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评论：CXMS5211 CXMS5219SG系列双P沟道增强型场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造用于减小通态电阻特别适合低电压超低导通电阻高密度电池设计
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本站网友 oumao18 ip:120.229.48.*
2025-05-21 09:29:42 发表
CXMS5211 CXMS5219SG系列双P沟道增强型场效应晶体管，采用高密度DMOS沟道技术制造，主要用于减小通态电阻。这个装置特别适合低电压。 l-30V/-6A RDS（开）=52mΩ@VGS=-10V，ID=-6A RDS（开）=67mΩ@VGS=-4.5V，ID=-4A 超低导通电阻高密度电池设计
 
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