆
和极少的外围器件。EjD嘉泰姆
二.产品特点(Features)EjD嘉泰姆

1.)符合USB规范EjD嘉泰姆
2.)宽输入电压范围：2.5V至5.5VEjD嘉泰姆
3.)典型RDS（ON）：80mΩ（SOT-23-5L）,90mΩ（SOP8/MSOP8）EjD嘉泰姆
4.)典型值1.7V欠压锁定EjD嘉泰姆
5.)输出可强制高于输入（关断状态）EjD嘉泰姆
6.)低供电电流：EjD嘉泰姆
     开启状态下典型值25uAEjD嘉泰姆
     关断状态下典型值1uAEjD嘉泰姆
7.)保证CXUS7705A/B/C/D CXUS7705AA/1A/0.8A/0.5A的连续负载电流EjD嘉泰姆
8.)开漏故障标志输出EjD嘉泰姆
9.)热插拔应用（软启动）EjD嘉泰姆
10.)电流限制保护EjD嘉泰姆
11.)过热关断保护EjD嘉泰姆

12.)反向电流阻断（无寄生二极管）EjD嘉泰姆
三,应用范围 (Applications)EjD嘉泰姆

USB总线/自供电集线器EjD嘉泰姆

USB周边EjD嘉泰姆
ACPI配电系统EjD嘉泰姆
PC卡热插拔EjD嘉泰姆
笔记本电脑，主板电脑EjD嘉泰姆
电池供电设备EjD嘉泰姆
热插拔电源EjD嘉泰姆
电池充电器电路EjD嘉泰姆
四.下载产品资料PDF文档EjD嘉泰姆

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五,产品封装图 (Package)EjD嘉泰姆
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引脚名称引脚功能EjD嘉泰姆

六.电路原理图EjD嘉泰姆
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七,功能概述EjD嘉泰姆

应用信息EjD嘉泰姆
  CXUS7705A是一款单片N-MOSFET高边电源开关，非常适用于自供电和总线供电的USB应用。CXUS7705A配备一个电荷泵电路来驱动内部MOSFET开关；80mΩ低导通电阻满足USB压降要求；FLAG引脚输出可显示故障状EjD嘉泰姆
态给本地USB控制器。 EjD嘉泰姆
输入和输出EjD嘉泰姆
输入是连接到内部电路和 MOSFET 漏极的电源。输出是 MOSFET 源极。在典型应用中，电流通过开关管从EjD嘉泰姆
输入流向输出负载。输出 VOUT 大于 VIN，由于MOSFET 是双向的，电流会从 VOUT 流向 VIN。EjD嘉泰姆
不同于普通的MOSFET，有一种MOSFET的漏极和源极之间没有寄生二极管，当输出被关掉，VIN大于VOUTEjD嘉泰姆
时，CXUS7705A 可以防止反向电流(VEN < 0.8V 或V EN >2V)。EjD嘉泰姆
使能EjD嘉泰姆
当 EN/ EN 引脚是逻辑高/低时，开关关闭。在这个条件下，内部电路和 MOSFET 会关断，输入电流减小到EjD嘉泰姆
0.1uA 典型值。EN/ EN 悬空会引起未知操作。EN 不允许对地接负压。EN/ EN 引脚应直接接到 VIN(GND)以EjD嘉泰姆
确保开启。EjD嘉泰姆
欠压锁定EjD嘉泰姆
欠压锁定阻止 MOSFET 开关打开直到输入电压超过大约 1.7V。如果输入电压降到大约 1.3V，欠压锁定关闭EjD嘉泰姆
MOSFET 开关，FLG 也相应出现。欠压检测功能仅用于开关打开时。 EjD嘉泰姆
软启动热插件的应用EjD嘉泰姆
为了消除热插件应用中较大浪涌电流引起的电压下跌，软启动特性能有效隔离来自大电容负载的电源，EjD嘉泰姆
以满足 USB 压降要求。 EjD嘉泰姆
故障标志CXUS7705A 提供一个 N 沟道开漏 MOSFET 输出的 FLG 信号引脚。当 VOUT < VIN − 1V，限流或晶圆温度超过大约 130°C 时，此引脚变为低电平。 FLG 输出能够吸收 10mA 电流达到 200mV 典型值。 FLG 引脚要求用一个上拉电阻，这个电阻值应足够大以减少能量损耗。一个 100kΩ 的上拉电阻足够大多数应用。在过流情况下，FLG 延迟一段时间之后响应。这是为了确保 FLG是在过流情况下出现，以防止误操作。EjD嘉泰姆
限流和短路保护EjD嘉泰姆
限流电路防止MOSFET开关损坏并可以通过CXUS7705AA/B/C/D 开关驱动接近2.1A/1.5A/1A/0.65A 典型限流值的负载电流。当一个重负载或短路被应用于开关时，一个大的瞬态电流流过直到限流电路响应。EjD嘉泰姆
一旦超过这个电流限制阈值，芯片进入恒流模式直到产生热关断或故障被移除。 EjD嘉泰姆
热关断EjD嘉泰姆
采用热关断电路是为了防止晶圆温度超过大约 130°C时使芯片受损。当使能有效，晶圆温度降低 20°C 时，开关会自动重启。输出和 FLG 信号也将继续循环开关直到芯片使能失效或故障被移除。 EjD嘉泰姆
输入电容EjD嘉泰姆
输入和地之间接一个 1uF 的低 ESR 陶瓷电容，以防止在热插件应用时输入电压下跌。但是，较大电容值会EjD嘉泰姆
进一步减小输入压降。此外，没有旁路电容，输出短路会引起输入振铃而损坏内部控制电路。即使是短路EjD嘉泰姆
期间，输入瞬态也不能超过最大绝对额定值 6.0V。 EjD嘉泰姆
输出电容EjD嘉泰姆
为了满足 hub 总线电源最大下降 330mV 的要求(每个USB2.0 输出端口必须有一个 120uF 的低 ESR 的大电EjD嘉泰姆
容),150uF 低 ESR 的电解电容或者钽电容。采用要求的旁路方式,减小旁路电容和下游连接间的寄生电感EjD嘉泰姆
和电阻, 减小 EMI 以及下游连接热插拔造成的电压下降. 在总线电源,地线以及与电源连接管脚上的 0.1uFEjD嘉泰姆
的旁路电容上串接磁珠, 减小 EMI, 增强 ESD 保护.旁路电容的耗散因数要低保证高频段的去藕。  EjD嘉泰姆
布局建议EjD嘉泰姆
为了体现 CXUS7705A 的最好性能，必须严格按照下面的布EjD嘉泰姆
局建议：EjD嘉泰姆
1. 输入输出电容必须靠近 IC 并连接到平面以减少噪声耦合。EjD嘉泰姆
2. 地应该连接到一个强大的地平面以确保热耗散。EjD嘉泰姆
3. 保持主电流走线尽可能的短而粗。EjD嘉泰姆
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