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两个低电压降调节器CXSD62114双降压恒定时间同步PWM控制器内部转换MOSFET
发表时间:2020-04-23浏览次数:151
两个低电压降调节器CXSD62114双降压恒定时间同步PWM控制器内部转换MOSFET
 

目录cMO嘉泰姆

1.产品概述                       2.产品特点cMO嘉泰姆
3.应用范围                       4.下载产品资料PDF文档 cMO嘉泰姆
5.产品封装图                     6.电路原理图                   cMO嘉泰姆
7.功能概述                        8.相关产品cMO嘉泰姆

一,产品概述(General Description)    cMO嘉泰姆


  The CXSD6211integrates dual step-down, constant-on-time,cMO嘉泰姆

synchronous PWM controllers (that drives dual N-channel MOSFETs forcMO嘉泰姆
each channel) and two low drop-out regulators as well as various protectionscMO嘉泰姆
into a chip.The PWM controllers step down high voltage of a batterycMO嘉泰姆
to generate low-voltage for NB applications. The output of PWM1 andcMO嘉泰姆
PWM2 can be adjusted from 2V to 5.5V by setting a resistive voltage-dividercMO嘉泰姆
from VOUTx to GND.The linear regulators provide 5V and 3.3V output forcMO嘉泰姆
standby power supply. The linear regulators provide up to 100mA outputcMO嘉泰姆
current. When the PWMx output voltage is higher than LDOx bypass threshold, the related LDOx regulator is shut off and its output is connected to VOUTxcMO嘉泰姆
by internal switchover MOSFET. It can save power dissipation. The chargecMO嘉泰姆
pump circuit with 250kHz clock driver uses VOUT1 as its power supply to generate ap-proximately 15V DC voltage.cMO嘉泰姆
  The CXSD62114 provides excellent transient response and accurate DC output voltage in either PFM or PWM Mode. In Pulse-Frequency Mode (PFM),cMO嘉泰姆
the CXSD62114 provides very high efficiency over light to heavy loadscMO嘉泰姆

with loading-modulated switching frequencies. The Forced-PWM Mode works nearly at constant frequency for low-noise requirements. The unique ultrasoniccMO嘉泰姆
mode maintains the switching frequency above 25kHz, which eliminates noise in audio application.The CXSD62114A/D has individual enable controls forcMO嘉泰姆
each PWM channels. Pulling both EN1/2 pin low shuts down the all of outputs unless LDO3 output. The LDO3 and LDO5 of CXSD62114B/C are always on standby power.The CXSD62114 is available in a TQFN3x3-20 package.cMO嘉泰姆
二.产品特点(Features)cMO嘉泰姆


Wide Input voltage Range from 5.5V to 25VcMO嘉泰姆
Provide 5 Independent Outputs with ±1.0% Accu-racy Over-TemperaturecMO嘉泰姆
PWM1 Controller with Adjustable (2V to 5.5V) Out-putcMO嘉泰姆
- PWM2 Controller with Adjustable (2V to 5.5V) Out-putcMO嘉泰姆
100mA Low Dropout Regulator (LDO5) with Fixed 5V OutputcMO嘉泰姆
- 100mA Low Dropout Regulator (LDO3) with Fixed 3.3V OutputcMO嘉泰姆
250kHz Clock Signal for 15V Charge Pump (Used PWM1 as Its Power Supply)cMO嘉泰姆
Excellent Line/Load Regulations about±1.5% overcMO嘉泰姆
temperature range at PWM ChannelscMO嘉泰姆
Low Consumption in Standby ModecMO嘉泰姆
2Cells Input Battery SupportcMO嘉泰姆
Built in POR Control Scheme ImplementedcMO嘉泰姆
Constant On-Time Control SchemecMO嘉泰姆
Built in Soft Start for PWM Outputs and Soft StopcMO嘉泰姆
for PWM Outputs and LDO OutputscMO嘉泰姆
Integrated Bootstrap Forward P-CH MOSFETcMO嘉泰姆
High Efficiency over Light to Full Load Range (PWMs)cMO嘉泰姆
Built in Power Good Indicators (PWMs)cMO嘉泰姆
60% Under-Voltage and 115% Over-Voltage Protec-tions (PWM)cMO嘉泰姆
Adjustable Current-Limit Protection (PWMs)cMO嘉泰姆
- Using Sense Low-Side MOSFET’s RDS(ON)cMO嘉泰姆
Over-Temperature ProtectioncMO嘉泰姆
3mmx3mm Thin QFN-20 (TQFN3x3-20) packagecMO嘉泰姆
Lead Free and Green Device Available (RoHS Compliant)cMO嘉泰姆
三,应用范围 (Applications)cMO嘉泰姆


