网友评论
我也评两句
评论：
CXMS5146采用先进的沟道技术和设计以低栅极电荷提供优秀的RSS（ON）是为锂离子电池保护电路而设计双N通道增强MOS场效应晶体管MOSFET1和MOSFET2的漏极是内部连接的沟槽技术超高密度电池设计极低阈值电压
查看原文
评分:
1分
2分
3分
4分
5分
平均得分:
0
分，共有
人参与评分
网友评论
本站网友 oumao18
ip:120.229.48.*
2025-05-28 02:18:24 发表
CXMS5146是双N通道增强MOS场效应晶体管，不需要连接电路板上的漏极，因为MOSFET1和MOSFET2的漏极是内部连接的。采用先进的沟道技术和设计，以低栅极电荷提供优秀的RSS（ON）。本装置是为锂离子电池保护电路而设计的。CXMS5146在DFN2X2-4L包中提供。标准产品CXMS5146不含铅和卤素 沟槽技术 超高密度电池设计 对更高直流电流具有优异的导通电阻 极低阈值电压
回复
支持
[
0
]
反对
[
0
]
网友评论仅供网友表达个人看法，并不表明本站同意其观点或证实其描述
我也评两句
用户名：
密码：
验证码：
还没有注册？
匿名发表
