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CXHA3128基于混合信号CMOS技术无极性霍尔开关内嵌的受控时钟机制来为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源磁开关点的高灵敏度高稳定性无极性的开关抗机械应力强
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CXHA3128 CXHA3129 CXHA3130是一款基于混合信号CMOS 技术的无极性
霍尔开关,这款IC 采用了先进的斩波稳定技术,因而能够提供准确而稳定的磁开关
点。在电路设计上,CXHA3128 CXHA3129 CXHA3130提供了一个内嵌的受控时钟机
制来为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源,同时这个受控时钟机制可以发出控
制信号使得消耗电流较大的电路周期性的进入“休眠”模式;同样通过这个机制,芯片
被周期性的“唤醒”并且根据预定好的磁场强度阈值检测外界穿过霍尔器件磁场强度的
大小。如果磁通密度高于“操作点”阈值或者低于“释放点”阈值,则开漏输出晶体管被驱
动并锁存成与之相对应的状态。而在“休眠”周期中,输出晶体管被锁定在其先前
的状态下。在电池供电应用中,这种设计对于延长工作寿命提供了最好支持。
CXHA3128 CXHA3129 CXHA3130的输出晶体管在面向封装标示一面存在一定强南
极或北极磁场时被锁定在开状态,而在无磁场时锁定在关状态。CXHA3128比
CXHA3129具有更高的磁场感应灵敏度,可实用于安防系统、感应磁体较小的场合。
2.0-5.5V 电池应用
磁开关点的高灵敏度高稳定性
抗机械应力强
数字输出信号
无极性的开关
工作电压=1.65-6.0V
平均电流=3uA
极性及输出方式: 无极性触发,NMOS开漏输出
磁场特性: Bops=1.5mT,Bopn=1.5mT,Brps=1.1mT,Brpn=1.1mT,Bhys=0.4mT

CXHA3128基于混合信号CMOS技术无极性霍尔开关内嵌的受控时钟机制来为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源磁开关点的高灵敏度高稳定性无极性的开关抗机械应力强
产品手册
样品申请

样品申请

产品简介

一,产品概述(General Description)         Hqf嘉泰姆
          CXHA3128 CXHA3129 CXHA3130是一款基于混合信号CMOS 技术的无极性Hqf嘉泰姆
霍尔开关,这款IC 采用了先进的斩波稳定技术,因而能够提供准确而稳定的磁开关Hqf嘉泰姆
点。在电路设计上,CXHA3128 CXHA3129 CXHA3130提供了一个内嵌的受控时钟机Hqf嘉泰姆
制来为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源,同时这个受控时钟机制可以发出控Hqf嘉泰姆
制信号使得消耗电流较大的电路周期性的进入“休眠”模式;同样通过这个机制,芯片Hqf嘉泰姆
被周期性的“唤醒”并且根据预定好的磁场强度阈值检测外界穿过霍尔器件磁场强度的Hqf嘉泰姆
大小。如果磁通密度高于“操作点”阈值或者低于“释放点”阈值,则开漏输出晶体管被驱Hqf嘉泰姆
动并锁存成与之相对应的状态。而在“休眠”周期中,输出晶体管被锁定在其先前Hqf嘉泰姆
的状态下。在电池供电应用中,这种设计对于延长工作寿命提供了最好支持。Hqf嘉泰姆
CXHA3128 CXHA3129 CXHA3130的输出晶体管在面向封装标示一面存在一定强南
Hqf嘉泰姆

极或北极磁场时被锁定在开状态,而在无磁场时锁定在关状态。CXHA3128比Hqf嘉泰姆

CXHA3129具有更高的磁场感应灵敏度,可实用于安防系统、感应磁体较小的场合。Hqf嘉泰姆

二.产品特点(Features)Hqf嘉泰姆
2.0-5.5V 电池应用 Hqf嘉泰姆
磁开关点的高灵敏度高稳定性 Hqf嘉泰姆
抗机械应力强 Hqf嘉泰姆
数字输出信号 Hqf嘉泰姆
无极性的开关 Hqf嘉泰姆
工作电压=1.65-6.0V Hqf嘉泰姆
平均电流=3uA Hqf嘉泰姆
极性及输出方式: 无极性触发,NMOS开漏输出 Hqf嘉泰姆
磁场特性: Bops=1.5mT,Bopn=1.5mT,Brps=1.1mT,Brpn=1.1mT,Bhys=0.4mT Hqf嘉泰姆
封装形式: SOT-23-3,TSOT-23-3,TO-92,TO-92S Hqf嘉泰姆
三,应用范围 (Applications)Hqf嘉泰姆
移动电话 Hqf嘉泰姆
笔记本电脑 Hqf嘉泰姆
便携电子设备等 Hqf嘉泰姆
四.下载产品资料PDF文档 
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 QQ截图20160419174301.jpgHqf嘉泰姆

