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CXMS5191SG P沟道增强型功率场效应管MOSFET采用高单元密度的DMOS沟道技术高密度的工艺适用于减小导通电阻用于低压应用移动电话笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路
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CXMS5191 P沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS
沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻.CXMS5191SG适用于低压应
用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
● -30V/-4A
RDS(ON) =90mΩ@ VGS=-10V,ID=-4A
RDS(ON) =110mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A
● 超大密度单元、极小的 RDS(ON))

CXMS5191SG P沟道增强型功率场效应管MOSFET采用高单元密度的DMOS沟道技术高密度的工艺适用于减小导通电阻用于低压应用移动电话笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路
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产品简介

                          目录NiY嘉泰姆

   1.产品概述      2.产品特点      3.应用范围     4.技术规格书下载(PDF文档)NiY嘉泰姆

   5.产品封装      6.电路原理图     7.相关产品NiY嘉泰姆

一.产品概述NiY嘉泰姆


  CXMS5191SG P沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOSNiY嘉泰姆

沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻.CXMS5191SG适用于低压应NiY嘉泰姆

用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。NiY嘉泰姆

二.产品特点NiY嘉泰姆


●    -30V/-4A NiY嘉泰姆

  RDS(ON) =90mΩ@ VGS=-10V,ID=-4A NiY嘉泰姆

  RDS(ON) =110mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-3A NiY嘉泰姆

● 超大密度单元、极小的 RDS(ON)) NiY嘉泰姆

● 采用SOP8封装NiY嘉泰姆

三.应用范围NiY嘉泰姆


●    电源管理 NiY嘉泰姆

● 负载开关 NiY嘉泰姆

● 电池保护    NiY嘉泰姆

四.技术规格书(产品PDF)NiY嘉泰姆


需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!NiY嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgNiY嘉泰姆

五.产品封装图NiY嘉泰姆


 blob.png NiY嘉泰姆

六.电路原理图NiY嘉泰姆


参数NiY嘉泰姆

符号NiY嘉泰姆

极限值NiY嘉泰姆

单位NiY嘉泰姆

漏级电压NiY嘉泰姆

VDSSNiY嘉泰姆

-30VNiY嘉泰姆

VNiY嘉泰姆

栅级电压NiY嘉泰姆

VGSSNiY嘉泰姆

±20NiY嘉泰姆

VNiY嘉泰姆

漏级电流NiY嘉泰姆

IDNiY嘉泰姆

-4NiY嘉泰姆

ANiY嘉泰姆

允许最大功耗NiY嘉泰姆

PDNiY嘉泰姆

2NiY嘉泰姆

WNiY嘉泰姆

工作温度NiY嘉泰姆

TOprNiY嘉泰姆

150NiY嘉泰姆

NiY嘉泰姆

存贮温度NiY嘉泰姆

TstgNiY嘉泰姆

-65/150NiY嘉泰姆

℃   NiY嘉泰姆

七.相关芯片选择指南NiY嘉泰姆


系列名称 输入电压 (V) 输出电压 (V) 最大输出电流 (A) 封装 特点
最小 最大 最小 标准 最大
CXMS5191    30V        4 SOP8 P沟道增强型场效应管
CXMS5192    30V        4 SOP8 带散热片P沟道增强型场效应管