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1.产品概述                       2.产品特点yeC嘉泰姆
3.应用范围                       4.下载产品资料PDF文档 yeC嘉泰姆
5.产品封装图                     6.电路原理图                   yeC嘉泰姆
7.功能概述                        8.相关产品yeC嘉泰姆

一,产品概述(General Description)    yeC嘉泰姆

      CXPR7133 系列芯片内置高精度电压检测电路和延时电路 (过充电/过放电保护以及充放电过流 1/2 保护)，保护电池安全。同时，CXPR7133 系列芯片具备充放电高低温温度保护功能和充电平衡功能，延长电池寿命。此外，CXPR7133 系列芯 片还拥有断线检测功能和 0V 充电功能 4，提升系统安全性能。单颗CXPR7133芯片适用于保护3节，4节或者5节串联的锂离子电池组 (包括磷酸铁锂电池组)，级联的CXPR7133芯片 组合能够保护超过5节5串联的锂离子电池组 (包括磷酸铁锂电池组)。yeC嘉泰姆
二.产品特点(Features)yeC嘉泰姆

通过SEL0/SEL1管脚切换3/4/5节串联应用yeC嘉泰姆
高精度电压检测功能：(针对单节电芯)yeC嘉泰姆
- 过充电保护阈值电压：3.3V - 4.5V (50mV一档)yeC嘉泰姆
阈值电压精度：±25mVyeC嘉泰姆
阈值电压精度：±50mVyeC嘉泰姆
- 过放电保护阈值电压：1.8V - 3.0V (100mV一档)yeC嘉泰姆
阈值电压精度：±50mVyeC嘉泰姆
阈值电压精度：±100MvyeC嘉泰姆
两段放电过流检测功能：yeC嘉泰姆
- 放电过流1保护阈值电压：0.05V - 0.3V (50mV一档)yeC嘉泰姆
阈值电压精度：±15mVyeC嘉泰姆
- 放电过流2保护阈值电压：0.2V - 1.0V (100mV一档)yeC嘉泰姆
阈值电压精度：±100mVyeC嘉泰姆
 两段充电过流检测功能：yeC嘉泰姆
- 充电过流1保护阈值电压：0.05V - 0.3V (50mV一档)yeC嘉泰姆
阈值电压精度：±15mVyeC嘉泰姆
- 充电过流2保护阈值电压：0.1V - 0.5V (100mV一档)yeC嘉泰姆
阈值电压精度：±40mVyeC嘉泰姆
充放电温度保护功能：yeC嘉泰姆
- 充电低温保护阈值温度：-20°C，-10°C，0°CyeC嘉泰姆
阈值温度精度：±2°C (典型值)yeC嘉泰姆
- 充放电高温保护阈值温度：50°C，60°C，70°CyeC嘉泰姆
阈值温度精度：±2°C (典型值)yeC嘉泰姆
- 平衡开启阈值电压：3.1V - 4.4V (50mV一档)yeC嘉泰姆
阈值电压精度：±25mVyeC嘉泰姆
断线检测功能yeC嘉泰姆
外接电容可设置过充电保护延时，过放电保护延时，放电yeC嘉泰姆
过流1保护延时以及充电过流1保护延时yeC嘉泰姆
充/放电过流2保护延时以及温度保护延时内部固定yeC嘉泰姆
CTLC/CTLD管脚可优先控制CHG/DSG管脚输出yeC嘉泰姆
宽工作电压范围：3V - 26VyeC嘉泰姆
宽工作温度范围：-40°C～85°CyeC嘉泰姆
可级联使用yeC嘉泰姆
低功耗：yeC嘉泰姆
- 正常工作消耗电流：25μA (典型值)yeC嘉泰姆
- 低功耗模式消耗电流：4uA (典型值)yeC嘉泰姆
封装形式: 24-pin TSSOPyeC嘉泰姆
三,应用范围 (Applications)yeC嘉泰姆
四.下载产品资料PDF文档yeC嘉泰姆

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五,产品封装图 (Package)yeC嘉泰姆
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六.电路原理图yeC嘉泰姆

