CXLE82112是用作 N 型功率 MOSFET 和 IGBT 等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独 立的半桥驱动电路。 内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声 干扰。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。 此外，它还具有欠压保护和过流保护功能，出现异常时 立即关断六通道输出。
高端悬浮自举电源设计，耐压可达 600V
适应 5V 或者 3.3V 输入电压
输出电流能力+0.2A/-0.35A
欠压保护
使能控制
输入输出相反
过流保护关断六通道输出
集成三个独立的半桥驱动器
内建死区控制电路
自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通
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[ CXLE82112 ]"
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CXLE82112 是用作 N 型功率 MOSFET 和 IGBT 等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独 立的半桥驱动电路。 内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声 干扰。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。 此外，它还具有欠压保护和过流保护功能，出现异常时 立即关断六通道输出。
产品特点 返回TOP
高端悬浮自举电源设计，耐压可达 600V
适应 5V 或者 3.3V 输入电压
输出电流能力+0.2A/-0.35A
欠压保护
使能控制
输入输出相反
过流保护关断六通道输出
集成三个独立的半桥驱动器
内建死区控制电路
自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通
封装形式：SOP28L
应用范围 返回TOP
三相电机驱动
DC-AC 逆变
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MOSFET驱动芯片 |
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|
型号 |
工作型号 |
电流 |
封装 |
说明 |
|
3V～30V |
1A |
SOP-8 |
单通道MOS驱动 |
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|
8V～30V |
SOP-8 |
半桥驱动芯片 |
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|
3V~30V |
1A |
SOP-8 |
单通道功率MOSFET驱动芯片 |
|
|
11V～30V |
SOP8 |
大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片 |
||
|
11V～30V |
SOP-8 |
大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片 |
||
|
10V-15V |
SOP-8 |
大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片 |
||
|
2.8V-20V |
1A/1.5A |
SOP-8 |
大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片 |
|
|
2.8V-20V |
1A/1.5A |
SOP-8 |
大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片 |
|
|
5V 3.3V |
0.2A/-0.35A |
SOP28L |
三相半桥电路驱动芯片 |
|
|
4.5V-20V |
1.2A/-1.4A |
TSSOP20 |
三相半桥驱动芯片 |
|
|
2.8V-20V |
1.8A/-1.8A |
SOP28L |
两相半桥驱动芯片 |
|
