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CXMS5211 CXMS5219SG系列双P沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小通态电阻特别适合低电压超低导通电阻高密度电池设计
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CXMS5211 CXMS5219SG系列双P沟道增强型场效应晶体管,采用高密度DMOS沟道技术制造,主要用于减小通态电阻。这个装置特别适合低电压。
l-30V/-6A RDS(开)=52mΩ@VGS=-10V,ID=-6A RDS(开)=67mΩ@VGS=-4.5V,ID=-4A
超低导通电阻高密度电池设计

CXMS5211 CXMS5219SG系列双P沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小通态电阻特别适合低电压超低导通电阻高密度电池设计
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   产品概述 返回TOPQJN嘉泰姆


CXMS5219SG  CXMS5211 Series Dual P-channel enhancement mode field-effect transistor, produced with high cell density DMOS trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. This device particularly suits low voltage .

   产品特点 返回TOPQJN嘉泰姆


l -30V/-6A RDS(ON) =52mΩ@ VGS=-10V,ID=-6A RDS(ON) =67mΩ@       VGS=-4.5V,ID=-4A QJN嘉泰姆

l High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance QJN嘉泰姆

l Surface mount package:SOP8QJN嘉泰姆

   应用范围 返回TOPQJN嘉泰姆


l Power management QJN嘉泰姆

l Load switch QJN嘉泰姆

l Battery protectionQJN嘉泰姆

   技术规格书(产品PDF) 返回TOP QJN嘉泰姆


     需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!QJN嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgQJN嘉泰姆

产品封装图 返回TOPQJN嘉泰姆


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电路原理图 返回TOPQJN嘉泰姆


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PartQJN嘉泰姆

ModeQJN嘉泰姆

VDS(Max)QJN嘉泰姆

VGSQJN嘉泰姆

ID(Max)QJN嘉泰姆

RDS(on)QJN嘉泰姆

ApplicationQJN嘉泰姆

PackageQJN嘉泰姆

NumberQJN嘉泰姆

CXMS5214QJN嘉泰姆

P channelQJN嘉泰姆

-20VQJN嘉泰姆

-8VQJN嘉泰姆

-2.8AQJN嘉泰姆

93mΩQJN嘉泰姆

①②③④⑤QJN嘉泰姆

SOT23/SOT23-3QJN嘉泰姆

CXMS5214-NQJN嘉泰姆

P channelQJN嘉泰姆

-20VQJN嘉泰姆

-12VQJN嘉泰姆

-3.1AQJN嘉泰姆

77mΩQJN嘉泰姆

①②③④⑤QJN嘉泰姆

SOT23QJN嘉泰姆

CXMS5215QJN嘉泰姆

P channelQJN嘉泰姆

-30VQJN嘉泰姆

-12VQJN嘉泰姆

-4.2AQJN嘉泰姆

55mΩQJN嘉泰姆

①②③④⑤⑥⑦⑧QJN嘉泰姆

SOT23/SOT23-3QJN嘉泰姆

CXMS5215-NQJN嘉泰姆

P channelQJN嘉泰姆

-30VQJN嘉泰姆

-20VQJN嘉泰姆

-2.9AQJN嘉泰姆

92mΩQJN嘉泰姆

①②③④⑤⑥⑦⑧QJN嘉泰姆

SOT23QJN嘉泰姆

CXMS5216QJN嘉泰姆

P channelQJN嘉泰姆

-30VQJN嘉泰姆

-20VQJN嘉泰姆

-4.1AQJN嘉泰姆

46mΩQJN嘉泰姆

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P channelQJN嘉泰姆

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-30VQJN嘉泰姆

-20VQJN嘉泰姆

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①②③④⑤⑥⑦⑧QJN嘉泰姆

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Applications: ①Mobile   phone②MID③GPS④DC/DC Converter⑤Load Switch⑥Power Management Notebook⑦LCD   Display Inverter⑧Battery powered system⑨Battery ProtectionQJN嘉泰姆

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