CMOS技术开发的高纹波抑制CXLD6437低消耗电流正电压型稳压器低通态电阻晶体管温度保护电路

首页 > 新闻中心 > 行业新闻

发表时间：2020-06-16浏览次数：333

CMOS技术开发的高纹波抑制CXLD6437低消耗电流正电压型稳压器低通态电阻晶体管温度保护电路

一,产品概述(General Description) F1B嘉泰姆
CXLD6437系列是使用CMOS技术开发的高纹波抑制，低压差，F1B嘉泰姆
高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通F1B嘉泰姆
态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载F1B嘉泰姆
电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、温度F1B嘉泰姆
保护电路。此外，因采用SOT-89-3，SOT-23-3小型封装，故可高密F1B嘉泰姆
度安装。CXLD6437系列是使用CMOS技术开发的高纹波抑制，低压差，F1B嘉泰姆
高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。由于内置有低通态F1B嘉泰姆
电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。为了使负载电流F1B嘉泰姆
不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、温度保护电路。F1B嘉泰姆
此外，因采用SOT-89-3，SOT-23-3小型封装，故可高密度安装。F1B嘉泰姆
二.产品特点(Features)F1B嘉泰姆
可选择输出电压：可以在1.5～5.5V的范围内选择,并以0.1 V 为单位进级 F1B嘉泰姆
输出电压精度高：精度可达±2.0%（客户要求） F1B嘉泰姆
输入输出压差低：典型值250 mV (输出为3.0V的产品, IOUT=100mA时) F1B嘉泰姆
工作时消耗电流少：典型值60μA F1B嘉泰姆
输出电流大：可输出300mA（VIN≥VOUT+1v）F1B嘉泰姆
内置电源开/关控制电路：能够延长电池的使用寿命 F1B嘉泰姆
高纹波抑制率：典型值55dB (1.0 kHz 时) F1B嘉泰姆
内置保护 F1B嘉泰姆
采用小型封装：SOT-89-3L，SOT-23-3L，SOT-23-3B，SOT-353以及客户要求的封装 F1B嘉泰姆
三,应用范围 (Applications)F1B嘉泰姆
DVD 驱动器，CD-ROM 驱动器稳压电源F1B嘉泰姆
使用电池供电的设备的稳压电源F1B嘉泰姆
通信设备的稳压电源 F1B嘉泰姆
笔记本电脑用的稳压电源F1B嘉泰姆
四.下载产品资料PDF文档 F1B嘉泰姆

需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！F1B嘉泰姆

QQ截图20160419174301.jpg F1B嘉泰姆

五,产品封装图 (Package)F1B嘉泰姆

F1B嘉泰姆
六.电路原理图F1B嘉泰姆
F1B嘉泰姆

七,功能概述F1B嘉泰姆

项目F1B嘉泰姆	符号F1B嘉泰姆	条件F1B嘉泰姆		最小值F1B嘉泰姆	典型值F1B嘉泰姆	最大值F1B嘉泰姆	单位F1B嘉泰姆
*1F1B嘉泰姆输出电压F1B嘉泰姆	VOUT(E)1F1B嘉泰姆	VIN =VOUT(S)+1.0 V, IOUT=30 mAF1B嘉泰姆		VOUT(S)F1B嘉泰姆 ×0.99F1B嘉泰姆	VOUT(S)F1B嘉泰姆	VOUT(S)F1B嘉泰姆 ×1.01F1B嘉泰姆	VF1B嘉泰姆
*1F1B嘉泰姆输出电压F1B嘉泰姆	VOUT(E)2F1B嘉泰姆	VIN =VOUT(S)+1.0 V, IOUT=30 mAF1B嘉泰姆		VOUT(S)F1B嘉泰姆 ×0.98F1B嘉泰姆	VOUT(S)F1B嘉泰姆	VOUT(S)F1B嘉泰姆 ×1.02F1B嘉泰姆	VF1B嘉泰姆
*2F1B嘉泰姆输出电流F1B嘉泰姆	IOUTF1B嘉泰姆	VIN≥VOUT(S)+1.0 VF1B嘉泰姆		*5F1B嘉泰姆 300F1B嘉泰姆	—F1B嘉泰姆	—F1B嘉泰姆	mAF1B嘉泰姆
输入输出压差F1B嘉泰姆 *3F1B嘉泰姆	VdropF1B嘉泰姆	IOUT=100F1B嘉泰姆 mAF1B嘉泰姆	2.2 V ≤VOUT(S)≤2.5 VF1B嘉泰姆	—F1B嘉泰姆	0.30F1B嘉泰姆	0.49F1B嘉泰姆	VF1B嘉泰姆
			2.6 V ≤VOUT(S)≤3.3 VF1B嘉泰姆	—F1B嘉泰姆	0.25F1B嘉泰姆	0.34F1B嘉泰姆