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七,功能概述yeC嘉泰姆
1. 正常工作状态yeC嘉泰姆
下列条件均满足时，CXPR7133 处于正常工作状态：yeC嘉泰姆
(1) 所有电芯电压均在过充电保护阈值电压 (VCV) 和过放电保护阈值电压 (VDV) 之间yeC嘉泰姆
(2) SENS 管脚上电压高于充电过流 1 保护阈值电压 (VCC1) 和充电过流 2 保护阈值电压 (VCC2)，同时低于放电过流 1 保yeC嘉泰姆
护阈值电压 (VDC1) 和放电过流 2 保护阈值电压 (VDC2)yeC嘉泰姆
(3) 系统温度位于高温保护阈值温度(TH)和低温保护阈值温度(TL)之间yeC嘉泰姆
(4) 无平衡发生yeC嘉泰姆
(5) 充放电 MOS 管处于开启状态yeC嘉泰姆
2. 过充电状态yeC嘉泰姆
当任意节电芯电压超过过充电检测电压 (VCV)，且此状态持续时间超过过充电检测延时 (tCD)，CXPR7133 系列芯片的yeC嘉泰姆
CHG 管脚输出高阻抗，此时 CHG 管脚会被外部电阻下拉到 PACK-从而关闭充电 MOS 管。上述状态被称之为过充电状态。CXPR7133 作为主控芯片使用时，下述任意条件满足时，过充电状态被解除：yeC嘉泰姆
(1) 当 CXPR7133 的 CHSE 管脚电压小于 VCHSE-M (未连接负载放电)，同时触发过充电保护的电芯电压小于过充电恢复yeC嘉泰姆
电压 (VCRV)yeC嘉泰姆
(2) 当 CXPR7133 的 CHSE 管脚电压大于 VCHSE-M (连接负载放电)，同时所有电芯电压小于过充电检测电压 (VCV)；CXPR7133 作为辅控芯片使用时，下述任意条件满足时，过充电状态被解除：yeC嘉泰姆
a. 触发过充电保护的电芯电压小于过充电恢复电压 (VCRV)yeC嘉泰姆
b. 当 CXPR7133 的 CHSE 管脚输入为低电平 (连接负载放电)，同时所有电芯电压小于过充电检测电压 (VCV)yeC嘉泰姆
3. 过放电状态yeC嘉泰姆
当任意节电芯电压小于过放电检测电压 (VDV)，且此状态持续时间超过过放电检测延时 (tDD)，CXPR7133 系列芯片的yeC嘉泰姆
DSG 管脚输出 GND 电平从而关闭放电 MOS 管。上述状态被称之为过放电状态。CXPR7133作为主控芯片使用时，下述任意条件满足时，过放电状态被解除 (系统未进入低功耗状态)：yeC嘉泰姆
(1) CXPR7133 的 CHSE 管脚电压高于 GND (未连接充电器充电)，同时触发过放电保护的电芯电压高于过放电恢复电yeC嘉泰姆
压 (VDRV)yeC嘉泰姆
(2) CXPR7133 的 CHSE 管脚电压小于 GND 且 CHG 管脚输出高电平 (连接充电器充电，且有充电电流)，同时所有电芯yeC嘉泰姆
电压高于过放电检测电压(VDV)；CXPR7133 作为辅控芯片使用时，下述任意条件满足时，过放电状态被解除 (系统未进入低功耗状态)：yeC嘉泰姆
(1) 触发过放电保护的电芯电压大于过放电恢复电压 (VDRV)yeC嘉泰姆
(2) 当CXPR7133的BALI管脚输入为低电平 (连接充电器充电，且有充电电流)，同时所有电芯电压高于过放电检测电压yeC嘉泰姆
(VDV)yeC嘉泰姆
4. 低功耗状态 (可选)CXPR7133 作为主控芯片使用时，当系统进入过放电保护状态后，CXPR7133 的 VM 管脚会被内部电阻 RVMD 上拉至 VDD 电yeC嘉泰姆
平。在上述情况下，若过放电保护状态持续时间超过 tPD，且 VM 管脚以及 CHSE 管脚电平高于 VDD/5 电平，CXPR7133系列芯片将关闭绝大部分内部电路，从而使自身功耗减小至 IPD。上述状态被称之为低功耗状态。主控芯片进入低功耗状态yeC嘉泰姆
后，CHG管脚输出高阻抗，DSG 管脚输出 GND 电平。CXPR7133 作为辅控芯片使用时，当系统进入过放电保护状态后，若过放电保护状态持续时间超过 tPD 且 CXPR7133 的yeC嘉泰姆
BALI 管脚为高电平，CXPR7133 系列芯片将关闭绝大部分内部电路，从而使自身功耗减小至 IPD。上述状态被称之为低功耗yeC嘉泰姆
状态。辅控芯片进入低功耗状态 6 后，CHG 管脚输出 VDD 电平，DSG 管脚输出 GND 电平。CXPR7133 作为主控芯片时，下述任意条件满足时低功耗状态被解除：yeC嘉泰姆
(1) VM 管脚电平小于 VDD/5yeC嘉泰姆
(2) CHSE 管脚电平小于 VDD/5CXPR7133 作为辅控芯片时，满足下述条件时低功耗状态被解除： (1) BALI 管脚输入电平为低电平 注释yeC嘉泰姆

