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评论:CXMS5133沟槽技术超高密度电池设计优良的抵抗力极低阈值电压是N沟道增强MOS场效应晶体管沟道技术和设计低栅极电荷提供优秀的RDS(ON)适用于DC-DC变换负载切换和电平变换

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本站网友 oumao18 ip:120.229.48.*
2025-05-28 02:18:24 发表
CXMS5133是N沟道增强MOS场效应晶体管。采用先进的沟道技术和设计,以低栅极电荷提供优秀的RDS(ON)。该装置适用于DC-DC变换、负载切换和电平变换沟槽技术超高密度电池设计 优良的抵抗力极低阈值电压
 
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