五,产品封装图 (Package)Hqf嘉泰姆

Hqf嘉泰姆
六.电路原理图Hqf嘉泰姆
blob.png
Hqf嘉泰姆

七,功能概述Hqf嘉泰姆

符号Hqf嘉泰姆

参数Hqf嘉泰姆

测试条件Hqf嘉泰姆

最小Hqf嘉泰姆

典型Hqf嘉泰姆

最大Hqf嘉泰姆

单位Hqf嘉泰姆

VDDHqf嘉泰姆

供电电压Hqf嘉泰姆

Hqf嘉泰姆

2.0Hqf嘉泰姆

Hqf嘉泰姆

5.5Hqf嘉泰姆

VHqf嘉泰姆

ISAVGHqf嘉泰姆

平均供电电流Hqf嘉泰姆

 

1Hqf嘉泰姆

3Hqf嘉泰姆

10Hqf嘉泰姆

uAHqf嘉泰姆

ISOPAVGHqf嘉泰姆

操作时间内平均电流Hqf嘉泰姆

 

0.5Hqf嘉泰姆

2.0Hqf嘉泰姆

3.5Hqf嘉泰姆

mAHqf嘉泰姆

ISOPTHqf嘉泰姆

操作时间内峰值电流Hqf嘉泰姆

     

4.5Hqf嘉泰姆

mAHqf嘉泰姆

ISSTBHqf嘉泰姆

关状态时供电电流Hqf嘉泰姆

 

1Hqf嘉泰姆

1.9Hqf嘉泰姆

8Hqf嘉泰姆

uAHqf嘉泰姆

VQSATHqf嘉泰姆

输出饱和电压Hqf嘉泰姆

IOUT=1mAHqf嘉泰姆

 

0.13Hqf嘉泰姆

0.4Hqf嘉泰姆

VHqf嘉泰姆

IQLEAKHqf嘉泰姆

输出漏电流Hqf嘉泰姆

   

0.01Hqf嘉泰姆

1Hqf嘉泰姆

uAHqf嘉泰姆

trHqf嘉泰姆

输出上升沿时间Hqf嘉泰姆

RL=2.7KΩ CL=10pFHqf嘉泰姆

 

0.5Hqf嘉泰姆

1Hqf嘉泰姆

usHqf嘉泰姆

rfHqf嘉泰姆

输出下降沿时间Hqf嘉泰姆

RL=2.7KΩ CL=10pFHqf嘉泰姆

 

0.1Hqf嘉泰姆

1Hqf嘉泰姆

usHqf嘉泰姆

topHqf嘉泰姆

工作时间Hqf嘉泰姆

 

25Hqf嘉泰姆

100Hqf嘉泰姆

160Hqf嘉泰姆

usHqf嘉泰姆

tstbHqf嘉泰姆

关状态工作时间Hqf嘉泰姆

 

60Hqf嘉泰姆

140Hqf嘉泰姆

240Hqf嘉泰姆

msHqf嘉泰姆

top/tstbHqf嘉泰姆

占空比Hqf嘉泰姆

   

0.071Hqf嘉泰姆

 

%Hqf嘉泰姆

tstuHqf嘉泰姆

芯片启动时间Hqf嘉泰姆

   

12Hqf嘉泰姆

20Hqf嘉泰姆

usHqf嘉泰姆

八,相关产品Hqf嘉泰姆


产品名称Hqf嘉泰姆

工作电压(V)Hqf嘉泰姆

平均电流(uA)Hqf嘉泰姆

极性及输出方式Hqf嘉泰姆

磁场特性Hqf嘉泰姆

封装形式Hqf嘉泰姆

CXHA3128Hqf嘉泰姆

1.65-6.0Hqf嘉泰姆

3Hqf嘉泰姆

无极性触发,NMOS开漏输出Hqf嘉泰姆

Bops=1.5mT,Bopn=1.5mT,Brps=1.1mT,Brpn=1.1mT,Bhys=0.4mTHqf嘉泰姆

SOT-23-3,TSOT-23-3,TO-92,TO-92SHqf嘉泰姆

CXHA3129Hqf嘉泰姆

1.65-6.0Hqf嘉泰姆

3Hqf嘉泰姆

无极性触发,NMOS开漏输出Hqf嘉泰姆

Bops=3.5mT,Bopn=3.5mT,Brps=2.7mT,Brpn=2.6mT,Bhys=0.8mTHqf嘉泰姆

SOT-23-3,TSOT-23-3,TO-92SHqf嘉泰姆

CXHA3130Hqf嘉泰姆

2.4-5.5Hqf嘉泰姆

4Hqf嘉泰姆

无极性触发,CMOS输出Hqf嘉泰姆

Bops=3.0mT,Bopn=3.0mT,Brps=2.0mT,Brpn=2.0mT,Bhys=1.0mTHqf嘉泰姆

SOT-553,SOT-23-3LHqf嘉泰姆

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