CXMS5192 P沟道增强型功率场效应管MOSFET采用高单元密度的DMOS沟道技术高密度的工艺适用于减小导通电阻低压应用移动电话笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路
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CXMS5192 P沟道增强型功率场效应管MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。适用于低压应用，例如移动电话，笔记本
电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
● -30V/-4A
RDS(ON) =90mΩ@ VGS=-10V,ID=-4A
RDS(ON) =110mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A
● 超大密度单元、极小的 RDS(ON)）
产品手册
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[ CXMS5192 ]"
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产品简介
目录
1.产品概述 2.产品特点 3.应用范围 4.技术规格书下载（PDF文档）
一.产品概述
CXMS5192SG P沟道增强型功率场效应管MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。适用于低压应用，例如移动电话，笔记本
电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
二.产品特点
● -30V/-4A
RDS(ON) =90mΩ@ VGS=-10V,ID=-4A
RDS(ON) =110mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A
● 超大密度单元、极小的 RDS(ON)）
● 采用带散热片的 SOP8 封装（散热片和D端短接）
三.应用范围
● 电源管理
● 负载开关
● 电池保护
四.技术规格书（产品PDF)
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五.产品封装图
六.电路原理图
|
参数 |
符号 |
极限值 |
单位 |
|
漏级电压 |
VDSS |
-30V |
V |
|
栅级电压 |
VGSS |
±20 |
V |
|
漏级电流 |
ID |
-4 |
A |
|
允许最大功耗 |
PD |
2 |
W |
|
工作温度 |
TOpr |
150 |
℃ |
|
存贮温度 |
Tstg |
-65/150 |
℃ |
七.相关芯片选择指南
| 系列名称 | 输入电压 (V) | 输出电压 (V) | 最大输出电流 (A) | 封装 | 特点 | |||
| 最小 | 最大 | 最小 | 标准 | 最大 | ||||
| CXMS5191 | 30V | 4 | SOP8 | P沟道增强型场效应管 | ||||
| CXMS5192 | 30V | 4 | SOP8 | 带散热片P沟道增强型场效应管 | ||||
