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首页 > 产品中心 > 电池充电芯片 > 电压检测器/复位IC > 电压检测与复位IC >CMOS和N沟道开沟两种输出模式CXDR7551 CXDR7552高精度低功耗采用CMOS工艺和激光微调技术生产的电压检测器端子和芯片工作电压输入端子相互独立当检测电压变为零时输出稳定的输出状态
CMOS和N沟道开沟两种输出模式CXDR7551 CXDR7552高精度低功耗采用CMOS工艺和激光微调技术生产的电压检测器端子和芯片工作电压输入端子相互独立当检测电压变为零时输出稳定的输出状态
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CXDR7551系列是高精度, 低功耗, 采用CMOS工艺和激光微调技术生产的电压检测器。CXDR7551 CXDR7552系列的电压检测引脚端子和芯片工作电压输入引脚端子是相互独立的,使得该芯片系列也可以检测其他的电压源。 由于该系列芯片的检测电压端子和芯片工作电压输入端子相互独立,即使当检测电压变为零时,该芯片的输出仍维持在一个稳定的输出状态。CXDR7551 CXDR7552系列内置延迟电路,通过外部电容可以任意设定IC延迟时间值。有CMOS和N沟道开沟两种输出模式供选择

CMOS和N沟道开沟两种输出模式CXDR7551 CXDR7552高精度低功耗采用CMOS工艺和激光微调技术生产的电压检测器端子和芯片工作电压输入端子相互独立当检测电压变为零时输出稳定的输出状态
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产品简介

目录

1.产品概述       2.产品特点     fqM嘉泰姆

3.应用范围       4.技术规格书下载(PDF文档)fqM嘉泰姆

5.产品封装       6.电路原理图  fqM嘉泰姆

7.相关产品fqM嘉泰姆

   产品概述 返回TOPfqM嘉泰姆


      CXDR7551 CXDR7552系列是高精度, 低功耗, 采用CMOS工艺和激光微调技术生产的电压检测器。CXDR7551 CXDR7552系列的电压检测引脚端子和芯片工作电压输入引脚端子是相互独立的,使得该芯片系列也可以检测其他的电压源。 由于该系列芯片的检测电压端子和芯片工作电压输入端子相互独立,即使当检测电压变为零时,该芯片的输出仍维持在一个稳定的输出状态。CXDR7551 CXDR7552系列内置延迟电路,通过外部电容可以任意设定IC延迟时间值。有CMOS和N沟道开沟两种输出模式供选择。The CXDR7551 CXDR7552 series is highly precise, low power consumption voltage detector, manufactured using CMOS and laser trimming technologies. Since the sense pin is separated from power supply, it allows the IC to monitor added power supply. Using the IC with the sense pin separated from power supply enables output to maintain the state of detection even when voltage of the monitored power supply drops to 0V. Moreover, with the built-in delay circuit, connecting the delay capacitance pin to the capacitor enables the IC to provide an arbitrary release delay time. Both CMOS and N-channel open drain output configurations are available.fqM嘉泰姆

   产品特点 返回TOPfqM嘉泰姆


   blob.pngfqM嘉泰姆

   应用范围 返回TOPfqM嘉泰姆


●Microprocessor reset circuitry fqM嘉泰姆

●Charge voltage monitors fqM嘉泰姆

●Memory battery back-up switch circuits fqM嘉泰姆

●Power failure detection circuitsfqM嘉泰姆

   技术规格书(产品PDF) 返回TOP fqM嘉泰姆


     需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持fqM嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgfqM嘉泰姆