Notebook and Sub-Notebook ComputerscMO嘉泰姆
Portable DevicescMO嘉泰姆
DDR1, DDR2, and DDR3 Power SuppliescMO嘉泰姆
3-Cell and 4-Cell Li+ Battery-Powered DevicescMO嘉泰姆
Graphic CardscMO嘉泰姆
Game ConsolescMO嘉泰姆
TelecommunicationscMO嘉泰姆
四.下载产品资料PDF文档 cMO嘉泰姆


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 QQ截图20160419174301.jpgcMO嘉泰姆

五,产品封装图 (Package)cMO嘉泰姆


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六.电路原理图cMO嘉泰姆


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七,功能概述cMO嘉泰姆


the node.cMO嘉泰姆
Decoupling capacitor, the resistor dividers, boot capacitors, and current-limit stetting resistor shouldcMO嘉泰姆
be close to their pins. (For example, place the decoupling ceramic capacitor near the drain of thecMO嘉泰姆
high-side MOSFET as close as possible. The bulk capacitors are also placednear the drain).cMO嘉泰姆
The input capacitor should be near the drain of the upper MOSFET; the high quality ceramic decouplingcMO嘉泰姆
capacitor can be put close to the VCC and GND pins;the output capacitor should be near the loads. ThecMO嘉泰姆
input capacitor GND should be close to the output ca-pacitor GND and the lower MOSFET GND.cMO嘉泰姆
The drain of the MOSFETs (V IN and PHASEx nodes)should be a large plane for heat sinking. And PHASExcMO嘉泰姆
pin traces are also the return path for UGATEx. Con-nect these pins to the respective converter’s uppercMO嘉泰姆
MOSFET source.cMO嘉泰姆
The controller used ripple mode control. Build the re-sistor divider close to the FB1 pin so that the highcMO嘉泰姆
impedance trace is shorter when the output voltage is in ad justable mode. And the FB1 pin traces can’t becMO嘉泰姆
close to the switching signal traces (UGATEx, LGATEx,BOOTx, and PHASEx).cMO嘉泰姆
The PGND trace should be a separate trace, and in-dependently go to the source of the low-side MOSFETscMO嘉泰姆
for current-limit accuracy.cMO嘉泰姆
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Part_No cMO嘉泰姆

Package cMO嘉泰姆

ArchicMO嘉泰姆

tectucMO嘉泰姆

PhasecMO嘉泰姆

No.ofcMO嘉泰姆

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OutputcMO嘉泰姆

Output cMO嘉泰姆

CurrentcMO嘉泰姆

(A) cMO嘉泰姆

InputcMO嘉泰姆

Voltage (V) cMO嘉泰姆

ReferencecMO嘉泰姆

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(V) cMO嘉泰姆

Bias cMO嘉泰姆

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(V) cMO嘉泰姆

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(uA) cMO嘉泰姆

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SOP-14cMO嘉泰姆

QSOP-16cMO嘉泰姆

QFN4x4-16cMO嘉泰姆

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CXSD6274cMO嘉泰姆

SOP-8cMO嘉泰姆

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CXSD6274CcMO嘉泰姆

SOP-8cMO嘉泰姆

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CXSD6275cMO嘉泰姆

QFN4x4-24cMO嘉泰姆

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CXSD6276cMO嘉泰姆

SOP-8cMO嘉泰姆

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CXSD6276AcMO嘉泰姆

SOP-8cMO嘉泰姆

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CXSD6277/A/BcMO嘉泰姆

SOP8|TSSOP8cMO嘉泰姆

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1.25|0.8cMO嘉泰姆

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CXSD6278cMO嘉泰姆

SOP-8cMO嘉泰姆

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CXSD6279BcMO嘉泰姆

SOP-14cMO嘉泰姆

VM   cMO嘉泰姆

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CXSD6280cMO嘉泰姆

TSSOP-24cMO嘉泰姆

|QFN5x5-32cMO嘉泰姆

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CXSD6281NcMO嘉泰姆

SOP14cMO嘉泰姆

QSOP16cMO嘉泰姆

QFN-16cMO嘉泰姆

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CXSD6282cMO嘉泰姆

SOP-14cMO嘉泰姆

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CXSD6282AcMO嘉泰姆

SOP-14cMO嘉泰姆

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CXSD6283cMO嘉泰姆

SOP-14cMO嘉泰姆

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25cMO嘉泰姆

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CXSD6284/AcMO嘉泰姆

LQFP7x7 48cMO嘉泰姆

TQFN7x7-48cMO嘉泰姆

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CXSD6285cMO嘉泰姆

TSSOP-24PcMO嘉泰姆

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CXSD6286cMO嘉泰姆

SOP-14cMO嘉泰姆

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CXSD6287cMO嘉泰姆

SOP-8-P|DIP-8cMO嘉泰姆

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CXSD6288cMO嘉泰姆

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QFN4x4-24cMO嘉泰姆

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CXSD6289cMO嘉泰姆

SOP-20cMO嘉泰姆

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