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CXCP5367DR是P通道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度DMOS沟道技术制造适合于最小化导通电阻
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The CXCP5367DR is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.

CXCP5367DR是P通道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度DMOS沟道技术制造适合于最小化导通电阻
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   产品概述 返回TOPCOb嘉泰姆

The CXCP5367DR is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.

   产品特点 返回TOPCOb嘉泰姆

● RDS(ON)= 0.48Ω @VGS=-4.5V COb嘉泰姆

● RDS(ON)= 0.67Ω @VGS=-2.5V COb嘉泰姆

● RDS(ON)= 0.95Ω @VGS=-1.8V COb嘉泰姆

● RDS(ON)= 2.20Ω @VGS=-1.5V COb嘉泰姆

● Super high density cell design for extremely low RDS(ON) COb嘉泰姆

● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability COb嘉泰姆

● Capable doing Cu wire bondingCOb嘉泰姆

   应用范围 返回TOPCOb嘉泰姆

● Power Management in Note book COb嘉泰姆

● Portable Equipment COb嘉泰姆

● Battery Powered SystemCOb嘉泰姆

   技术规格书（产品PDF) 返回TOP COb嘉泰姆

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 QQ截图20160419174301.jpgCOb嘉泰姆

产品封装图 返回TOPCOb嘉泰姆

blob.pngCOb嘉泰姆

电路原理图 返回TOPCOb嘉泰姆

blob.pngCOb嘉泰姆

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封装COb嘉泰姆

(Max)COb嘉泰姆

  

(Typ)COb嘉泰姆

(Max)COb嘉泰姆

  

(Max)COb嘉泰姆

BSS84COb嘉泰姆

P沟道COb嘉泰姆

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20VCOb嘉泰姆

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-30VCOb嘉泰姆

-12VCOb嘉泰姆

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-30VCOb嘉泰姆

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-30VCOb嘉泰姆

-12VCOb嘉泰姆

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