CMOS升压型DC控制器CXSU6351低导通电阻的增强型N沟道功率MOSFET高效率高输出电流电流检测电阻 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
目录产品概述 返回TOP CXSU6351是一款由基准电压源、振荡电路、误差放大电路、相位补偿电路、电流限制电路、PWM/PFM 控制电路等构成的CMOS 升压型DC/DC控制器。由于使用外接的低导通电阻的增强型N沟道功率MOSFET，因此适用于需要高效率、高输出电流的应用电路。另外，可通过在VSENSE端子连接电流检测电阻 (RSENSE ) 来限制输出电流。由于将电流检测电压 (VSENSE) 设定为100 mV ± 10%，因此可减少在RSENSE 端产生的损耗。CXSU6351外围的输出电容器可使用陶瓷电容器。并且，采用了小型的SOT23-6封装，因此可适用于高密度安装高精度高效率的应用。产品特点 返回TOP ● 具有可自由设置的电流限制功能： 如当设定RSENSE=50mΩ 时，限流值是2A。 ● 占空比范围： 基于PWM/PFM 开关控制电路，最高可达78 % (PWM 模式). 应用范围 返回TOP ● 移动电源、数码音响播放器 技术规格书（产品PDF) 返回TOP 需要详细的PDF规格书请扫一扫微信联系我们，还可以获得免费样品以及技术支持！ 产品封装图 返回TOP a 电路原理图 返回TOP a 相关芯片选择指南 返回TOP 更多同类产品......
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMOS升压型DC控制器CXSU6351低导通电阻的增强型N沟道功率MOSFET高效率高输出电流电流检测电阻
发表时间：2020-06-03浏览次数：13
