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CXSD62104双降压恒时同步的PWM控制器两个低损耗稳压器PWM1和PWM2的输出可以从2V调整到5.5V
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CXSD62104集成了双降压、恒定时间、同步PWM控制器(为每个通道驱动双N通道mosfet)和
两个低损耗稳压器以及各种保护装置集成到一个芯片中。PWM控制器降低电池的高电压以产生NB的低电压应用。PWM1和PWM2的输出可以从2V调整到5.5V通过设置一个从VOUTx到GND的电阻分压器。线性调节器为备用电源提供5V和3.3V输出

CXSD62104双降压恒时同步的PWM控制器两个低损耗稳压器PWM1和PWM2的输出可以从2V调整到5.5V
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产品简介

目录29G嘉泰姆

1.产品概述                       2.产品特点29G嘉泰姆
3.应用范围                       4.下载产品资料PDF文档 29G嘉泰姆
5.产品封装图                     6.电路原理图                   29G嘉泰姆
7.功能概述                        8.相关产品29G嘉泰姆

一,产品概述(General Description)         29G嘉泰姆

        The CXSD62104  integrates dual step-down, constant-ontime, synchronous29G嘉泰姆

PWM controllers (that drives dual N-channel MOSFETs for each channel) and29G嘉泰姆
two low drop-out regulators as well as various protections into a chip.The PWM29G嘉泰姆
controllers step down high voltage of a battery to generate low-voltage for NB29G嘉泰姆
applications. The output of PWM1 and PWM2 can be adjusted from 2V to 5.5V29G嘉泰姆
by setting a resistive voltage-divider from VOUTx to GND.The linear regulators29G嘉泰姆
provide 5V and 3.3V output for standby power supply. The linear regulators29G嘉泰姆

provide up to 100mA output current. When the PWMx output voltage is higher 29G嘉泰姆

than LDOx bypass threshold, the related LDOx regulator is shut off and its 29G嘉泰姆

output is connected to VOUTx by internal switchover MOSFET. It can save power dissipation.29G嘉泰姆
     The CXSD62104 provides excellent transient response and accurate DC 29G嘉泰姆

output voltage in either PFM or PWM Mode.In Pulse-Frequency Mode (PFM), 29G嘉泰姆

the CXSD62104 provides very high efficiency over light to heavy loads with 29G嘉泰姆

loading-modulated switching frequencies. The Forced-PWM mode works nearly 29G嘉泰姆

at constant frequency for low-noise requirements. The unique ultrasonic mode29G嘉泰姆

 maintains the switching frequency above 25KHz, which eliminates noise in audio applications.29G嘉泰姆

     The CXSD62104 is equipped with accurate sourcing cur-rent-limit, output29G嘉泰姆

under-voltage and output over-voltage protections, being perfect for NB 29G嘉泰姆

applications. A 1.7ms (typ.) digital soft-start can reduce the start-up current. 29G嘉泰姆

A soft-stop function actively discharges the output capaci-tors by the discharge 29G嘉泰姆

device. The CXSD62104 has individual enable controls for PWM channels and 29G嘉泰姆

LDOs. Pulling both ENPWM pin and ENLDO pin low shuts down the whole chip29G嘉泰姆

with low quiescent current close to zero.29G嘉泰姆
      The CXSD62104 is available in a TQFN4x4-24A package.29G嘉泰姆
二.产品特点(Features)29G嘉泰姆
Wide Input Voltage Range from 6V to 25V29G嘉泰姆
Provide 4 Independent Outputs with ±1.5% Accu-29G嘉泰姆
racy Over-Temperature29G嘉泰姆
- PWM1 Controller with Adjustable (2V to 5.5V) Out-put29G嘉泰姆
PWM2 Controller with Adjustable (2V to 5.5V) Out-put29G嘉泰姆
100mA Low Dropout Regulator (LDO5) with Fixed 5V Output29G嘉泰姆
100mA Low Dropout Regulator (LDO3) with Fixed 3.3V Output29G嘉泰姆
Excellent Line/Load Regulations about ±1.5% Over-Temperature Range29G嘉泰姆
±1%, (±1.5%, 50μA) 2.0V Reference Voltage Output29G嘉泰姆
Built-In POR Control Scheme Implemented29G嘉泰姆
Selectable Forced-PWM or Automatic PFM/PWM29G嘉泰姆
(with Selectable Ultrasonic Operation)29G嘉泰姆
Constant-On-Time Control Scheme with Frequency29G嘉泰姆
Compensation for PWM Mode29G嘉泰姆
Selectable Switching Frequency in PWM Mode29G嘉泰姆
Built-in Digital Soft-Start for PWM Outputs and Soft-29G嘉泰姆
Stop for PWM Outputs and LDO Outputs29G嘉泰姆
Integrated Bootstrap Forward P-CH MOSFET29G嘉泰姆
High Efficiency over Light to Full Load Range (PWMs)29G嘉泰姆
Built-in Power Good Indicators (PWMs)29G嘉泰姆
Independent Enable Inputs (PWMs, LDO)29G嘉泰姆

