CXDR7545系列是采用CMOS工艺和激光微调技术生产的高精度, 低功耗的电压检测器。适用于低消耗电流和高精度的精密便携式设备。使用了超小型的封装,可用于高密度电路板的安装。输出形式有CMOS输出和N沟道开漏输出两种.
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[ CXDR7545 ]
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CXDR7545系列是采用CMOS工艺和激光微调技术生产的高精度, 低功耗的电压检测器。适用于低消耗电流和高精度的精密便携式设备。使用了超小型的封装,可用于高密度电路板的安装。输出形式有CMOS输出和N沟道开漏输出两种.The CXDR7545 series are highly precise, low power consumption voltage detectors, manufactured using CMOS and laser trimming technologies. With low power consumption and high accuracy, the series is suitable for precision mobile equipment. The CXDR7545 in ultra small packages are ideally suited for high-density mounting. The CXDR7545 is available in both CMOS and N-channel open drain output configurations.
产品特点 返回TOP
应用范围 返回TOP
●Microprocessor reset circuitry
●Memory battery back-up circuits
●Power-on reset circuits
●Power failure detection
●System battery life and charge voltage monitors
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|
单功能电压检测器 |
|||||||||||
|
产品名称 |
特点 |
封装 |
检测 电压 MIN V |
检测 电压 MAX V |
工作 电压 MIN V |
工作 电压 MAX V |
消耗 电流 |
输出形式 |
温度 范围 (℃) |
检测 电压 精度 (%) |
检测电 压温度 特性 ppm/℃ |
|
μA |
|||||||||||
|
低消耗 电流 |
SOT24 USP3 |
1 |
5 |
0.7 |
6 |
0.5 |
CMOS N-ch open drain |
-40～＋85 |
±2 |
±100 |
|
|
检测电压 高精度 |
SOT24 USPN4B02 |
1.5 |
5.5 |
0.7 |
6 |
0.7 |
CMOS N-ch open drain |
-40～＋85 |
±0.8 |
±50 |
|
|
低检测电 压0.8V |
SOT23 SOT89 SOT24 |
0.8 |
6 |
0.7 |
10 |
0.8 |
CMOS N-ch open drain |
-40～＋85 |
±2 |
±100 |
|
|
低检测电 压0.8V |
USP3 |
0.8 |
6 |
0.7 |
10 |
0.8 |
CMOS N-ch open drain |
-40～＋85 |
±2 |
±100 |
|
|
Assures All Temperature Range |
SOT23 SOT89 |
1.6 |
6 |
0.7 |
10 |
0.8 |
CMOS N-ch open drain |
-40～＋85 |
±2 |
±400 |
|
|
电压检测器 延迟时间内部设定 |
||||||||||||
|
产品名称 |
特点 |
封装 |
检测 电压 MIN V |
检测 电压 MAX V |
工作 电压 MIN V |
工作 电压 MAX V |
消耗 电流 |
输出 形式 |
手动复 位输入 |
解除延 迟时间 (ms) |
检测电 压精度 (%) |
检测电压 温度特性 ppm/℃ |
|
μA |
||||||||||||
|
看门狗+ 手动复位 |
SOT25 USP6C |
1.6 |
5 |
1 |
6 |
8 |
CMOS |
Yes |
3.13 25 50 100 200 400 1600 |
±2 |
±100 |
|
|
看门狗+ 手动复位 |
SOT25 USP6C |
1.6 |
5 |
1 |
6 |
8 |
CMOS N-ch open drain |
Yes |
3.13 25 50 100 200 400 1600 |
±2 |
±100 |
|
|
检测电压, 高精度、 手动复位 |
SOT25 SSOT24 USPN4 |
1.5 |
5.5 |
0.7 |
6 |
0.7 |
CMOS N-ch open drain |
Yes |
50 100 200 400 800 |
±0.8 |
±50 |
|
|
工作电压范围 0.7~10V |
SOT23 SOT89 |
1.6 |
6 |
0.7 |
10 |
1 |
CMOS N-ch open drain |
No |
±2 |
±100 |
||
|
带内置延迟电路 |
SOT23 |
1.6 |
6 |
0.7 |
10 |
1 |
CMOS N-ch open drain |
No |
1 50 80 |
±2 |
±100 |
|
|
电压检测器 延迟时间外部设定 |
|||||||||||||
|
产品名称 |
特点 |
封装 |
检测 电压 MIN V |
检测 电压 MAX V |
工作 电压 MIN V |
工作 电压 MAX V |
消耗 电流 |
输出 形式 |
工作 电压 MAX V |
消耗 电流 |
手动 复位 输入 |
检测 电压 精度 |
检测电压温度特性 |
|
μA |
μA |
(%) |
ppm/℃ |
||||||||||
|
独立电压检测端子 |
SOT25 USP4 |
0.8 |
5 |
1 |
6 |
0.8*2 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
0.8*2 |
No |
±2 |
±100 |
|
|
带外置延迟电容 |
SSOT24 |
0.8 |
5 |
0.7 |
6 |
0.9*1 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
0.9*1 |
No |
±2 |
±100 |
|
|
独立电压检测端子 |
SOT25 USP4 |
0.8 |
5 |
1 |
6 |
0.8*2 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
0.8*2 |
No |
±2 |
±100 |
|
|
带外置延迟电容 |
SSOT24 USPN4 |
0.8 |
5 |
0.7 |
6 |
0.9*1 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
0.9*1 |
No |
±2 |
±100 |
|
|
外接电容延迟式 |
SSOT24 USPN4 |
1.5 |
5.5 |
1.3 |
6 |
0.58*1 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
0.58*1 |
Yes |
±0.8 |
±50 |
|
|
浪涌电压保护功能外调滞后宽度 |
SOT26 USP6C |
0.8 |
2 |
1.6 |
6 |
1.43*1 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
1.43*1 |
Yes |
±1.2 |
±50 |
|
|
电容延迟式 |
SOT26 USP6C |
1 |
5 |
1.6 |
6 |
1.32*3 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
1.32*3 |
Yes |
±1.2 |
±50 |
|
|
外部调整滞后电容延迟式 |
SOT26 USP6C |
0.8 |
5 |
1.6 |
6 |
1.32*3 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
1.32*3 |
Yes |
±1.2 |
±50 |
|
|
车载类分离传感端子 外部调整滞后 外接延迟电容式 |
USP6C |
0.8 |
2 |
1.6 |
6 |
1.43*1 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
1.43*1 |
Yes |
±1.2 |
±50 |
|
|
车载类分离传感端子 外部调整滞后 外接延迟电容式 |
SOT26 USP6C |
1 |
5 |
1.6 |
6 |
1.32 |
CMOS N-ch open drain |
6 |
1.32 |
Yes |
±1.2 |
±50 |
|
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