3.4 V ≤VOUT(S)≤5.5 VF1B嘉泰姆	—F1B嘉泰姆	0.20F1B嘉泰姆	0.28F1B嘉泰姆
输入稳定度F1B嘉泰姆
DVOUT 1F1B嘉泰姆 DVIN ·VOUTF1B嘉泰姆	VOUT(S)+0.5 V ≤VIN≤7 VF1B嘉泰姆 IOUT=80 mAF1B嘉泰姆		—F1B嘉泰姆	0.05F1B嘉泰姆	0.2F1B嘉泰姆	%/VF1B嘉泰姆
负载稳定度F1B嘉泰姆	DVOUT2F1B嘉泰姆	VIN=VOUT(S)+1.0 VF1B嘉泰姆 1.0 mA ≤IOUT ≤80 mAF1B嘉泰姆		—F1B嘉泰姆	20F1B嘉泰姆	40F1B嘉泰姆	mVF1B嘉泰姆
输出电压F1B嘉泰姆 *4F1B嘉泰姆温度系数F1B嘉泰姆	DVOUTF1B嘉泰姆 DTa · VOUTF1B嘉泰姆	VIN=VOUT(S)+1.0 V, IOUT=10 mAF1B嘉泰姆 -40°C ≤ Ta ≤85°CF1B嘉泰姆		—F1B嘉泰姆	±100F1B嘉泰姆	—F1B嘉泰姆	ppm/℃F1B嘉泰姆
工作消耗电流F1B嘉泰姆	ISS1F1B嘉泰姆	VIN=VOUT(S)+1.0 V,F1B嘉泰姆		—F1B嘉泰姆	60F1B嘉泰姆	80F1B嘉泰姆	μAF1B嘉泰姆
输入电压F1B嘉泰姆	VINF1B嘉泰姆	——F1B嘉泰姆		2.0F1B嘉泰姆	—F1B嘉泰姆	7F1B嘉泰姆	VF1B嘉泰姆
纹波抑制率F1B嘉泰姆	\|PSRR\|F1B嘉泰姆	VIN=VOUT(S)+1.0 V，f=1.0 kHzF1B嘉泰姆 Vrip=0.5 Vrms, IOUT=30 mAF1B嘉泰姆		—F1B嘉泰姆	55F1B嘉泰姆	—F1B嘉泰姆	dBF1B嘉泰姆
短路电流F1B嘉泰姆	IshortF1B嘉泰姆	VIN=VOUT(S)+1.0 V,F1B嘉泰姆 VOUT=0 VF1B嘉泰姆		—F1B嘉泰姆	30F1B嘉泰姆	—F1B嘉泰姆	mAF1B嘉泰姆

八,相关产品F1B嘉泰姆

产品名称F1B嘉泰姆	工作电压(V)F1B嘉泰姆	输出电流(mA)F1B嘉泰姆	静态功耗(uA)F1B嘉泰姆	纹波抑制比(dB)F1B嘉泰姆	封装形式F1B嘉泰姆
CXLD6434F1B嘉泰姆	1.8-5.0F1B嘉泰姆	300F1B嘉泰姆	50F1B嘉泰姆	60@1KHzF1B嘉泰姆	SOT-23-5F1B嘉泰姆
CXLD6435F1B嘉泰姆	2.0-7.0F1B嘉泰姆	300F1B嘉泰姆	70F1B嘉泰姆	70@10KHzF1B嘉泰姆	SOT-23-5F1B嘉泰姆
CXLD6436F1B嘉泰姆	2.0-7.0F1B嘉泰姆	300F1B嘉泰姆	70F1B嘉泰姆	70@10KHzF1B嘉泰姆	SOT-23-5,SOT-353F1B嘉泰姆
CXLD6437F1B嘉泰姆	2.0-7.0F1B嘉泰姆	300F1B嘉泰姆	60F1B嘉泰姆	70@1KHzF1B嘉泰姆	SOT-89-3,SOT-23-3F1B嘉泰姆

上一篇：低压差CXLD6436高纹波抑制比70dB输出电压1.0～5.0V输出电压精度±2.0%过流保护内置泄流管

下一篇：高纹波抑制比低压差线性稳压器CXLD64258低通态电阻晶体管CMOS技术开发的高速高精度输出电压

发表评论

产品中心

电源管理

LED驱动电路

音频放大IC

电机风扇驱动芯片

MCU存储ADC时钟数据线

功率器件

隔离芯片

电池充电芯片

技术支持

产品方案

质量承诺

联系我们