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首页 > 产品中心 > 电池充电芯片 > 电压检测器/复位IC > 电压检测与复位IC >CXDR7526微处理器电子系统低功耗电压检测芯片高精度低温漂的特点产品检测电压以0.1V为单位覆盖从1.5V至5V的电压范围低静态电流CMOS输出和漏端开路的N管输出
CXDR7526微处理器电子系统低功耗电压检测芯片高精度低温漂的特点产品检测电压以0.1V为单位覆盖从1.5V至5V的电压范围低静态电流CMOS输出和漏端开路的N管输出
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CXDR7526系列是为微处理器和电子系统提供低功耗电压检测芯片,具高精度低温漂的特点。该系列产品检测电压以0.1V为单位覆盖从1.5V至5V的电压范围,基本涵盖大部分电子产品的需求。低静态电流是其重要的优点。产品系列中包含了CMOS输出和漏端开路的N管输出。由于内置延时,减少了应用电路中的外围器件,可提供手工复位的功能。

CXDR7526微处理器电子系统低功耗电压检测芯片高精度低温漂的特点产品检测电压以0.1V为单位覆盖从1.5V至5V的电压范围低静态电流CMOS输出和漏端开路的N管输出
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产品简介

一,产品概述(General Description)         Vro嘉泰姆
        CXDR7526系列是为微处理器和电子系统提供低功耗电压检测Vro嘉泰姆
芯片,具高精度低温漂的特点。该系列产品检测电压以0.1V为单位Vro嘉泰姆
覆盖从1.5V至5V的电压范围,基本涵盖大部分电子产品的需求。低Vro嘉泰姆
静态电流是其重要的优点。产品系列中包含了CMOS输出和漏端开路Vro嘉泰姆
的N管输出。由于内置延时,减少了应用电路中的外围器件,可提供手Vro嘉泰姆
工复位的功能。 Vro嘉泰姆
二.产品特点(Features)Vro嘉泰姆
输出电压精度高:精度可达±2.0% Vro嘉泰姆
低功耗: 小于1.5μA Vro嘉泰姆
产品检测范围 1.5V ~ 5.0V 0.1V步进 Vro嘉泰姆
工作电压范围: 0.7V-7.0V Vro嘉泰姆
检测电压温度特性: ±100ppm/℃(typ.) Vro嘉泰姆
内置延时: 典型值50ms,100ms,200ms,400ms可选 Vro嘉泰姆
输出配置: N-channel open drain或CMOS Vro嘉泰姆
工作电压=0.7-7.0V Vro嘉泰姆
延迟=Y Vro嘉泰姆
静态功耗=1.5uA Vro嘉泰姆
输出方式=N-channel open drain or CMOS Vro嘉泰姆
封装形式:SOT-143 Vro嘉泰姆
三,应用范围 (Applications)Vro嘉泰姆
微处理器复位电路 Vro嘉泰姆
存储器电池备份电路 Vro嘉泰姆
上电复位电路 Vro嘉泰姆
供电失效检测 Vro嘉泰姆
系统电池寿命和充电电压监测 Vro嘉泰姆
延迟电路 Vro嘉泰姆

四.下载产品资料PDF文档 Vro嘉泰姆

   需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持Vro嘉泰姆

 QQ截图20160419174301.jpgVro嘉泰姆

五,产品封装图 (Package)Vro嘉泰姆

Vro嘉泰姆
六.电路原理图Vro嘉泰姆
blob.pngVro嘉泰姆

  • 七,功能概述Vro嘉泰姆

  • 参数Vro嘉泰姆

    符号Vro嘉泰姆

    最大值Vro嘉泰姆

    单位Vro嘉泰姆

    电源输入电压Vro嘉泰姆

    VCCVro嘉泰姆

    -0.3 至 5.5Vro嘉泰姆

    VVro嘉泰姆

    MR 输出电压Vro嘉泰姆

    VMRVro嘉泰姆

    -0.3 至 VCC+0.3Vro嘉泰姆

    VVro嘉泰姆

    输出电压Vro嘉泰姆

    CMOSVro嘉泰姆

    VRESETVro嘉泰姆

    -0.3 至 VCC + 0.3Vro嘉泰姆

    VVro嘉泰姆

    N 管漏开路Vro嘉泰姆

    -0.3 至 5.5Vro嘉泰姆

    最大持续输入电流Vro嘉泰姆

         

    IVCC,IMRVro嘉泰姆

     

    mAVro嘉泰姆

       

    输出电流Vro嘉泰姆

    IRESETVro嘉泰姆

    20Vro嘉泰姆

    mAVro嘉泰姆

    输入电压摆率Vro嘉泰姆

    dVCC/dtVro嘉泰姆

    100Vro嘉泰姆

    V/usVro嘉泰姆

    操作温度范围Vro嘉泰姆

    ToprVro嘉泰姆

    -40~+150Vro嘉泰姆

    Vro嘉泰姆

    保存温度范围(10s)Vro嘉泰姆

    TstgVro嘉泰姆

    300Vro嘉泰姆

    Vro嘉泰姆

    热敏电阻Vro嘉泰姆

    θJAVro嘉泰姆

    200Vro嘉泰姆

    ℃/WVro嘉泰姆

    最大功耗Vro嘉泰姆

    PDVro嘉泰姆

    320Vro嘉泰姆

    mWVro嘉泰姆

  • 八,相关产品Vro嘉泰姆

  • 产品名称Vro嘉泰姆

    工作电压(V)Vro嘉泰姆

    延迟Vro嘉泰姆

    静态功耗(uA)Vro嘉泰姆

    输出方式Vro嘉泰姆

    封装形式Vro嘉泰姆

    CXDR7525AVro嘉泰姆

    2.0-6.5Vro嘉泰姆

    NVro嘉泰姆

    8Vro嘉泰姆

    单节锂电池4段电量显示Vro嘉泰姆

    SOT-23-6Vro嘉泰姆

    CXDR7526Vro嘉泰姆

    0.7-7.0Vro嘉泰姆

    YVro嘉泰姆

    1.5Vro嘉泰姆

    N-channel open drain   or CMOSVro嘉泰姆

    SOT-143Vro嘉泰姆

    CXDR7527Vro嘉泰姆

    0.7-6.0Vro嘉泰姆

    YVro嘉泰姆

    1.5Vro嘉泰姆

    N-channel open drain   or CMOSVro嘉泰姆

    SOT-23-3Vro嘉泰姆

    CXDR7528FVro嘉泰姆

    0.7-7.0Vro嘉泰姆

    YVro嘉泰姆

    2Vro嘉泰姆

    N-channel open drain   or CMOSVro嘉泰姆

    SOT-23-3,SOT-89-3,TO-92Vro嘉泰姆

    CXDR7528CVro嘉泰姆

    0.7-7.0Vro嘉泰姆

    NVro嘉泰姆

    2Vro嘉泰姆

    N-channel open drain   or CMOSVro嘉泰姆

    SOT-23-3Vro嘉泰姆

    CXDR7528BVro嘉泰姆

    1.5-7.0Vro嘉泰姆

    NVro嘉泰姆

    4Vro嘉泰姆

    N-channel open drain   and CMOSVro嘉泰姆

    SOT-23-5,SOT-353Vro嘉泰姆

Vro嘉泰姆

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