CXDR7551系列是高精度, 低功耗, 采用CMOS工艺和激光微调技术生产的电压检测器。CXDR7551 CXDR7552系列的电压检测引脚端子和芯片工作电压输入引脚端子是相互独立的,使得该芯片系列也可以检测其他的电压源。 由于该系列芯片的检测电压端子和芯片工作电压输入端子相互独立,即使当检测电压变为零时,该芯片的输出仍维持在一个稳定的输出状态。CXDR7551 CXDR7552系列内置延迟电路,通过外部电容可以任意设定IC延迟时间值。有CMOS和N沟道开沟两种输出模式供选择
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CXDR7551 CXDR7552系列是高精度, 低功耗, 采用CMOS工艺和激光微调技术生产的电压检测器。CXDR7551 CXDR7552系列的电压检测引脚端子和芯片工作电压输入引脚端子是相互独立的,使得该芯片系列也可以检测其他的电压源。 由于该系列芯片的检测电压端子和芯片工作电压输入端子相互独立,即使当检测电压变为零时,该芯片的输出仍维持在一个稳定的输出状态。CXDR7551 CXDR7552系列内置延迟电路,通过外部电容可以任意设定IC延迟时间值。有CMOS和N沟道开沟两种输出模式供选择。The CXDR7551 CXDR7552 series is highly precise, low power consumption voltage detector, manufactured using CMOS and laser trimming technologies. Since the sense pin is separated from power supply, it allows the IC to monitor added power supply. Using the IC with the sense pin separated from power supply enables output to maintain the state of detection even when voltage of the monitored power supply drops to 0V. Moreover, with the built-in delay circuit, connecting the delay capacitance pin to the capacitor enables the IC to provide an arbitrary release delay time. Both CMOS and N-channel open drain output configurations are available.
产品特点 返回TOP
应用范围 返回TOP
●Microprocessor reset circuitry
●Charge voltage monitors
●Memory battery back-up switch circuits
●Power failure detection circuits
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单功能电压检测器 |
|||||||||||
产品名称 |
特点 |
封装 |
检测 电压 MIN V |
检测 电压 MAX V |
工作 电压 MIN V |
工作 电压 MAX V |
消耗 电流 |
输出形式 |
温度 范围 (℃) |
检测 电压 精度 (%) |
检测电 压温度 特性 ppm/℃ |
μA |
|||||||||||
低消耗 电流 |
SOT24 USP3 |
1 |
5 |
0.7 |
6 |
0.5 |
CMOS N-ch open drain |
-40~+85 |
±2 |
±100 |
|
检测电压 高精度 |
SOT24 USPN4B02 |
1.5 |
5.5 |
0.7 |
6 |
0.7 |
CMOS N-ch open drain |
-40~+85 |
±0.8 |
±50 |
|
低检测电 压0.8V |
SOT23 SOT89 SOT24 |
0.8 |
6 |
0.7 |
10 |
0.8 |
CMOS N-ch open drain |
-40~+85 |
±2 |
±100 |
|
低检测电 压0.8V |
USP3 |
0.8 |
6 |
0.7 |
10 |
0.8 |
CMOS N-ch open drain |
-40~+85 |
±2 |
±100 |
|
Assures All Temperature Range |
SOT23 SOT89 |
1.6 |
6 |
0.7 |
10 |
0.8 |
CMOS N-ch open drain |
-40~+85 |
±2 |
±400 |
电压检测器 延迟时间内部设定 |
||||||||||||
产品名称 |
特点 |
封装 |
检测 电压 MIN V |
检测 电压 MAX V |
工作 电压 MIN V |
工作 电压 MAX V |
消耗 电流 |
输出 形式 |
手动复 位输入 |
解除延 迟时间 (ms) |
检测电 压精度 (%) |
检测电压 温度特性 ppm/℃ |
μA |
||||||||||||
看门狗+ 手动复位 |
SOT25 USP6C |
1.6 |
5 |
1 |
6 |
8 |
CMOS |
Yes |
3.13 25 50 100 200 400 1600 |
±2 |
±100 |
|
看门狗+ 手动复位 |
SOT25 USP6C |
1.6 |
5 |
1 |
6 |
8 |
CMOS N-ch open drain |
Yes |
3.13 25 50 100 200 400 1600 |
±2 |
±100 |
|
检测电压, 高精度、 手动复位 |
SOT25 SSOT24 USPN4 |
1.5 |
5.5 |
0.7 |
6 |
0.7 |
CMOS N-ch open drain |
Yes |
50 100 200 400 800 |
±0.8 |
±50 |
|
工作电压范围 0.7~10V |
SOT23 SOT89 |
1.6 |
6 |
0.7 |
10 |
1 |
CMOS N-ch open drain |
No |
±2 |
±100 |
||
带内置延迟电路 |
SOT23 |
1.6 |
6 |
0.7 |
10 |
1 |
CMOS N-ch open drain |
No |
1 50 80 |
±2 |
±100 |
电压检测器 延迟时间外部设定 |
|||||||||||||
产品名称 |
特点 |
封装 |
检测 电压 MIN V |
检测 电压 MAX V |
工作 电压 MIN V |
工作 电压 MAX V |
消耗 电流 |
输出 形式 |
工作 电压 MAX V |
消耗 电流 |
手动 复位 输入 |
检测 电压 精度 |
检测电压温度特性 |
μA |
μA |
(%) |
ppm/℃ |
||||||||||
独立电压检测端子 |
SOT25 USP4 |
0.8 |
5 |
1 |
6 |
0.8*2 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
0.8*2 |
No |
±2 |
±100 |
|
带外置延迟电容 |
SSOT24 |
0.8 |
5 |
0.7 |
6 |
0.9*1 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
0.9*1 |
No |
±2 |
±100 |
|
独立电压检测端子 |
SOT25 USP4 |
0.8 |
5 |
1 |
6 |
0.8*2 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
0.8*2 |
No |
±2 |
±100 |
|
带外置延迟电容 |
SSOT24 USPN4 |
0.8 |
5 |
0.7 |
6 |
0.9*1 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
0.9*1 |
No |
±2 |
±100 |
|
外接电容延迟式 |
SSOT24 USPN4 |
1.5 |
5.5 |
1.3 |
6 |
0.58*1 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
0.58*1 |
Yes |
±0.8 |
±50 |
|
浪涌电压保护功能外调滞后宽度 |
SOT26 USP6C |
0.8 |
2 |
1.6 |
6 |
1.43*1 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
1.43*1 |
Yes |
±1.2 |
±50 |
|
电容延迟式 |
SOT26 USP6C |
1 |
5 |
1.6 |
6 |
1.32*3 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
1.32*3 |
Yes |
±1.2 |
±50 |
|
外部调整滞后电容延迟式 |
SOT26 USP6C |
0.8 |
5 |
1.6 |
6 |
1.32*3 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
1.32*3 |
Yes |
±1.2 |
±50 |
|
车载类分离传感端子 外部调整滞后 外接延迟电容式 |
USP6C |
0.8 |
2 |
1.6 |
6 |
1.43*1 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
1.43*1 |
Yes |
±1.2 |
±50 |
|
车载类分离传感端子 外部调整滞后 外接延迟电容式 |
SOT26 USP6C |
1 |
5 |
1.6 |
6 |
1.32 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
1.32 |
Yes |
±1.2 |
±50 |