产品封装图 返回TOPfqM嘉泰姆


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电路原理图 返回TOPfqM嘉泰姆

 fqM嘉泰姆


 fqM嘉泰姆

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 fqM嘉泰姆

单功能电压检测器fqM嘉泰姆

产品名称fqM嘉泰姆

特点fqM嘉泰姆

封装fqM嘉泰姆

检测fqM嘉泰姆

电压fqM嘉泰姆

MINfqM嘉泰姆

VfqM嘉泰姆

检测fqM嘉泰姆

电压fqM嘉泰姆

MAXfqM嘉泰姆

VfqM嘉泰姆

工作fqM嘉泰姆

电压fqM嘉泰姆

MINfqM嘉泰姆

VfqM嘉泰姆

工作fqM嘉泰姆

电压fqM嘉泰姆

MAXfqM嘉泰姆

VfqM嘉泰姆

消耗fqM嘉泰姆

电流fqM嘉泰姆

输出形式fqM嘉泰姆

温度fqM嘉泰姆

范围fqM嘉泰姆

(℃)fqM嘉泰姆

检测fqM嘉泰姆

电压fqM嘉泰姆

精度fqM嘉泰姆

(%)fqM嘉泰姆

检测电fqM嘉泰姆

压温度fqM嘉泰姆

特性fqM嘉泰姆

ppm/℃fqM嘉泰姆

μAfqM嘉泰姆

CXDR7545fqM嘉泰姆

低消耗fqM嘉泰姆

电流fqM嘉泰姆

SOT24 fqM嘉泰姆

USP3fqM嘉泰姆

1fqM嘉泰姆

5fqM嘉泰姆

0.7fqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

0.5fqM嘉泰姆

CMOS N-chfqM嘉泰姆

open drainfqM嘉泰姆

-40~+85fqM嘉泰姆

±2fqM嘉泰姆

±100fqM嘉泰姆

CXDR7546fqM嘉泰姆

检测电压fqM嘉泰姆

高精度fqM嘉泰姆

SOT24 fqM嘉泰姆

USPN4B02fqM嘉泰姆

1.5fqM嘉泰姆

5.5fqM嘉泰姆

0.7fqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

0.7fqM嘉泰姆

CMOS N-chfqM嘉泰姆

open drainfqM嘉泰姆

-40~+85fqM嘉泰姆

±0.8fqM嘉泰姆

±50fqM嘉泰姆

CXDR7547CfqM嘉泰姆

低检测电fqM嘉泰姆

压0.8VfqM嘉泰姆

SOT23 fqM嘉泰姆

SOT89 fqM嘉泰姆

SOT24fqM嘉泰姆

0.8fqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

0.7fqM嘉泰姆

10fqM嘉泰姆

0.8fqM嘉泰姆

CMOS N-chfqM嘉泰姆

open drainfqM嘉泰姆

-40~+85fqM嘉泰姆

±2fqM嘉泰姆

±100fqM嘉泰姆

CXDR7547GfqM嘉泰姆

低检测电fqM嘉泰姆

压0.8VfqM嘉泰姆

USP3fqM嘉泰姆

0.8fqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

0.7fqM嘉泰姆

10fqM嘉泰姆

0.8fqM嘉泰姆

CMOS N-chfqM嘉泰姆

open drainfqM嘉泰姆

-40~+85fqM嘉泰姆

±2fqM嘉泰姆

±100fqM嘉泰姆

CXDR7547AfqM嘉泰姆

Assures fqM嘉泰姆

AllfqM嘉泰姆

TemperaturefqM嘉泰姆

RangefqM嘉泰姆

SOT23 fqM嘉泰姆

SOT89fqM嘉泰姆

