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CXLB7393 高精度锂电池均衡管理芯片 - 支持多节电池组平衡控制 | JTM-IC
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CXLB7393是一款内置高精度电压检测电路和延迟电路的专用芯片,专门用于多节电池组中的单节锂离子电池充电平衡控制。该芯片通过实时监测每节电池的电压状态,智能控制充放电过程,确保电池组中各单体电池的电压均衡,从而延长整体电池组的使用寿命并提升安全性。

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产品简介

CXLB7393:高精度多节锂电池组均衡管理芯片

        随着电动汽车、储能系统和便携式电子设备的快速发展,多节锂电池组的安全性与循环寿命已成为行业关注的焦点。CXLB7393作为一款专为多节电池组设计的单节锂离子电池充电平衡控制芯片,以其高精度电压检测、超低功耗和紧凑封装,为电池管理系统提供了可靠的均衡解决方案。ckg嘉泰姆

产品概述

CXLB7393是一款内置高精度电压检测电路和延迟电路的专用芯片,专门用于多节电池组中的单节锂离子电池充电平衡控制。该芯片通过实时监测每节电池的电压状态,智能控制充放电过程,确保电池组中各单体电池的电压均衡,从而延长整体电池组的使用寿命并提升安全性。ckg嘉泰姆

芯片采用先进的电路设计,在工作模式下典型耗电流仅为2.5μA,待机模式下最大耗电流不超过0.5μA,极大降低了系统功耗。其宽工作温度范围(-40℃~+85℃)确保在严苛环境下仍能稳定工作,满足工业级应用需求。ckg嘉泰姆

核心特性与优势

高精度电压检测

CXLB7393集成了高精度的电压检测电路,提供多重电压阈值保护:ckg嘉泰姆

•   过充电检测电压范围:3.200~4.000V,精度可达±25mVckg嘉泰姆

•   过充电释放电压范围:3.000~4.000V,精度±35mVckg嘉泰姆

•   待机检测电压:典型值2.70Vckg嘉泰姆

•   内部集成过充电检测延迟电路,典型延迟时间250msckg嘉泰姆

超低功耗设计

•   工作模式:典型值2.5μA,最大值3.5μA(VDD=3.2V)ckg嘉泰姆

•   待机模式:最大值0.5μA(VDD=2.0V)ckg嘉泰姆

•   低功耗特性特别适合需要长期待机的便携设备ckg嘉泰姆

灵活的MOSFET驱动配置

CXLB7393提供两种输出配置版本,满足不同系统架构需求:ckg嘉泰姆

•   CXLB7393-xxxA系列:驱动N-MOSFET,OUT输出状态L→H有效ckg嘉泰姆

•   CXLB7393-xxxB系列:驱动P-MOSFET,OUT输出状态H→L有效ckg嘉泰姆

紧凑封装与环保认证

•   采用SOT-23-6小型封装,节省PCB空间ckg嘉泰姆

•   符合无卤素绿色环保标准,满足RoHS要求ckg嘉泰姆

电气特性与性能参数

CXLB7393在宽电压范围(1.5V~8V)内保持稳定工作,其关键电气参数包括:ckg嘉泰姆

•   过充电检测延迟时间:200ms~300ms(典型值250ms)ckg嘉泰姆

•   OUT端子输出高电压:VDD-0.02V(典型值)ckg嘉泰姆

•   OUT端子输出低电压:0.1V(典型值)ckg嘉泰姆

•   容许功耗:250mWckg嘉泰姆

芯片的电压检测精度在-5℃~55℃温度范围内得到保证,确保在不同环境条件下都能提供可靠的电池保护。ckg嘉泰姆

典型应用电路

CXLB7393的应用电路设计简洁高效,主要外围元件包括:ckg嘉泰姆

•   限流电阻(R1-5):100Ω~200Ω,用于稳定VDD电压并增强ESD保护ckg嘉泰姆

•   滤波电容(C1-5):0.01μF~1.0μF,推荐使用0.1μF典型值ckg嘉泰姆

•   平衡控制MOSFET(Q1-5):根据芯片型号选择N-MOSFET或P-MOSFETckg嘉泰姆

•   泄流电阻(RB1-5):合理选择阻值,避免充电过流现象ckg嘉泰姆

设计注意事项

•   限流电阻值不宜过大,否则会影响检测电压精度并可能导致VDD-VSS端子间电压超限ckg嘉泰姆

•   泄流电阻值不宜过小,防止电池电压超过过充检测电压时产生过大充电电流ckg嘉泰姆

•   滤波电容值不应小于0.01μF,确保VDD电压稳定ckg嘉泰姆

工作状态说明

正常工作状态

CXLB7393持续监测VDD和VSS之间的电池电压,根据电压状态控制平衡动作:ckg嘉泰姆

•   当电池电压超过过充电检测电压(Vcu)时,OUT端子输出相应电平控制MOSFET导通ckg嘉泰姆

•   当电池电压低于过充电释放电压(Vcr)时,OUT端子输出相反电平关闭MOSFETckg嘉泰姆

过充电状态与平衡控制

在充电过程中,一旦电池电压超过Vcu并持续超过检测延迟时间(Toc),芯片进入过充电状态并启动平衡控制:ckg嘉泰姆

•   A系列芯片:驱动N-MOSFET,OUT电平L→H变化打开MOSFETckg嘉泰姆

•   B系列芯片:驱动P-MOSFET,OUT电平H→L变化打开MOSFETckg嘉泰姆

当电池电压降至释放电压Vcr以下时,芯片相应关闭MOSFET,停止平衡动作。ckg嘉泰姆

待机状态

在放电过程中,当电池电压降至待机检测电压(VsB)以下时,芯片进入待机状态,耗电流降至待机水平,最大限度节省能耗。ckg嘉泰姆

应用领域

CXLB7393特别适用于以下应用场景:ckg嘉泰姆

•   多节磷酸铁锂可再充电电池组ckg嘉泰姆

•   电动工具电池管理系统ckg嘉泰姆

•   储能系统电池均衡ckg嘉泰姆

•   电动自行车/摩托车电池包ckg嘉泰姆

•   工业备用电源系统ckg嘉泰姆

封装与供货信息

CXLB7393采用标准SOT-23-6封装,提供 Tape & Reel 包装形式,适合自动化生产线。JTM-IC提供完整的技术文档、应用笔记和参考设计,协助客户快速完成产品开发和量产。ckg嘉泰姆

结语

CXLB7393以其高精度、低功耗和可靠性,为多节锂电池组提供了专业的均衡管理解决方案。无论是对于磷酸铁锂电池组还是其他锂离子电池组,该芯片都能有效提升电池组的整体性能和循环寿命,是电池管理系统设计的理想选择。ckg嘉泰姆

如需了解更多关于CXLB7393的产品信息、样品申请技术支持,请访问JTM-IC官方网站 jtm-ic.com,我们的技术团队将为您提供专业支持。ckg嘉泰姆


文章作者:JTM-IC技术团队ckg嘉泰姆
版权声明:本文原创首发于jtm-ic.com,转载请注明出处。
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