6：CXPR7133作为辅控芯片使用时，芯片关闭充电MOSFET的安全保护状态禁止该芯片进入低功耗模式。yeC嘉泰姆
5. 放电过流保护状态yeC嘉泰姆
当系统放电电流超过一定值，亦即 SENS 管脚相对于 GND 电平超过放电过流 1 保护阈值电压 VDC1，且此状态持续时yeC嘉泰姆
间超过放电过流 1 保护延时 tID1，CXPR7133 系列芯片 DSG 管脚输出 GND 电平从而关闭放电通路。上述状态被称之为放电yeC嘉泰姆
过流 1 保护状态。在放电过流 1 保护状态中，CXPR7133 系列芯片的 CHG 管脚输出高阻抗 (通过外部下拉电阻) 关闭充电通yeC嘉泰姆
路，同时 VM 管脚会被系统内部电阻 RVMS 下拉至 GND 电平。CXPR7133 作为辅控芯片时，不具备放电过流保护功能。CXPR7133 系列芯片具备两级放电过流保护，放电过流 2 保护的动作与放电过流 1 保护一致。yeC嘉泰姆
当下述条件满足时，放电过流保护状态将被解除：yeC嘉泰姆
(1) CXPR7133系列芯片VM管脚电平低于VDD/10 (负载拔除)yeC嘉泰姆
6. 充电过流保护状态yeC嘉泰姆
当系统充电电流超过一定值，亦即 SENS 管脚相对于 GND 电平小于充电过电流 1 保护阈值电压 VCC1，且此状态持续yeC嘉泰姆
时间超过充电过流 1 保护延时 tIC1 后，CXPR7133 系列芯片 CHG 管脚会输出高阻抗 (通过外部下拉电阻) 关闭充电通路。上yeC嘉泰姆
述状态被称之为充电过流 1 保护状态。在充电过流 1 保护状态中，CXPR7133 系列芯片 DSG 管脚会输出 GND 电平从而关yeC嘉泰姆
闭放电通路，同时 VM 管脚会被系统内部电阻 RVMD 上拉至 VDD 电平。CXPR7133 作为辅控芯片时，不具备充电过流保护功能。CXPR7133 系列芯片具备两级充电过流保护，充电过流 2 保护的动作与充电过流 1 保护一致。yeC嘉泰姆
当下述条件满足时，充电过流保护状态将被解除：yeC嘉泰姆
(1) CXPR7133系列芯片CHSE管脚电平高于VCHSE-M (充电器拔除)yeC嘉泰姆
7. 0V充电功能 (可选)CXPR7133 系列芯片可选择是否使能 0V 充电功能 7，具体描述如下：yeC嘉泰姆
(1) 使能 0V 充电功能：当电池组总电压很低 (不小于 1V)，使用电压高于 V0CHA (0V 充电允许电压) 的充电器可向电池包yeC嘉泰姆
充电，依据充电 MOS 管开启电压不同，实际需要的充电器电压会有不同yeC嘉泰姆
(2) 禁止 0V 充电功能：当任意节电芯电压低于充电禁止电压 V0INH，不允许向电芯充电yeC嘉泰姆
注释7：级联使用时，CXPR7133不能保证 0V允许充电功能。yeC嘉泰姆
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