产品信息查询
产品 技术 新闻 资料
首页 > 产品中心 > 功率器件 > P沟道MOSFETs >CXMS5176是P通道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造这种高密度工艺特别适合于最小化状态电阻适用于低压应用笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路的高压侧开关
CXMS5176是P通道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造这种高密度工艺特别适合于最小化状态电阻适用于低压应用笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路的高压侧开关
28

CXMS5176是P通道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高密度DMOS沟道技术制造。这种高密度工艺特别适合于最小化状态电阻。这些设备特别适用于低压应用,笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路的高压侧开关。
沟槽技术
超高密度电池设计
对更高直流电流具有优异的导通电阻

CXMS5176是P通道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高密度DMOS沟道技术制造这种高密度工艺特别适合于最小化状态电阻适用于低压应用笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路的高压侧开关
产品手册
样品申请

样品申请

产品简介

目录

   产品概述 返回TOPLxt嘉泰姆


The CXMS5176 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize onstate resistance. These devices are particularly suited for low voltage application, notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching.

   产品特点 返回TOPLxt嘉泰姆


 Trench Technology Lxt嘉泰姆

 Supper high density cell design Lxt嘉泰姆

 Excellent ON resistance for higher DC current Lxt嘉泰姆

 Small package SOT-23-3LLxt嘉泰姆

   应用范围 返回TOPLxt嘉泰姆


 Power Management in Note book Lxt嘉泰姆

 Portable Equipment Lxt嘉泰姆

 Battery Powered System Lxt嘉泰姆

 DC/DC Converter Lxt嘉泰姆

 Load SwitchLxt嘉泰姆

   技术规格书(产品PDF) 返回TOP Lxt嘉泰姆


     需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持Lxt嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgLxt嘉泰姆

产品封装图 返回TOPLxt嘉泰姆


blob.pngLxt嘉泰姆

电路原理图 返回TOPLxt嘉泰姆


blob.pngLxt嘉泰姆

相关芯片选择指南 返回TOP          更多同类产品.....


场效应晶体管 P沟道MOS管
Product Polarity Channel VDS VGS VGS(th) RDS(ON)@VGS=4.5V ID@TA=25oC Package Size
(Max.) (Max.) (Max.) (Typ.) (MAX.)
(V) (V) (V) (Ω) (A) (mm)(L×W)
CXMS5151 P 1 -20 ±8 -1 0.11 -1.4 SOT-323 2.1 x 2.3
CXMS5152 P 1 -12 ±12 -0.9 0.022 -5.1 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5153 P 1 -12 ±8 -0.9 0.031 -3.5 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5154 P 1 -12 ±8 -1 0.015 -7.4 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5155 P 1 -12 ±8 -0.9 0.08 -1.5 SOT-323 2.1 x 2.3
CXMS5156 P+Diode 1 -20 ±8 -0.8 - -2.9 DFN3020-8L 3.0 x 2.0
CXMS5156B P+Diode 1 -20 ±8 -0.8 - -2.7 DFN3020-8L 3.0 x 2.0
CXMS5157 P+Diode 1 -20 ±8 -1 0.09 -3 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5158D P 1 -20 ±12 -1 0.042 -4 DFN3030-8L 3.0 x 3.0
CXMS5159 P 1 -20 ±8 -0.9 0.05 -4.1 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5160 P 1 -20 ±8 -0.8 0.081 -2.2 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5161 P 1 -20 ±5 -0.9 0.48 -0.62 SOT-523 1.6 x 1.6
CXMS5162 P 1 -20 ±12 -1 0.056 -2.9 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5163 P 1 -20 ±5 -0.8 0.495 -0.6 SOT-723 1.2 x 1.2
CXMS5164 P 1 -20 ±12 -1 0.047 -3.3 SOT-23-6L 2.9 x 2.8
CXMS5165 P 1 -20 ±12 -1 0.096 -2.2 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5166 P 1 -20 ±5 -0.9 - -0.51 DFN1006-3L 1.0 x 0.6
CXMS5166B P 1 -20 ±5 -0.9 0.44 -0.51 DFN1006-3L 1.0 x 0.6
CXMS5167 P 1 -20 ±8 -1 0.017 -6.2 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5168 P 1 -20 ±12 -1 0.043 -4 SOT-23-3L 2.9 x 2.8
CXMS5169 P 1 -20 ±12 -1 0.043 -3.2 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5170 P 1 -20 ±8 -1 0.081 -2.4 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5171 P 1 -20 ±8 -1 0.052 -3.5 SOT-23-3L 2.9 x 2.8
CXMS5171A P 1 -20 ±12 -1 0.052 -3.5 SOT-23-3L 2.9 x 2.8
CXMS5172 P 1 -30 ±20 -2.5 0.079 -3.8 SOP-8L 4.9 x 6.0
CXMS5173 P 1 -30 ±20 -2.5 0.083 -4.1 SOT-23-3L 2.9 x 2.8
CXMS5174 P 1 -30 ±20 -2.5 0.08 -2.9 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5175 P 1 -30 ±20 -2.5 0.077 -3.1 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5176 P 1 -30 ±12 -1.5 0.043 -4.6 SOT-23-3L 2.9 x 2.8
CXMS5177 P 1 -30 ±20 -3 0.053 -3.7 SOT-23-3L 2.9 x 2.8
CXMS5178 Dual P 2 -30 ±12 -1.4 0.045 -5.6 SOP-8L 4.9 x 6.0
CXMS5179 Dual P 2 -30 ±20 -3 0.053 -5.5 SOP-8L 4.9 x 6.0
CXMS5180 P 1 -50 ±20 -2 3.5 -0.2 SOT-23 2.9 x 2.4
CXMS5181 P 1 -20 ±12 -1 0.025 -5.7 SOT-23-3 2.9 x 2.8
CXMS5182 P 1 -30 ±20 -3 0.053 -5.5 SOP-8L 4.9 x 6.0
CXMS5182A P 1 -30 ±20 -3 0.043 -5.4 SOP-8L 4.9 x 6.0
CXMS5183 Dual P 2 -20 ±8 -1 0.09 -3 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5184 Dual P 2 -20 ±12 -1 0.075 -3.1 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5185 Dual P 2 -20 ±12 -1 0.052 -3.7 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5186 Dual P 2 -20 ±6 -0.9 0.55 -0.56 SOT-563 1.6 x 1.6
CXMS5187 Dual P 2 -20 ±12 -2.5 0.07 -3.6 SOT-23-6L 2.9 x 2.8
CXMS5188 Dual P 2 -20 ±12 -2.5 0.07 -4.6 SOP-8L 4.9 x 6.0
CXMS5189 Dual P 2 -20 ±10 -1 0.08 -3.3 DFN2020-6L 2.0 x 2.0
CXMS5190 Dual P 2 -30 ±20 -2.5 0.07 -3.8 SOP-8L 4.9 x 6.0

