CXLE8413 CXLE8413是一款高精度原边反馈的 LED 恒流驱动芯片,适用于85Vac~265Vac 全范围输入电压、功率7W 以下的反激式隔离 LED 恒流电源。
     CXLE8413内置了高精度的采样、补偿电路,使得电路能够达到±3%以内的恒流精度,具有优异的线型调整率和负载调整率,并且通过 RADJ 引脚外接电阻可以方便地控制 LED 开路保护电压。
     CXLE8413内部集成了650V 功率 MOSFET,采用双绕组原边反馈模式,无需次级反馈电路,也无需补偿电路,加之精准稳定的自适应技术,使得系统外围结构十分简单,可在外围器件数量少,参数范围宽松的条件下实现高精度恒流控制,极大地节约了系统成本和体积,并且能够确保在批量生产时 LED 灯具参数的一致性。
     CXLE8413具有丰富的保护功能:输出开短路保护、采样电阻开短路保护、欠压保护、输出过压保护、过温自适应调节等。
内部集成650V功率管
±3%以内的系统恒流精度
原边反馈恒流控制,无需次级反馈电路
无需辅助绕组检测和供电,实现双绕组结构
LED 开路电压可通过外部电阻调整
芯片超低工作电流
宽输入电压
输出开短路保护
采样电阻开短路保护
输出过压保护
芯片供电欠压保护
过热自适应调节功能
简洁的系统拓补,外围器件极少
 
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[ CXLE8413 ]
 
目录
1.产品概述       2.产品特点     3.应用范围      4.技术规格书下载(产品PDF文档) 
5.产品封装图   6.电路原理图  7.功能概述      8.相关产品
一,产品概述(General Description)      ![]()
   CXLE8413是一款高精度原边反馈的 LED 恒流驱动芯片,适用于85Vac~265Vac 全范围输
入电压、功率7W 以下的反激式隔离 LED 恒流电源。
     CXLE8413内置了高精度的采样、补偿电路,使得电路能够达到±3%以内的恒流精度,具有
优异的线型调整率和负载调整率,并且通过 RADJ 引脚外接电阻可以方便地控制 LED 开路保
护电压。
     CXLE8413内部集成了650V 功率 MOSFET,采用双绕组原边反馈模式,无需次级反馈电路,
也无需补偿电路,加之精准稳定的自适应技术,使得系统外围结构十分简单,可在外围器件数
量少,参数范围宽松的条件下实现高精度恒流控制,极大地节约了系统成本和体积,并且能够
确保在批量生产时 LED 灯具参数的一致性。
     CXLE8413具有丰富的保护功能:输出开短路保护、采样电阻开短路保护、欠压保护、输出
过压保护、过温自适应调节等。
二.产品特点(Features)![]()
内部集成650V功率管
±3%以内的系统恒流精度
原边反馈恒流控制,无需次级反馈电路
无需辅助绕组检测和供电,实现双绕组结构
LED 开路电压可通过外部电阻调整
芯片超低工作电流
宽输入电压
输出开短路保护
采样电阻开短路保护
输出过压保护
芯片供电欠压保护
过热自适应调节功能
简洁的系统拓补,外围器件极少
三,应用范围 (Applications)![]()
LED 灯具
四.技术规格书下载(产品PDF)![]()
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五,产品封装图 (Package)![]()

| 
			 引脚号  | 
			
			 符号  | 
			
			 功能  | 
		
| 
			 1  | 
			
			 ISEN  | 
			
			 电流采样,外接电阻  | 
		
| 
			 2  | 
			
			 VDD  | 
			
			 工作电源  | 
		
| 
			 3  | 
			
			 GND  | 
			
			 电源地  | 
		
| 
			 4  | 
			
			 RADJ  | 
			
			 设置开路保护,外接电阻  | 
		
| 
			 5  | 
			
			 NC  | 
			
			 空脚  | 
		
| 
			 6  | 
			
			 NC  | 
			
			 空脚  | 
		
| 
			 7  | 
			
			 DRN  | 
			
			 功率 MOSFET 的漏端  | 
		
| 
			 8  | 
			
			 DRN  | 
			
			 功率 MOSFET 的漏端  | 
		
六.电路原理图![]()
七,功能概述![]()
| 
			 项目  | 
			
			 符号  | 
			
			 参数范围  | 
			
			 单位  | 
		
| 
			 电源电压  | 
			
			 VDD  | 
			
			 -0.3-20  | 
			
			 V  | 
		
| 
			 漏极电压  | 
			
			 VDRN  | 
			
			 -0.3-650  | 
			
			 V  | 
		
| 
			 电流采样端电压  | 
			
			 VISEN  | 
			
			 -0.3-6  | 
			
			 V  | 
		
| 
			 最大工作电流  | 
			
			 IDDMAX  | 
			
			 5  | 
			
			 mA  | 
		
| 
			 开路保护电压调节端  | 
			
			 VRADJ  | 
			
			 -0.3-6  | 
			
			 V  | 
		
| 
			 o  | 
			
			 Ptot  | 
			
			 0.45  | 
			
			 W  | 
		
| 
			 热阻结-环境  | 
			
			 Rthj-a  | 
			
			 145  | 
			
			 ℃/W  | 
		
| 
			 工作结温范围  | 
			
			 TJ  | 
			
			 -40-155  | 
			
			 ℃  | 
		
| 
			 存储温度范围  | 
			
			 TSTG  | 
			
			 -55-150  | 
			
			 ℃  | 
		
| 
			 ESD  | 
			
			 2,000  | 
			
			 V  | 
		
八,相关芯片选择指南![]()
| 
			 产品型号  | 
			
			 隔离/非隔离  | 
			
			 内置功率管  | 
			
			 封装形式  | 
			
			 功率范围  | 
			|
| 
			 Y  | 
			
			 MOSFET,650V/0.8A  | 
			
			 SOP-8  | 
			
			 5-7W  | 
			
			 (SOP-8)_CN  | 
		|
| 
			 Y  | 
			
			 MOSFET,650V/1.2A  | 
			
			 SOP-8  | 
			
			 7-9W  | 
			
			 (SOP-8)_CN  | 
		|
| 
			 Y  | 
			
			 MOSFET,650/2.0A  | 
			
			 DIP-7  | 
			
			 12-18W  | 
			
			 (DIP-7)_CN  | 
		|
| 
			 Y  | 
			
			 MOSFET,700V/3.0A  | 
			
			 SOP-8,DIP-7  | 
			
			 12-18W  | 
			
			 (SOP-8&DIP-7)_CN  | 
		|
| 
			 Y  | 
			
			 MOSFET,700V/4.0A  | 
			
			 DIP-7  | 
			
			 18-24W  | 
			
			 (DIP-7)_CN  | 
		|
| 
			 Y  | 
			
			 MOSFET,BJT  | 
			
			 SOP-8  | 
			
			 UP to 60W  | 
			
			 (SOP-8)_CN  | 
		|
| 头条信息 | 
|---|



