CXLE83149是一款高功率因数、非隔离 LED 驱动芯 片。 它通过采用浮地、高端检测，降压式开关电 源的架构实现了全周期检测，具有优异的线性调整 度与负载调整度。CXLE83149 工作在准谐振模式， 同时使效率和抗电磁干扰的性能都得到提升。 CXLE83149 内部集成了多重的保护功能，比如过压 保护、过流保护、过温保护等等，提高了可靠性， 并且所有保护均具体自恢复功能。 CXLE83149的驱动能力与 芯片供给电压无关，这可以大大提高系统的抗电磁 干扰性能。
有源功率因数校正 （功率因数>0.9）
高精度的LED输出电流 (±3%)
优异的线性调整度和负载调整度 (±2%)
准谐振工作模式
多重保护机制
软启动功能
-
[ CXLE83149 ]
目录
7.相关产品
产品概述 返回TOP
CXLE83149 是一款高功率因数、非隔离 LED 驱动芯 片。 它通过采用浮地、高端检测，降压式开关电 源的架构实现了全周期检测，具有优异的线性调整 度与负载调整度。CXLE83149 工作在准谐振模式， 同时使效率和抗电磁干扰的性能都得到提升。 CXLE83149 内部集成了多重的保护功能，比如过压 保护、过流保护、过温保护等等，提高了可靠性， 并且所有保护均具体自恢复功能。 CXLE83149的驱动能力与 芯片供给电压无关，这可以大大提高系统的抗电磁 干扰性能。
产品特点 返回TOP
有源功率因数校正 （功率因数>0.9）
高精度的LED输出电流 (±3%)
优异的线性调整度和负载调整度 (±2%)
准谐振工作模式
多重保护机制
软启动功能
SOP8封装
应用范围 返回TOP
E27/PAR30/PAR38/GU10 灯具
T8/T10 LED灯管
其他LED驱动应用
技术规格书（产品PDF) 返回TOP
需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！
产品封装图 返回TOP
电路原理图 返回TOP
相关芯片选择指南 返回TOP 更多同类产品......
|
APFC非隔离AC-DC |
||||||
|
型 号 |
描 述 |
Vin(V) |
最大驱动能力 |
功率因数 |
调光方式 |
封装 |
|
内置550V MOS JFET启动 |
85~264VAC |
9W |
>0.9 |
N/A |
SOP7 |
|
|
内置550V MOSJFET启动 |
85~264VAC |
15W |
>0.9 |
N/A |
SOP7 |
|
|
内置550V MOS JFET启动 |
85~264VAC |
18W |
>0.9 |
N/A |
DIP7 |
|
|
内置600V MOS JFET启动 |
85~264VAC |
22W |
>0.9 |
N/A |
SOP7 |
|
|
外置MOS |
85~320VAC |
1A |
>0.9 |
N/A |
SOP8 |
|
|
内置550V MOS |
85~264VAC |
9W |
>0.9 |
N/A |
SOP8 |
|
|
内置550V MOS |
85~264VAC |
12W |
>0.9 |
N/A |
SOP8 |
|
|
内置550V MOS |
85~264VAC |
18W |
>0.9 |
N/A |
SOP8 |
|
|
内置600V MOS |
85~264VAC |
9W |
>0.9 |
N/A |
SOP8 |
|
|
外置MOS,超快启动(<0.1s) |
85~320VAC |
1A |
>0.9 |
N/A |
SOP8 |
|
|
外置MOS |
85~320VAC |
1A |
>0.9 |
PWM/Analog |
SOP8 |
|
◀ 上一篇:CXLE83148高功率因数非隔离LED驱动芯片工作在准谐振模式效率和抗电磁干扰的性能都得到提升过压过流保护过温补偿自恢复功能内置600V高压MOSFET
下一篇▶:CXLE83150单绕组电感供电软启动功能高精度的LED输出电流有源功率因数校正高功率因数非隔离LED驱动芯片高端检测降压式开关电源准谐振模式自恢复功能内置550V高压开关
