发表时间：2025-05-24浏览次数：5
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【高性能驱动】CXBD3538 300V高压驱动芯片 SOP8封装 支持无刷电机/快充电源方案 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CXBD3538 高端悬浮驱动芯片技术解析
作为新一代大功率器件驱动解决方案，CXBD3538采用创新性悬浮自举电源架构，突破性实现300V高压耐受能力。其独特的双通道驱动设计完美适配5V/3.3V逻辑电平输入，配合500KHz高频开关特性，显著提升各类电力电子系统的转换效率。 核心功能亮点
1.智能保护体系 a.集成VCC欠压锁定功能（UVLO），当供电电压低于9V时自动切断输出 b.创新闭锁防护机制，100%杜绝上下管直通风险 c.内置200KΩ下拉电阻，确保悬空输入时功率管安全关断 2.强化驱动性能 a.提供+1.0A/-1.5A非对称驱动电流，兼顾开通速度与关断可靠性 b.精准死区时间控制（典型值400ns），优化开关损耗 c.电平位移电路支持300V高端浮动供电，适应宽范围母线电压 3.工程化设计优势 a.精简的SOP8封装方案，有效节省PCB布局空间 b.兼容RoHS/无铅无卤环保标准，满足出口产品要求 c.外围元件需求减少30%，显著降低BOM成本 行业应用场景深度适配
在移动电源快充领域，其500KHz高频特性可提升GaN器件驱动效率，实现95%以上转换效率。针对电动车控制系统，芯片的300V耐压设计能完美匹配72V电池组应用，配合智能死区控制有效降低MOS管温升。在工业变频场景中，闭锁防护机制可确保水泵电机在突发断电时的安全关断。
典型应用电路设计建议：
推荐在HO输出端配置自举二极管和电容，建议选用100nF/100V陶瓷电容搭配US1M快恢复二极管。低端驱动线路需注意VCC电源的去耦设计，应在芯片引脚就近布置10μF电解电容并联100nF陶瓷电容。对于高频应用场景，建议在HIN/LIN输入端增加RC滤波网络（典型值1kΩ+100pF）以增强抗干扰能力。
产品封装图 产品封装图
 应用设计
1 VCC 端电源电压 在考虑有足够的驱动电压去驱动 N 沟道功率 MOS 管，推荐电源 VCC 工作电压典型值为 9V-20V；CXBD 3538 芯片的地跟 MCU 的地共地。 2 输入逻辑信号要求和输出驱动器特性 CXBD3538 主要功能有逻辑信号输入处理、死区时间控制、电平转换功能、悬浮自举电源结构和上下桥 图 腾柱式输出。逻辑信号输入端高电平阀值为 2.8V 以上，低电平阀值为 1.5V 以下，要求逻辑信号的输 出电 流小，可以使 MCU 输出逻辑信号直接连接到 CXBD3538的输入通道上。 高端上桥臂和低端下桥臂输出驱动器的最大灌入可达 1.5A 和最大输出电流可达 1A, 高端上桥臂通道可 以承受 300V 的电压，输入逻辑信号与输出控制信号之间的传导延时小，低端输出开通传导延时为 410nS、 关断传导延时为 140nS,高端输出开通传导延时为 400nS、关断传导延时为 150nS。低端输出开通的上升时间 为 180nS、关断的下降时间为 100nS, 高端输出开通的上升时间为 180nS、关断的下降时间为 100nS。输入 信号和输出信号逻辑功能图如图 8-2：  输入信号和输出信号逻辑真值表：
 从真值表可知，当输入逻辑信号HIN为“1”和 LIN 为“0”时，驱动器控制输出HO为“1”上管打开， LO为“0”下管关断；当输入逻辑信号HIN为“0” 和LIN为“1”时，驱动器控制输出HO为“0”上管关断，LO 为“1”下管打开；在输入逻辑信号HIN和LIN同时为“0”或同时为“1”情况下，驱动器控制输出HO、LO为“0”将上、下功率管同时关断；内部逻辑处理器杜绝控制器输出上、下功率管同时导通，具有相 互闭锁功能。
3 自举电路 CXBD3538采用自举悬浮驱动电源结构大大简化了驱动电源设计，只用一路电源电压VCC即可完成高端N沟道MOS管和低端N沟道MOS 管两个功率开关器件的驱动，给实际应用带来极大的方便。CXBD3538可以使用外接一个自举二极管如图8-3和一个自举电容自动完成自举升压功能，假定在下管开通、上管关断期间C自举电容已充到足够的电压（Vc=VCC）， 当HO输出高电平时上管开通、下管关断时，VC自举电容上的电压将等效一个电压源作为内部驱动器VB和VS的电源，完成高端N沟道MOS管的驱动。  相关芯片选择指南 更多相关产品......
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