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CXMS5192 P沟道增强型功率场效应管MOSFET采用高单元密度的DMOS沟道技术高密度的工艺适用于减小导通电阻低压应用移动电话笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路
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CXMS5192 P沟道增强型功率场效应管MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。适用于低压应用,例如移动电话,笔记本
电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
● -30V/-4A
RDS(ON) =90mΩ@ VGS=-10V,ID=-4A
RDS(ON) =110mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A
● 超大密度单元、极小的 RDS(ON))

CXMS5192 P沟道增强型功率场效应管MOSFET采用高单元密度的DMOS沟道技术高密度的工艺适用于减小导通电阻低压应用移动电话笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路
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产品简介

                          目录1GB嘉泰姆

   1.产品概述      2.产品特点      3.应用范围     4.技术规格书下载(PDF文档)1GB嘉泰姆

   5.产品封装      6.电路原理图     7.相关产品1GB嘉泰姆

一.产品概述1GB嘉泰姆


  CXMS5192SG P沟道增强型功率场效应管MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。1GB嘉泰姆

这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。适用于低压应用,例如移动电话,笔记本1GB嘉泰姆

电脑的电源管理和其他电池的电源电路。1GB嘉泰姆

二.产品特点1GB嘉泰姆


● -30V/-4A 1GB嘉泰姆

 RDS(ON) =90mΩ@ VGS=-10V,ID=-4A 1GB嘉泰姆

 RDS(ON) =110mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A 1GB嘉泰姆

● 超大密度单元、极小的 RDS(ON)) 1GB嘉泰姆

●  采用带散热片的 SOP8 封装(散热片和D端短接)1GB嘉泰姆

三.应用范围1GB嘉泰姆


● 电源管理 1GB嘉泰姆

● 负载开关 1GB嘉泰姆

● 电池保护 1GB嘉泰姆

四.技术规格书(产品PDF)1GB嘉泰姆


需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!1GB嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpg1GB嘉泰姆

五.产品封装图1GB嘉泰姆


  blob.png1GB嘉泰姆

六.电路原理图1GB嘉泰姆


参数1GB嘉泰姆

符号1GB嘉泰姆

极限值1GB嘉泰姆

单位1GB嘉泰姆

漏级电压1GB嘉泰姆

VDSS1GB嘉泰姆

-30V1GB嘉泰姆

V1GB嘉泰姆

栅级电压1GB嘉泰姆

VGSS1GB嘉泰姆

±201GB嘉泰姆

V1GB嘉泰姆

漏级电流1GB嘉泰姆

ID1GB嘉泰姆

-41GB嘉泰姆

A1GB嘉泰姆

允许最大功耗1GB嘉泰姆

PD1GB嘉泰姆

21GB嘉泰姆

W1GB嘉泰姆

工作温度1GB嘉泰姆

TOpr1GB嘉泰姆

1501GB嘉泰姆

1GB嘉泰姆

存贮温度1GB嘉泰姆

Tstg1GB嘉泰姆

-65/1501GB嘉泰姆

℃   1GB嘉泰姆

七.相关芯片选择指南1GB嘉泰姆


系列名称 输入电压 (V) 输出电压 (V) 最大输出电流 (A) 封装 特点
最小 最大 最小 标准 最大
CXMS5191    30V        4 SOP8 P沟道增强型场效应管
CXMS5192    30V        4 SOP8 带散热片P沟道增强型场效应管