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CXMS5141极低阈值电压沟槽技术超高密度电池设计对更高直流电流具有导通电阻是双N通道增强型MOS场效应晶体管内部连接的采用先进的沟道技术和设计以低栅极电荷提供优秀的RSS（ON）为锂离子电池保护电路而设计的
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本站网友 oumao18
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2025-05-28 02:18:24 发表
CXMS5141是双N通道增强型MOS场效应晶体管，不需要连接电路板上的漏极，因为MOSFET1和MOSFET2的漏极是内部连接的。采用先进的沟道技术和设计，以低栅极电荷提供优秀的RSS（ON）。本装置是为锂离子电池保护电路而设计的。CXMS5141在CSP-4L包中提供。标准产品CXMS5141不含铅和卤素。 沟槽技术 超高密度电池设计 对更高直流电流具有优异的导通电阻 •极低阈值电压
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