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CXSU63241系列芯片是采用CMOS 工艺制造的静态电流极低的VFM开关型DC/DC升压变换芯片 该芯片由振荡器、VFM 模式控制电路、Lx 开关驱动晶体管、基准电压单元、误差比较放大器、电压采样电阻及VLX 限幅电路等组成。输入电压最低0.8V,并且可以根据要求调整输出电压3V—6V 可选
发表时间:2025-10-22浏览次数:2
CXSU63241系列芯片是采用CMOS 工艺制造的静态电流极低的VFM开关型DC/DC升压变换芯片 该芯片由振荡器、VFM 模式控制电路、Lx 开关驱动晶体管、基准电压单元、误差比较放大器、电压采样电阻及VLX 限幅电路等组成。输入电压最低0.8V,并且可以根据要求调整输出电压3V—6V 可选
 

目录

1.产品概述       2.产品特点     GRq嘉泰姆

3.应用范围       4.技术规格书下载(PDF文档)GRq嘉泰姆

5.产品封装       6.电路原理图  GRq嘉泰姆

7.相关产品GRq嘉泰姆

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       CXSU63241系列芯片是采用CMOS 工艺制造的静态电流极低的VFM 开关型DC/DC 升压转换器。
    该芯片由振荡器、VFM 模式控制电路、Lx 开关驱动晶体管、基准电压单元、误差比较放大器、电压采样电阻及VLX 限幅电路等组成。
    CXSU63241  系列升压转换器采用变频的方式,因此较国内外同类产品具有更低的纹波、更强的驱动能力、效率高等特 ,应用时外围只需接三个元件(电感、电容及二极管各一个)。
    输入电压最低0.8V,并且可以根据要求调整输出电压3V—6V 可选。

   产品特点 返回TOPGRq嘉泰姆


 GRq嘉泰姆

     该设计产品 CXSU63241 系列DC/DC 升压转换器芯片在应用中具有优越的性能:
   1. 外接元件少:
      需肖特基管、电感及电容各一个;外接元件建议选择:  低直流电阻电感20~220 μH,钽电容47~200 μF,肖特基二极管。
   2. 极低的静态电流:4uA
   3. 低噪声及低纹波:纹波典型值为100mV
   4. 驱动能力强:    Vtyp=3.3V, Vin=1.0V 时,Iout=100mA
                            Vtyp=3.3V, Vin=3.0V 时,Iout=800mA
GRq嘉泰姆

   5. 启动工作电压低:最大0.8V
   6. 高效率:        85%(Typ)
   7. 封装体积小:    SOT89,SOT23 (窄体)
GRq嘉泰姆

   应用范围 返回TOPGRq嘉泰姆


      CXSU63241 系列芯片适用于要求大驱动能力、低静态电流、低电磁辐射的电池供电设备:
    1、电池供电设备的电源部分。
    2、玩具、照相机、摄像机、PDA 及手持电话等便携式设备的电源部分。
    3、要求提供电压比电池所能提供电压高的设备的电源部分。GRq嘉泰姆

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产品封装图 返回TOPGRq嘉泰姆


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 GRq嘉泰姆


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封装GRq嘉泰姆

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输出电压GRq嘉泰姆

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压精度GRq嘉泰姆

效率GRq嘉泰姆

说明GRq嘉泰姆

CXSU63240GRq嘉泰姆

SOR23-6GRq嘉泰姆

0.8~5.5VGRq嘉泰姆

24vGRq嘉泰姆

   99.9 %GRq嘉泰姆

90%GRq嘉泰姆

外置MOS,0.8-5.5v升至最高24v,驱动0.3-15W单颗白光及多串,效率GRq嘉泰姆

90%,恒流精度5%,限流精度6%,超低限流电压50mV,过压停机,温度保护GRq嘉泰姆

CXSU63241GRq嘉泰姆

SOT89GRq嘉泰姆

SOT23GRq嘉泰姆

0.8V~5.5VGRq嘉泰姆

3V~6VGRq嘉泰姆

   99.9 %GRq嘉泰姆

90%GRq嘉泰姆

VFM低纹波,高效率0.8v启动4uA超强驱动1v升到3.3v 100mA,3v升到GRq嘉泰姆

3.3v 700mA,3v升到5v   500mA,外置mos可达1A,3v-6v可选。GRq嘉泰姆

负压ICGRq嘉泰姆

型号GRq嘉泰姆

封装GRq嘉泰姆

电压范围GRq嘉泰姆

输出电压GRq嘉泰姆

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CXSU63242GRq嘉泰姆

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