1.6fqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

0.7fqM嘉泰姆

10fqM嘉泰姆

0.8fqM嘉泰姆

CMOS N-chfqM嘉泰姆

open drainfqM嘉泰姆

-40~+85fqM嘉泰姆

±2fqM嘉泰姆

±400fqM嘉泰姆

电压检测器 延迟时间内部设定fqM嘉泰姆

产品名称fqM嘉泰姆

特点fqM嘉泰姆

封装fqM嘉泰姆

检测fqM嘉泰姆

电压fqM嘉泰姆

MINfqM嘉泰姆

VfqM嘉泰姆

检测fqM嘉泰姆

电压fqM嘉泰姆

MAXfqM嘉泰姆

VfqM嘉泰姆

工作fqM嘉泰姆

电压fqM嘉泰姆

MINfqM嘉泰姆

VfqM嘉泰姆

工作fqM嘉泰姆

电压fqM嘉泰姆

MAXfqM嘉泰姆

VfqM嘉泰姆

消耗fqM嘉泰姆

电流fqM嘉泰姆

输出fqM嘉泰姆

形式fqM嘉泰姆

手动复fqM嘉泰姆

位输入fqM嘉泰姆

解除延fqM嘉泰姆

迟时间fqM嘉泰姆

(ms)fqM嘉泰姆

检测电fqM嘉泰姆

压精度fqM嘉泰姆

(%)fqM嘉泰姆

检测电压fqM嘉泰姆

温度特性fqM嘉泰姆

ppm/℃fqM嘉泰姆

μAfqM嘉泰姆

CXDR7548fqM嘉泰姆

看门狗+fqM嘉泰姆

手动复位fqM嘉泰姆

SOT25 fqM嘉泰姆

USP6CfqM嘉泰姆

1.6fqM嘉泰姆

5fqM嘉泰姆

1fqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

8fqM嘉泰姆

CMOSfqM嘉泰姆

YesfqM嘉泰姆

3.13 25fqM嘉泰姆

50 100fqM嘉泰姆

200 400fqM嘉泰姆

1600fqM嘉泰姆

±2fqM嘉泰姆

±100fqM嘉泰姆

CXDR7549fqM嘉泰姆

看门狗+fqM嘉泰姆

手动复位fqM嘉泰姆

SOT25 fqM嘉泰姆

USP6CfqM嘉泰姆

1.6fqM嘉泰姆

5fqM嘉泰姆

1fqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

8fqM嘉泰姆

CMOS N-chfqM嘉泰姆

open drainfqM嘉泰姆

YesfqM嘉泰姆

3.13 25fqM嘉泰姆

50 100fqM嘉泰姆

200 400fqM嘉泰姆

1600fqM嘉泰姆

±2fqM嘉泰姆

±100fqM嘉泰姆

CXDR7550fqM嘉泰姆

检测电压,fqM嘉泰姆

高精度、fqM嘉泰姆

手动复位fqM嘉泰姆

SOT25 fqM嘉泰姆

SSOT24 fqM嘉泰姆

USPN4fqM嘉泰姆

1.5fqM嘉泰姆

5.5fqM嘉泰姆

0.7fqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

0.7fqM嘉泰姆

CMOS N-chfqM嘉泰姆

open drainfqM嘉泰姆

YesfqM嘉泰姆

50 100fqM嘉泰姆

200 400fqM嘉泰姆

800fqM嘉泰姆

±0.8fqM嘉泰姆

±50fqM嘉泰姆

CXDR7547FfqM嘉泰姆

工作电压范围fqM嘉泰姆

0.7~10VfqM嘉泰姆

SOT23 fqM嘉泰姆

SOT89fqM嘉泰姆

1.6fqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

0.7fqM嘉泰姆

10fqM嘉泰姆

1fqM嘉泰姆

CMOS N-ch fqM嘉泰姆

open drainfqM嘉泰姆

NofqM嘉泰姆

 

