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CXMS5204是P通道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制作高密度工艺特别适合于最小化导通电阻蜂窝电话和笔记本电脑电源管理其他电池供电电路低在线功耗
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CXMS5204是一种P通道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高密度DMOS沟道技术制作。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些设备特别适用于低电压应用,如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理,其他电池供电电路,并要求低在线功耗。该产品是在一个非常小的轮廓表面安装包
z -20V/-3.3A, RDS(ON) = 36m-ohm (Typ.) @VGS = -10V
z -20V/-2.8A, RDS(ON) = 45m-ohm @VGS = -4.5V
z -20V/-2.3A, RDS(ON) = 55m-ohm @VGS = -1.8V
z Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
z Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

CXMS5204是P通道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制作高密度工艺特别适合于最小化导通电阻蜂窝电话和笔记本电脑电源管理其他电池供电电路低在线功耗
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产品简介

                          目录Xxb嘉泰姆

   1.产品概述      2.产品特点      3.应用范围     4.技术规格书下载(PDF文档)Xxb嘉泰姆

   5.产品封装      6.电路原理图     7.相关产品Xxb嘉泰姆

一.产品概述Xxb嘉泰姆


     CXMS5204 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management, other battery powered circuits, and low in-line power loss are required. The product is in a very small outline surface mount package. Xxb嘉泰姆

二.产品特点Xxb嘉泰姆


 z -20V/-3.3A, RDS(ON) = 36m-ohm (Typ.) @VGS = -10VXxb嘉泰姆

 z -20V/-2.8A, RDS(ON) = 45m-ohm @VGS = -4.5VXxb嘉泰姆

 z -20V/-2.3A, RDS(ON) = 55m-ohm @VGS = -1.8VXxb嘉泰姆

 z Super high density cell design for extremely low RDS(ON)Xxb嘉泰姆

 z Exceptional on-resistance and maximum DC current capabilityXxb嘉泰姆

 z SOT-23-3L package designXxb嘉泰姆

三.应用范围Xxb嘉泰姆


    Xxb嘉泰姆

四.技术规格书(产品PDF)Xxb嘉泰姆


需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!Xxb嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgXxb嘉泰姆

五.产品封装图Xxb嘉泰姆


blob.png  Xxb嘉泰姆

六.电路原理图Xxb嘉泰姆


   blob.pngXxb嘉泰姆
七.相关芯片选择指南     更多的同类产品......Xxb嘉泰姆


MOSFET
型号 说明
CXMS5207 30V/4A PMOS
CXMS5208A 5A PMOS
CXMS5209 5A/30V 双PMOS
CXMS5204 3.5A/ 20V PMOS
CXMS5205 4A/ 30V PMOS
CXMS5201 2A P MOS

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