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CXMS5107是N和P通道增强MOS场效应晶体管作为DC-DC转换器或电平移位应用的单个封装采用先进的沟道技术和设计以提供低栅极电荷的优秀RDS(ON)
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CXMS5107是N和P通道增强MOS场效应晶体管作为DC-DC转换器或电平移位应用的单个封装采用先进的沟道技术和设计以提供低栅极电荷的优秀RDS(ON)
 Trench Technology
 Supper high density cell design for extremely low Rds(on)
 Exceptional ON resistance and maximum DC current capability

CXMS5107是N和P通道增强MOS场效应晶体管作为DC-DC转换器或电平移位应用的单个封装采用先进的沟道技术和设计以提供低栅极电荷的优秀RDS(ON)
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   产品概述 返回TOPCrv嘉泰姆


The CXMS5107 is the N- and P-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor as a single package for DC-DC converter or level shift applications, uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. Standard Product CXMS5107 is Pb-free

   产品特点 返回TOPCrv嘉泰姆


 Trench Technology Crv嘉泰姆

 Supper high density cell design for extremely low Rds(on) Crv嘉泰姆

 Exceptional ON resistance and maximum DC current capability Crv嘉泰姆

 Small package design with SOT-563Crv嘉泰姆

   应用范围 返回TOPCrv嘉泰姆


 Driver: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers Crv嘉泰姆

 Power supply converters circuit Crv嘉泰姆

 Load/Power Switching for potable deviceCrv嘉泰姆

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 QQ截图20160419174301.jpgCrv嘉泰姆

产品封装图 返回TOPCrv嘉泰姆


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场效应晶体管

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Polarity Channel VDS VGS VGS(th) RDS(ON)@VGS=4.5V ID@TA=25oC Package Size
(Max.) (Max.) (Max.) (Typ.) (MAX.) (L×W)
(V) (V) (V) (Ω) (A) (mm)
CXMS5105 N + P 2 20/-20 ±6/±8 0.85/-1.0 0.18/0.085 0.65/-3.1 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5106 N + P 2 20/-20 ±6 0.9/-0.9 0.23/0.52 0.8/-0.59 SOT-363 2.1 x 2.3
CXMS5107 N + P 2 20/-20 ±6 0.9/-0.9 0.18/0.45 0.79/-0.5 SOT-563 1.6 x 1.6
CXMS5108 N + P 2 20/-20 ±8 1/-1 0.033/0.085 4.4/-2.8 SOT-23-6L 2.9 x 2.8
CXMS5109 N + P 2 12/-12 ±8 1.2/-1.2 0.028/-0.057 5.1/-4.0 DFN2020-6L 2.0 x 2.0

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