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CXSD62100电压模式固定300kHz开关频率同步降压变换器上电复位(POR)电路监测VCC电源电压,以防止错误的逻辑控制。内置的软启动电路可防止输出电压过冲,并限制输入电流
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CXSD62100是一种电压模式,固定300kHz开关频率,同步降压变换器。允许宽输入电压为单个5~12V或两个电源电压CXSD62100允许宽输入电压,可以是单个5~12V或两个电源电压,适用于各种应用。上电复位(POR)电路监测VCC电源电压,以防止错误的逻辑控制。内置的软启动电路可防止输出电压过冲,并限制输入电流。为了满足低输出电压应用的要求,设计了一种高精度的0.6V温度补偿参考电压

CXSD62100电压模式固定300kHz开关频率同步降压变换器上电复位(POR)电路监测VCC电源电压,以防止错误的逻辑控制。内置的软启动电路可防止输出电压过冲,并限制输入电流
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产品简介

目录doq嘉泰姆

1.产品概述                       2.产品特点doq嘉泰姆
3.应用范围                       4.下载产品资料PDF文档 doq嘉泰姆
5.产品封装图                     6.电路原理图                   doq嘉泰姆
7.功能概述                        8.相关产品doq嘉泰姆

一,产品概述(General Description)     doq嘉泰姆


           The CXSD62100 is a voltage mode, fixed 300kHz witching frequency, synchronous buck converter. The CXSD62100 allows wide input voltage that is either a single 5~12V or two supply voltage(s) for various applications. A power-on-reset (POR) circuit monitors the VCC supply voltage to prevent wrong logic controls. A built-in soft-start circuit prevents the output voltages from overshoot as well as limits the input current. An internal 0.6V temperature-com-pensated reference voltage with high accuracy is de-signed to meet the requirement of low output voltage applications. The CXSD62100 provides excellent output volt-age regulations against load current variation. CXSD62100 is built in remote sense function for applications that re-quire remote sense. (TDFN-10 3mmx3mm Package Only)The controller’s over-current protection monitors the out-put current by using the voltage drop across the RDS (ON) of low-side MOSFET, eliminating the need for a cur-rent sensing resistor that features high efficiency and low cost. In addition, the CXSD62100 also integrates excel-lent protection functions. The over-voltage protection (OVP) , under-voltage protection (UVP). OVP circuit which moni-tors the FB voltage to prevent the PWM output from over voltage, and UVP circuit which monitors the FB voltage to prevent the PWM output from under voltage or short circuit.doq嘉泰姆
       The CXSD62100 is available in TDFN3x3-10 packagesdoq嘉泰姆
二.产品特点(Features)doq嘉泰姆


1.)Wide 5V to 12V Supply Voltagedoq嘉泰姆
2.)Power-On-Reset Monitoring on VCCdoq嘉泰姆
3.)Excellent Output Voltage Regulationsdoq嘉泰姆
      - 0.6V Internal Referencedoq嘉泰姆
      - ±0.6% Over-Temperature Rangedoq嘉泰姆
4.)Integrated Soft-Startdoq嘉泰姆
5.)Voltage Mode PWM Operation with External Compensationdoq嘉泰姆
6.)Up to 90% Duty Ratio for Fast Transient Responsedoq嘉泰姆
7.)Constant Switching Frequency - 300kHz ±10%doq嘉泰姆
8.)Integrated Bootstrap Forward P-CH MOSFETdoq嘉泰姆
9.)50% Under-Voltage Protectiondoq嘉泰姆
10.)125% Over-Voltage Protectiondoq嘉泰姆
11.)Adjustable Over-Current Protection Thresholddoq嘉泰姆
      - Using the RDS(ON) of Low-Side MOSFETdoq嘉泰姆
12.)Shutdown Control by COMPdoq嘉泰姆
13.)Power Good Monitoring (TDFN-10 3mmx3mm Package Only)doq嘉泰姆
14.)Remote Feedback Sense for Excellent Outputdoq嘉泰姆
15.)Voltage (TDFN-10 3mmx3mm Package Only) TDFN3x3-10 Packagedoq嘉泰姆
16.)Lead Free and Green Devices Availabledoq嘉泰姆
三,应用范围 (Applications)doq嘉泰姆


Graphic Cardsdoq嘉泰姆
DSL, Switch HUBdoq嘉泰姆
Wireless Landoq嘉泰姆
Notebook Computerdoq嘉泰姆
Mother Boarddoq嘉泰姆
LCD Monitor/TVdoq嘉泰姆
四.下载产品资料PDF文档 doq嘉泰姆


需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持doq嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgdoq嘉泰姆

五,产品封装图 (Package)doq嘉泰姆


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六.电路原理图doq嘉泰姆


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七,功能概述doq嘉泰姆


Layout Considerationdoq嘉泰姆
In any high switching frequency converter, a correct lay-out is important to ensure proper operation of thedoq嘉泰姆
regulator. With power devices switching at 300kHz,the resulting current transient will cause voltage spike acrossdoq嘉泰姆
the interconnecting impedance and parasitic circuit elements. As an example, consider the turn-off transitiondoq嘉泰姆
of the PWM MOSFET. Before turn-off, the MOSFET is car-rying the full load current. During turn-off, current stopsdoq嘉泰姆
flowing in the MOSFET and is free-wheeling by the lower MOSFET and parasitic diode. Any parasitic inductance ofdoq嘉泰姆
the circuit generates a large voltage spike during the switching interval. In general, using short and wide printeddoq嘉泰姆
circuit traces should minimize interconnecting imped ances and the magnitude of voltage spike. And signaldoq嘉泰姆
and power grounds are to be kept separate till combined using ground plane construction or single pointdoq嘉泰姆
grounding. Figure 8. illustrates the layout, with bold lines indicating high current paths; these traces must be shortdoq嘉泰姆
and wide. Components along the bold lines should be placed lose together. Below is a checklist for your layout:doq嘉泰姆
- Keep the switching nodes (UGATE, LGATE, and PHASE)away from sensitive small signal nodes since thesedoq嘉泰姆
nodes are fast moving signals. Therefore, keep traces to these nodes as short as possible.doq嘉泰姆
- The traces from the gate drivers to the MOSFETs (UG and LG) should be short and wide.doq嘉泰姆
- Place the source of the high-side MOSFET and the drain of the low-side MOSFET as close as possible. Minimiz-doq嘉泰姆
ing the impedance with wide layout plane between the two pads reduces the voltage bounce of the node.doq嘉泰姆
- Decoupling capacitor, compensation component, the resistor dividers, and boot capacitors should be closedoq嘉泰姆
their pins. (For example, place the decoupling ceramiccapacitor near the drain of the high-side MOSFET asdoq嘉泰姆
close as possible. The bulk capacitors are also placed near the drain).doq嘉泰姆
- The input capacitor should be near the drain of the up-per MOSFET; the output capacitor should be near thedoq嘉泰姆
loads. The input capacitor GND should be close to the output capacitor GND and the lower MOSFET GND.doq嘉泰姆
 The drain of the MOSFETs (VIN and PHASE nodes) should be a large plane for heat sinking.doq嘉泰姆
- The ROCSET resistance should be placed near the IC as close as possible.doq嘉泰姆

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