70% Under-Voltage and 125% Over-Voltage Protec-tions (PWM)29G嘉泰姆

Adjustable Current-Limit Protection (PWMs)29G嘉泰姆
- Using Sense Low-Side MOSFET’s RDS(ON)29G嘉泰姆
Over-Temperature Protection29G嘉泰姆
4mmx4mm Thin QFN-24 (TQFN4x4-24A) package29G嘉泰姆
Lead Free and Green Device Available (RoHS Compliant)
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三,应用范围 (Applications)29G嘉泰姆

Notebook and Sub-Notebook Computers29G嘉泰姆

Portable Devices29G嘉泰姆
DDR1, DDR2, and DDR3 Power Supplies29G嘉泰姆
3-Cell and 4-Cell Li+ Battery-Powered Devices29G嘉泰姆
Graphic Cards29G嘉泰姆
Game Consoles29G嘉泰姆
Telecommunications
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四.下载产品资料PDF文档 29G嘉泰姆

需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持29G嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpg29G嘉泰姆

五,产品封装图 (Package)29G嘉泰姆


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六.电路原理图29G嘉泰姆


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七,功能概述29G嘉泰姆


Input Capacitor Selection29G嘉泰姆
The input capacitor is chosen based on the voltage rating and the RMS current rating. For reliable operation, select29G嘉泰姆
the capacitor voltage rating to be at least 1.3 times higher than the maximum input voltage. The maximum RMS29G嘉泰姆
current rating requirement is approximately IOUT/2, where IOUT is the load current. During power up, the input capaci-tors have to handle large amount of surge current. In low-duty notebook appliactions, ceramic capacitors are29G嘉泰姆
remmended. The capacitors must be connected between the drain of high-side MOSFET and the source of low-29G嘉泰姆
side MOSFET with very low-impeadance PCB layout. 29G嘉泰姆
MOSFET Selection29G嘉泰姆
The application for a notebook battery with a maximum volt-age of 24V, at least a minimum 30V MOSFETs should29G嘉泰姆
be used. The design has to trade off the gate charge with the RDS(ON) of the MOSFET:29G嘉泰姆
· For the low-side MOSFET, before it is turned on, the body diode has been conducted. The low-side MOSFET29G嘉泰姆
driver will not charge the miller capacitor of this MOSFET.29G嘉泰姆
In the turning off process of the low-side MOSFET,the load current will shift to the body diode first. The29G嘉泰姆
high dv/dt of the phase node voltage will charge the miller capacitor through the low-side MOSFET driver29G嘉泰姆
sinking current path. This results in much less switching loss of the low-side MOSFETs. The duty29G嘉泰姆
cycle is often very small in high battery voltage applications, and the low-side MOSFET will con-29G嘉泰姆
duct most of the switching cycle; therefore, the less the RDS(ON) of the low-side MOSFET, the less the power29G嘉泰姆
loss. The gate charge for this MOSFET is usually a secondary consideration. The high-side MOSFET29G嘉泰姆
does not have this zero voltage switching condition, and because it conducts for less time29G嘉泰姆
compared to the low-side MOSFET, the switching loss tends to be dominant. Priority should be given29G嘉泰姆
to the MOSFETs with less gate charge, so that both the gate driver loss and switching loss will be minimized.29G嘉泰姆
The selection of the N-channel power MOSFETs are de-termined by the RDS(ON), reversing transfer capacitance29G嘉泰姆
(CRSS) and maximum output current requirement. The losses in the MOSFETs have two components: conduc-29G嘉泰姆
tion loss and transition loss. For the high-side and low-side MOSFETs, the losses are approximately given by29G嘉泰姆
the following equations:29G嘉泰姆
Layout Consideration29G嘉泰姆
In any high switching frequency converter, a correct layout is important to ensure proper operation of the regulator.29G嘉泰姆
With power devices switching at higher frequency, the resulting current transient will cause voltage spike across29G嘉泰姆
the interconnecting impedance and parasitic circuit elements. As an example, consider the turn-off transition29G嘉泰姆
of the PWM MOSFET. Before turn-off condition, the MOSFET is carrying the full load current. During turn-off,29G嘉泰姆
current stops flowing in the MOSFET and is freewheeling by the lower MOSFET and parasitic diode. Any parasitic29G嘉泰姆
inductance of the circuit generates a large voltage spike during the switching interval. In general, using short and29G嘉泰姆
wide printed circuit traces should minimize interconnect-ing impedances and the magnitude of voltage spike. And29G嘉泰姆
signal and power grounds are to be kept separating and finally combined to use the ground plane construction or29G嘉泰姆