发表评论
    共有条评论
    用户名: 密码:
    验证码: 匿名发表

热门信息
♦   CXLE86234 45V同步降压LED驱动器   ...
♦   CXHA3197锁存型霍尔开关传感器 -   ...
♦   CXHA31115宽电压线性霍尔传感器:-   ...
♦   CXLE86231 60V降压恒流驱动器1.5   ...
♦   CXBD3567高速驱动芯片25V宽压9A   ...
♦   【6A大电流】CXSD62667宽压同步   ...
♦   CXBD3534D高压驱动芯片:220V自举   ...
♦   宽压高效DC-DC降压芯片CXSD62674   ...
♦   CXBD3526 600V大电流悬浮驱动芯   ...
♦   CXLB74216开关充电技术提供1.1A   ...
  • 最新信息
    (1.)CXDC6584HV 100V集成MOS降压芯片   ...
    (2.)CXSD1018AH 100V低内阻MOSFET |    ...
    (3.)CXDC6574HV 120V降压恒压驱动器    ...
    (4.)CXPR7166 单节锂离子/聚合物电池   ...
    (5.)CXMD32126 双通道H桥电机驱动芯   ...
    (6.)CXMD32108R/S:高性能无霍尔三相无   ...
    (7.)CXLE86143 高功率因数无频闪线性   ...
    (8.)CXLE8278 高效升压型LED驱动IC |   ...
    (9.)CXSU63180 10A非同步升压转换器    ...
    (10.)CXLB73269太阳能供电双节锂电池   ...
    推荐信息
  • CXMS5181沟槽技术超高密度电池设   ...
  • CXMS5174极低阈值电压是P沟道增   ...
  • CXMS5172是P沟道增强MOS场效应晶   ...
  • CXMS5168是极低阈值电压P沟道增   ...
  • CXMS5162是P沟道增强MOS场效应晶   ...
  • CXMS5154是P沟道增强MOS场效应晶   ...
  • CXCP5395A0003MR-CXCP5395A0003P   ...
  • CXCP5378 uses advanced trench    ...
  • CXCP5386 uses advanced trench    ...
  • CXCP5375 CXCP5375B先进的沟道技   ...

  • [/e:loop]
    相关文章
    ♦ 30V P沟道增强型MOS场效应管CXMS   ...
    ♦ 用于笔记本电脑的电源管理系统便   ...
    ♦ CXMS5261电源管理小功率驱动等高   ...
    ♦ 常用于LED显示器,笔记本电脑便携   ...
    ♦ 极低的导通电阻高密度的单元设计   ...
    ♦ CXMS5268 TFT屏数码相机便携式   ...
    ♦ 极低的导通电阻高密度的单元设计   ...
    ♦ 18V P沟道增强型MOS场效应管CXMS   ...
    ♦ CXMS5248 P-channel enhancemen   ...
    ♦ The CXMS5231 uses advanced tre   ...
    头条信息