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CXMS5143是双N通道增强MOS场效应晶体管MOSFET1和MOSFET2的漏极是内部连接的采用先进的沟道技术和设计以低栅极电荷提供优秀的RSS（ON）为锂离子电池保护电路而设计的沟槽技术超高密度电池设计对更高直流电流具有优异的导通电阻
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本站网友 oumao18
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2025-05-28 02:18:24 发表
CXMS5143是双N通道增强MOS场效应晶体管，不需要连接电路板上的漏极，因为MOSFET1和MOSFET2的漏极是内部连接的。采用先进的沟道技术和设计，以低栅极电荷提供优秀的RSS（ON）。本装置是为锂离子电池保护电路而设计的。CXMS5143在CSP 4L包中提供 沟槽技术 超高密度电池设计 对更高直流电流具有优异的导通电阻 极低阈值电压
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