CXDR7547F CXDR7547H系列为内置延迟电路的电压检测器。采用CMOS工艺和激光微调技术,实现了高精度, 低电流消耗。检测电压精度高,且温度漂移极小。输出电路有N沟开漏和CMOS 2种。因内置延迟电路,所以不需要外置元件,可实现高密度安装
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[ CXDR7547F ]
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CXDR7547F CXDR7547H系列为内置延迟电路的电压检测器。采用CMOS工艺和激光微调技术,实现了高精度, 低电流消耗。检测电压精度高,且温度漂移极小。输出电路有N沟开漏和CMOS 2种。因内置延迟电路,所以不需要外置元件,可实现高密度安装。The CXDR7547F CXDR7547H series are highly accurate, low power consumption voltage detectors, manufactured using CMOS and laser trimming technologies. A delay circuit is built-in to each detector. Detect voltage is extremely accurate with minimal temperature drift. Both CMOS and N-ch open drain output configurations are available. Since the delay circuit is built-in, peripherals are unnecessary and high density mounting is possible.
产品特点 返回TOP
应用范围 返回TOP
●Microprocessor reset circuitry
●Memory battery back-up circuits
●Power-on reset circuits
●Power failure detection
●System battery life and charge voltage monitors
●Delay circuitry
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|
单功能电压检测器 |
|||||||||||
|
产品名称 |
特点 |
封装 |
检测 电压 MIN V |
检测 电压 MAX V |
工作 电压 MIN V |
工作 电压 MAX V |
消耗 电流 |
输出形式 |
温度 范围 (℃) |
检测 电压 精度 (%) |
检测电 压温度 特性 ppm/℃ |
|
μA |
|||||||||||
|
低消耗 电流 |
SOT24 USP3 |
1 |
5 |
0.7 |
6 |
0.5 |
CMOS N-ch open drain |
-40～＋85 |
±2 |
±100 |
|
|
检测电压 高精度 |
SOT24 USPN4B02 |
1.5 |
5.5 |
0.7 |
6 |
0.7 |
CMOS N-ch open drain |
-40～＋85 |
±0.8 |
±50 |
|
|
低检测电 压0.8V |
SOT23 SOT89 SOT24 |
0.8 |
6 |
0.7 |
10 |
0.8 |
CMOS N-ch open drain |
-40～＋85 |
±2 |
±100 |
|
|
低检测电 压0.8V |
USP3 |
0.8 |
6 |
0.7 |
10 |
0.8 |
CMOS N-ch open drain |
-40～＋85 |
±2 |
±100 |
|
|
Assures All Temperature Range |
SOT23 SOT89 |
1.6 |
6 |
0.7 |
10 |
0.8 |
CMOS N-ch open drain |
-40～＋85 |
±2 |
±400 |
|
|
电压检测器 延迟时间内部设定 |
||||||||||||
|
产品名称 |
特点 |
封装 |
检测 电压 MIN V |
检测 电压 MAX V |
工作 电压 MIN V |
工作 电压 MAX V |
消耗 电流 |
输出 形式 |
手动复 位输入 |
解除延 迟时间 (ms) |
检测电 压精度 (%) |
检测电压 温度特性 ppm/℃ |
|
μA |
||||||||||||
|
看门狗+ 手动复位 |
SOT25 USP6C |
1.6 |
5 |
1 |
6 |
8 |
CMOS |
Yes |
3.13 25 50 100 200 400 1600 |
±2 |
±100 |
|
|
看门狗+ 手动复位 |
SOT25 USP6C |
1.6 |
5 |
1 |
6 |
8 |
CMOS N-ch open drain |
Yes |
3.13 25 50 100 200 400 1600 |
±2 |
±100 |
|
|
检测电压, 高精度、 手动复位 |
SOT25 SSOT24 USPN4 |
1.5 |
5.5 |
0.7 |
6 |
0.7 |
CMOS N-ch open drain |
Yes |
50 100 200 400 800 |
±0.8 |
±50 |
|
|
工作电压范围 0.7~10V |
SOT23 SOT89 |
1.6 |
6 |
0.7 |
10 |
1 |
CMOS N-ch open drain |
No |
±2 |
±100 |
||
|
带内置延迟电路 |
SOT23 |
1.6 |
6 |
0.7 |
10 |
1 |
CMOS N-ch open drain |
No |
1 50 80 |
±2 |
±100 |
|
|
电压检测器 延迟时间外部设定 |
|||||||||||||
|
产品名称 |
特点 |
封装 |
检测 电压 MIN V |
检测 电压 MAX V |
工作 电压 MIN V |
工作 电压 MAX V |
消耗 电流 |
输出 形式 |
工作 电压 MAX V |
消耗 电流 |
手动 复位 输入 |
检测 电压 精度 |
检测电压温度特性 |
|
μA |
μA |
(%) |
ppm/℃ |
||||||||||
|
独立电压检测端子 |
SOT25 USP4 |
0.8 |
5 |
1 |
6 |
0.8*2 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
0.8*2 |
No |
±2 |
±100 |
|
|
带外置延迟电容 |
SSOT24 |
0.8 |
5 |
0.7 |
6 |
0.9*1 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
0.9*1 |
No |
±2 |
±100 |
|
|
独立电压检测端子 |
SOT25 USP4 |
0.8 |
5 |
1 |
6 |
0.8*2 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
0.8*2 |
No |
±2 |
±100 |
|
|
带外置延迟电容 |
SSOT24 USPN4 |
0.8 |
5 |
0.7 |
6 |
0.9*1 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
0.9*1 |
No |
±2 |
±100 |
|
|
外接电容延迟式 |
SSOT24 USPN4 |
1.5 |
5.5 |
1.3 |
6 |
0.58*1 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
0.58*1 |
Yes |
±0.8 |
±50 |
|
|
浪涌电压保护功能外调滞后宽度 |
SOT26 USP6C |
0.8 |
2 |
1.6 |
6 |
1.43*1 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
1.43*1 |
Yes |
±1.2 |
±50 |
|
|
电容延迟式 |
SOT26 USP6C |
1 |
5 |
1.6 |
6 |
1.32*3 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
1.32*3 |
Yes |
±1.2 |
±50 |
|
|
外部调整滞后电容延迟式 |
SOT26 USP6C |
0.8 |
5 |
1.6 |
6 |
1.32*3 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
1.32*3 |
Yes |
±1.2 |
±50 |
|
|
车载类分离传感端子 外部调整滞后 外接延迟电容式 |
USP6C |
0.8 |
2 |
1.6 |
6 |
1.43*1 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
1.43*1 |
Yes |
±1.2 |
±50 |
|
|
车载类分离传感端子 外部调整滞后 外接延迟电容式 |
SOT26 USP6C |
1 |
5 |
1.6 |
6 |
1.32 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
1.32 |
Yes |
±1.2 |
±50 |
|
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