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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CX16P12D,advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages
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The CX16P12D uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications.

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET CX16P12D,advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages
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   产品概述 返回TOPYW0嘉泰姆


The CX16P12D uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications.

   产品特点 返回TOPYW0嘉泰姆


● VDS = -12V,ID = -16A YW0嘉泰姆

RDS(ON) < 22mΩ @ VGS=-2.5V YW0嘉泰姆

RDS(ON) < 18mΩ @ VGS=-4.5V YW0嘉泰姆

● Advanced trench MOSFET process technology YW0嘉泰姆

● Ultra low on-resistance with low gate chargeYW0嘉泰姆

   应用范围 返回TOPYW0嘉泰姆


● PWM applications YW0嘉泰姆

● Load switch YW0嘉泰姆

● Battery charge in cellular handsetYW0嘉泰姆

   技术规格书(产品PDF) 返回TOP YW0嘉泰姆


     需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持YW0嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgYW0嘉泰姆

产品封装图 返回TOPYW0嘉泰姆


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电路原理图 返回TOPYW0嘉泰姆


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