±2fqM嘉泰姆

±100fqM嘉泰姆

CXDR7547HfqM嘉泰姆

带内置延迟电路fqM嘉泰姆

SOT23fqM嘉泰姆

1.6fqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

0.7fqM嘉泰姆

10fqM嘉泰姆

1fqM嘉泰姆

CMOS N-ch fqM嘉泰姆

open drainfqM嘉泰姆

NofqM嘉泰姆

1 50 80fqM嘉泰姆

±2fqM嘉泰姆

±100fqM嘉泰姆

电压检测器 延迟时间外部设定fqM嘉泰姆

产品名称fqM嘉泰姆

特点fqM嘉泰姆

封装fqM嘉泰姆

检测fqM嘉泰姆

电压fqM嘉泰姆

MINfqM嘉泰姆

VfqM嘉泰姆

检测fqM嘉泰姆

电压fqM嘉泰姆

MAXfqM嘉泰姆

VfqM嘉泰姆

工作fqM嘉泰姆

电压fqM嘉泰姆

MINfqM嘉泰姆

VfqM嘉泰姆

工作fqM嘉泰姆

电压fqM嘉泰姆

MAXfqM嘉泰姆

VfqM嘉泰姆

消耗fqM嘉泰姆

电流fqM嘉泰姆

输出fqM嘉泰姆

形式fqM嘉泰姆

工作fqM嘉泰姆

电压fqM嘉泰姆

MAXfqM嘉泰姆

VfqM嘉泰姆

消耗fqM嘉泰姆

电流fqM嘉泰姆

手动fqM嘉泰姆

复位fqM嘉泰姆

输入fqM嘉泰姆

检测fqM嘉泰姆

电压fqM嘉泰姆

精度fqM嘉泰姆

检测电压温度特性fqM嘉泰姆

μAfqM嘉泰姆

μAfqM嘉泰姆

(%)fqM嘉泰姆

ppm/℃fqM嘉泰姆

CXDR7551fqM嘉泰姆

独立电压检测端子fqM嘉泰姆

SOT25 USP4fqM嘉泰姆

0.8fqM嘉泰姆

5fqM嘉泰姆

1fqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

0.8*2fqM嘉泰姆

CMOS N-ch open drainfqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

0.8*2fqM嘉泰姆

NofqM嘉泰姆

±2fqM嘉泰姆

±100fqM嘉泰姆

CXDR7552fqM嘉泰姆

带外置延迟电容fqM嘉泰姆

SSOT24fqM嘉泰姆

0.8fqM嘉泰姆

5fqM嘉泰姆

0.7fqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

0.9*1fqM嘉泰姆

CMOS N-ch open drainfqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

0.9*1fqM嘉泰姆

NofqM嘉泰姆

±2fqM嘉泰姆

±100fqM嘉泰姆

CXDR7553fqM嘉泰姆

独立电压检测端子fqM嘉泰姆

SOT25 USP4fqM嘉泰姆

0.8fqM嘉泰姆

5fqM嘉泰姆

1fqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

0.8*2fqM嘉泰姆

CMOS N-ch open drainfqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

0.8*2fqM嘉泰姆

NofqM嘉泰姆

±2fqM嘉泰姆

±100fqM嘉泰姆

CXDR7554fqM嘉泰姆

带外置延迟电容fqM嘉泰姆

SSOT24 USPN4fqM嘉泰姆

0.8fqM嘉泰姆

5fqM嘉泰姆

0.7fqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

0.9*1fqM嘉泰姆

CMOS N-ch open drainfqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

0.9*1fqM嘉泰姆

NofqM嘉泰姆

±2fqM嘉泰姆

±100fqM嘉泰姆

CXDR7555fqM嘉泰姆

外接电容延迟式fqM嘉泰姆

SSOT24 USPN4fqM嘉泰姆

1.5fqM嘉泰姆

5.5fqM嘉泰姆

1.3fqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

0.58*1fqM嘉泰姆

CMOS N-ch open drainfqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

0.58*1fqM嘉泰姆

YesfqM嘉泰姆

±0.8fqM嘉泰姆

±50fqM嘉泰姆

CXDR7556fqM嘉泰姆

浪涌电压保护功能外调滞后宽度fqM嘉泰姆

SOT26 USP6CfqM嘉泰姆

0.8fqM嘉泰姆

2fqM嘉泰姆

1.6fqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

1.43*1fqM嘉泰姆

CMOS N-ch open drainfqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

1.43*1fqM嘉泰姆

YesfqM嘉泰姆

±1.2fqM嘉泰姆

±50fqM嘉泰姆

CXDR7557fqM嘉泰姆

电容延迟式fqM嘉泰姆

SOT26 USP6CfqM嘉泰姆

1fqM嘉泰姆

5fqM嘉泰姆

1.6fqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

1.32*3fqM嘉泰姆

CMOS N-ch open drainfqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

1.32*3fqM嘉泰姆

YesfqM嘉泰姆

±1.2fqM嘉泰姆

±50fqM嘉泰姆

CXDR7558fqM嘉泰姆

外部调整滞后电容延迟式fqM嘉泰姆

SOT26 USP6CfqM嘉泰姆

0.8fqM嘉泰姆

5fqM嘉泰姆

1.6fqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

1.32*3fqM嘉泰姆

CMOS N-ch open drainfqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

1.32*3fqM嘉泰姆

YesfqM嘉泰姆

±1.2fqM嘉泰姆

±50fqM嘉泰姆

CXDR7556AfqM嘉泰姆

车载类分离传感端子 外部调整滞后 外接延迟电容式fqM嘉泰姆

USP6CfqM嘉泰姆

0.8fqM嘉泰姆

2fqM嘉泰姆

1.6fqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

1.43*1fqM嘉泰姆

CMOS N-ch open drainfqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

1.43*1fqM嘉泰姆

YesfqM嘉泰姆

±1.2fqM嘉泰姆

±50fqM嘉泰姆

CXDR7557AfqM嘉泰姆

车载类分离传感端子 外部调整滞后 外接延迟电容式fqM嘉泰姆

SOT26 USP6CfqM嘉泰姆

1fqM嘉泰姆

5fqM嘉泰姆

1.6fqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

1.32fqM嘉泰姆

CMOS N-ch open drainfqM嘉泰姆

6fqM嘉泰姆

1.32fqM嘉泰姆

YesfqM嘉泰姆

±1.2fqM嘉泰姆

±50fqM嘉泰姆