产品概述 返回TOPYgD嘉泰姆

    CXSD62613集成PFM控制器及200V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源,固定输出电压。CXSD62613内置200V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能、静态电流2mA。该芯片提供了完整智能化保护功能,包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外CXSD62613的降频调制技术有助于改善EMI特性

   产品特点 返回TOPYgD嘉泰姆

■   内置200V高雪崩能力智能功率MOSFET YgD嘉泰姆

■   内置高压启动电路,双路输出,输出可预设YgD嘉泰姆

■   优化适用于14.5V输出非隔离应用YgD嘉泰姆

■   SIP9 半稳态稳定输出15W YgD嘉泰姆

■   改善EMI的降频调制技术 YgD嘉泰姆

■   优异的负载调整率和工作效率 YgD嘉泰姆

■   全面的保护功能 YgD嘉泰姆

2 过载保护（OLP） YgD嘉泰姆

2 过温保护（OTP） YgD嘉泰姆

2 欠压保护（UVLO） YgD嘉泰姆

   应用范围 返回TOPYgD嘉泰姆

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