| 本站网友 mao18 ip:120.229.48.* |
2025-05-10 19:55:56 发表 |
CXBD3556是用作N 型功率MOSFET 和IGBT 等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电
路，主要包含三个独立的半桥驱动电路，正常工作输出时，LO 和HO 分别与输入LIN 和
HIN 的信号保持逻辑反相。CXBD3556同时具备欠压（UV）保护功能，当VCC 的电压低于
欠压保护检测电压时，三个通道的LO和HO均输出低电平，当VBS的电压低于欠压保护检
测电压时，HO输出低电平，LO正常响应LIN的信号。该功能防止被驱动的MOSFET或IGBT
工作在高电压高电流状态下，有效保护功率器件并避免后续设备在低效率下工作。
CXBD3556还具备输入噪声滤波功能，防止噪声干扰。CXBD3556内置死区时间，防止被驱动
的两个功率MOS 管或IGBT 因直通而产生大电流烧毁功率器件，有效保护功率器件。
CXBD3556集成过流保护功能，并能指示欠压和过流故障状态，同时关断六通道输出。 |
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| 本站网友 mao18 ip:120.229.48.* |
2025-05-10 19:50:29 发表 |
3 功能描述
CXBD3556是用作N 型功率MOSFET 和IGBT 等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电
路，主要包含三个独立的半桥驱动电路，正常工作输出时，LO 和HO 分别与输入LIN 和
HIN 的信号保持逻辑反相。CXBD3556同时具备欠压（UV）保护功能，当VCC 的电压低于
欠压保护检测电压时，三个通道的LO和HO均输出低电平，当VBS的电压低于欠压保护检
测电压时，HO输出低电平，LO正常响应LIN的信号。该功能防止被驱动的MOSFET或IGBT
工作在高电压高电流状态下，有效保护功率器件并避免后续设备在低效率下工作。EG
2136 还具备输入噪声滤波功能，防止噪声干扰。CXBD3556内置死区时间，防止被驱动
的两个功率MOS 管或IGBT 因直通而产生大电流烧毁功率器件，有效保护功率器件。EG
2136集成过流保护功能，并能指示欠压和过流故障状态，同时关断六通道输出。
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