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评论:CXMS5141极低阈值电压沟槽技术超高密度电池设计对更高直流电流具有导通电阻是双N通道增强型MOS场效应晶体管内部连接的采用先进的沟道技术和设计以低栅极电荷提供优秀的RSS(ON)为锂离子电池保护电路而设计的

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