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CXMS5109 N沟道和P沟道增强MOS场效应晶体管作为DC-DC转换器或电平变换应用的单个封装采用先进的沟道技术和设计提供低栅极电荷的优秀RDS（ON）沟槽技术超高密度电池设计优良的电阻极低阈值电压
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CXMS5109是N沟道和P沟道增强MOS场效应晶体管，作为DC-DC转换器或电平变换应用的单个封装，采用先进的沟道技术和设计，以提供低栅极电荷的优秀RDS（ON）。标准产品CXMS5109不含铅和卤素。
沟槽技术
超高密度电池设计
优良的电阻
•极低阈值电压
产品手册
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[ CXMS5109 ]"
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The CXMS5109 is the N-Channel and P-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor as a single package for DC-DC converter or level shift applications, uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. Standard Product CXMS5109 is Pb-free and Halogen-free.
产品特点 返回TOP
Trench Technology
Supper high density cell design
Excellent ON resistance
Extremely Low Threshold Voltage
Small package DFN2*2-6L
应用范围 返回TOP
Power supply converters circuit
Load/Power Switching for portable device
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| 场效应晶体管 > | |||||||||
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Product |
Polarity | Channel | VDS | VGS | VGS(th) | RDS(ON)@VGS=4.5V | ID@TA=25oC | Package | Size |
| (Max.) | (Max.) | (Max.) | (Typ.) | (MAX.) | (L×W) | ||||
| (V) | (V) | (V) | (Ω) | (A) | (mm) | ||||
| CXMS5105 | N + P | 2 | 20/-20 | ±6/±8 | 0.85/-1.0 | 0.18/0.085 | 0.65/-3.1 | DFN2020-6L | 2.0 x 2.0 |
| CXMS5106 | N + P | 2 | 20/-20 | ±6 | 0.9/-0.9 | 0.23/0.52 | 0.8/-0.59 | SOT-363 | 2.1 x 2.3 |
| CXMS5107 | N + P | 2 | 20/-20 | ±6 | 0.9/-0.9 | 0.18/0.45 | 0.79/-0.5 | SOT-563 | 1.6 x 1.6 |
| CXMS5108 | N + P | 2 | 20/-20 | ±8 | 1/-1 | 0.033/0.085 | 4.4/-2.8 | SOT-23-6L | 2.9 x 2.8 |
| CXMS5109 | N + P | 2 | 12/-12 | ±8 | 1.2/-1.2 | 0.028/-0.057 | 5.1/-4.0 | DFN2020-6L | 2.0 x 2.0 |
