CXLE82108是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电 路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器 中的驱动电路。CXLE82108 高端的工作电压可达100V，Vcc 的电源电压范围宽11V～30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具 有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道LIN内建了上拉5V高电位和HIN 内建了一个10K 下拉电阻， 在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构
高端悬浮自举电源设计，耐压可达100V
内建死区控制电路
自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通
采用半桥达林顿管输出结构具有1A 大电流栅极驱动能力
专用于无刷电机N 沟道MOS 管、IGBT 管栅极驱动
HIN 输入通道高电平有效，控制高端HO 输出
LIN 输入通道低电平有效，控制低端LO 输出
外围器件少
静态电流小：4.5mA
-
[ CXLE82108 ]"
目录
7.相关产品
产品概述 返回TOP
CXLE82108 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电 路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器 中的驱动电路。
CXLE82108 高端的工作电压可达100V，Vcc 的电源电压范围宽11V～30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具 有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道LIN内建了上拉5V高电位和HIN 内建了一个10K 下拉电阻， 在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用SOP8 封装。
产品特点 返回TOP
高端悬浮自举电源设计，耐压可达100V
内建死区控制电路
自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通
采用半桥达林顿管输出结构具有1A 大电流栅极驱动能力
专用于无刷电机N 沟道MOS 管、IGBT 管栅极驱动
HIN 输入通道高电平有效，控制高端HO 输出
LIN 输入通道低电平有效，控制低端LO 输出
外围器件少
静态电流小：4.5mA
封装形式：SOP-8
应用范围 返回TOP
电动摩托车控制器
电动自行车控制器
100V 降压型开关电源
变频水泵控制器
无刷电机驱动器
高压Class-D 类功放
技术规格书（产品PDF) 返回TOP
需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！
产品封装图 返回TOP
电路原理图 返回TOP
相关芯片选择指南 返回TOP 更多同类产品.....
|
MOSFET驱动芯片 |
||||
|
型号 |
工作型号 |
电流 |
封装 |
说明 |
|
3V～30V |
1A |
SOP-8 |
单通道MOS驱动 |
|
|
8V～30V |
SOP-8 |
半桥驱动芯片 |
||
|
3V~30V |
1A |
SOP-8 |
单通道功率MOSFET驱动芯片 |
|
|
11V～30V |
SOP8 |
大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片 |
||
|
11V～30V |
SOP-8 |
大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片 |
||
|
10V-15V |
SOP-8 |
大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片 |
||
|
2.8V-20V |
1A/1.5A |
SOP-8 |
大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片 |
|
|
2.8V-20V |
1A/1.5A |
SOP-8 |
大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片 |
|
|
5V 3.3V |
0.2A/-0.35A |
SOP28L |
三相半桥电路驱动芯片 |
|
|
4.5V-20V |
1.2A/-1.4A |
TSSOP20 |
三相半桥驱动芯片 |
|
|
2.8V-20V |
1.8A/-1.8A |
SOP28L |
两相半桥驱动芯片 |
|
