发表时间:2025-05-24浏览次数:3
CXBD3571单通道高速低侧栅极驱动器高效驱动MOSFET和IGBT的理想选择 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
产品概述CXBD3571是一款高性能单通道低侧栅极驱动器,专为驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)而设计。该器件在4V至20V的宽电压范围内工作,提供高达4A的峰值拉/灌电流,确保高效的电源开关控制。CXBD3571采用SOT23-5封装,具有外围器件少、传播延迟短的特点,是NPN和PNP离散解决方案的理想替代品。宽电压范围:VDD电压范围为4V至20V,适应多种应用场景。sxz嘉泰姆 开关模式电源(SMPS)sxz嘉泰姆 直流-直流转换器sxz嘉泰姆 需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们,还可以获得免费样品以及技术支持!sxz嘉泰姆
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