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CXMS5191SG P沟道增强型功率场效应管MOSFET采用高单元密度的DMOS沟道技术高密度的工艺适用于减小导通电阻用于低压应用移动电话笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路
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CXMS5191 P沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS
沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻.CXMS5191SG适用于低压应
用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
● -30V/-4A
RDS(ON) =90mΩ@ VGS=-10V,ID=-4A
RDS(ON) =110mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A
● 超大密度单元、极小的 RDS(ON))

CXMS5191SG P沟道增强型功率场效应管MOSFET采用高单元密度的DMOS沟道技术高密度的工艺适用于减小导通电阻用于低压应用移动电话笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路
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产品简介

                          目录WI9嘉泰姆

   1.产品概述      2.产品特点      3.应用范围     4.技术规格书下载(PDF文档)WI9嘉泰姆

   5.产品封装      6.电路原理图     7.相关产品WI9嘉泰姆

一.产品概述WI9嘉泰姆


  CXMS5191SG P沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOSWI9嘉泰姆

沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻.CXMS5191SG适用于低压应WI9嘉泰姆

用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。WI9嘉泰姆

二.产品特点WI9嘉泰姆


●    -30V/-4A WI9嘉泰姆

  RDS(ON) =90mΩ@ VGS=-10V,ID=-4A WI9嘉泰姆

  RDS(ON) =110mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A WI9嘉泰姆

● 超大密度单元、极小的 RDS(ON)) WI9嘉泰姆

● 采用SOP8封装WI9嘉泰姆

三.应用范围WI9嘉泰姆


●    电源管理 WI9嘉泰姆

● 负载开关 WI9嘉泰姆

● 电池保护    WI9嘉泰姆

四.技术规格书(产品PDF)WI9嘉泰姆


需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!WI9嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgWI9嘉泰姆

五.产品封装图WI9嘉泰姆


 blob.png WI9嘉泰姆

六.电路原理图WI9嘉泰姆


参数WI9嘉泰姆

符号WI9嘉泰姆

极限值WI9嘉泰姆

单位WI9嘉泰姆

漏级电压WI9嘉泰姆

VDSSWI9嘉泰姆

-30VWI9嘉泰姆

VWI9嘉泰姆

栅级电压WI9嘉泰姆

VGSSWI9嘉泰姆

±20WI9嘉泰姆

VWI9嘉泰姆

漏级电流WI9嘉泰姆

IDWI9嘉泰姆

-4WI9嘉泰姆

AWI9嘉泰姆

允许最大功耗WI9嘉泰姆

PDWI9嘉泰姆

2WI9嘉泰姆

WWI9嘉泰姆

工作温度WI9嘉泰姆

TOprWI9嘉泰姆

150WI9嘉泰姆

WI9嘉泰姆

存贮温度WI9嘉泰姆

TstgWI9嘉泰姆

-65/150WI9嘉泰姆

℃   WI9嘉泰姆

七.相关芯片选择指南WI9嘉泰姆


系列名称 输入电压 (V) 输出电压 (V) 最大输出电流 (A) 封装 特点
最小 最大 最小 标准 最大
CXMS5191    30V        4 SOP8 P沟道增强型场效应管
CXMS5192    30V        4 SOP8 带散热片P沟道增强型场效应管

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