single point grounding. The best tie-point between the signal ground and the power ground is at the negative29G嘉泰姆
side of the output capacitor on each channel, where there is less noise. Noisy traces beneath the IC are not29G嘉泰姆
recommended. Below is a checklist for your layout:29G嘉泰姆
Layout Consideration (Cont.)29G嘉泰姆
Keep the switching nodes (UGATEx, LGATEx, BOOTx,and PHASEx) away from sensitive small signal nodes29G嘉泰姆
(REF, ILIMx, and FBx) since these nodes are fast mov-ing signals. Therefore, keep traces to these nodes as29G嘉泰姆
short as possible and there should be no other weak signal traces in parallel with theses traces on any layer.29G嘉泰姆

Minimizing the impedance with wide layout plane be-tween the two pads reduces the voltage bounce of29G嘉泰姆

CXSD6210429G嘉泰姆

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Switching Regulator >   Buck Controller29G嘉泰姆

Part_No 29G嘉泰姆

Package 29G嘉泰姆

Archi29G嘉泰姆

tectu29G嘉泰姆

Phase29G嘉泰姆

No.of29G嘉泰姆

PWM29G嘉泰姆

Output29G嘉泰姆

Output 29G嘉泰姆

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(A) 29G嘉泰姆

Input29G嘉泰姆

Voltage (V) 29G嘉泰姆

Reference29G嘉泰姆

Voltage29G嘉泰姆

(V) 29G嘉泰姆

Bias 29G嘉泰姆

Voltage29G嘉泰姆

(V) 29G嘉泰姆

Quiescent29G嘉泰姆

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(uA) 29G嘉泰姆

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CXSD627329G嘉泰姆

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QFN4x4-1629G嘉泰姆

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CXSD627429G嘉泰姆

SOP-829G嘉泰姆

VM   29G嘉泰姆

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CXSD6274C29G嘉泰姆

SOP-829G嘉泰姆

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2.929G嘉泰姆

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CXSD627529G嘉泰姆

QFN4x4-2429G嘉泰姆

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CXSD627629G嘉泰姆

SOP-829G嘉泰姆

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CXSD6276A29G嘉泰姆

SOP-829G嘉泰姆

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CXSD6277/A/B29G嘉泰姆

SOP8|TSSOP829G嘉泰姆

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1.25|0.829G嘉泰姆

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CXSD627829G嘉泰姆

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-29G嘉泰姆

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-29G嘉泰姆

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CXSD6299|A29G嘉泰姆

SOP-8P29G嘉泰姆

VM29G嘉泰姆

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CXSD6210029G嘉泰姆

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CXSD62101|L29G嘉泰姆

TDFN3x3-1029G嘉泰姆

COT29G嘉泰姆

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CXSD6210229G嘉泰姆

TQFN3x3-1629G嘉泰姆

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VM29G嘉泰姆

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5~1229G嘉泰姆

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CXSD6210429G嘉泰姆

TQFN4x4-2429G嘉泰姆

COT29G嘉泰姆

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