网友评论
我也评两句

评论：30V P沟道增强型MOS场效应管CXMS5252 CXMS5252C CXMS5252L先进的沟道工艺技术高密度超低电阻设计改良的成形工艺用于LED屏驱动高密度超低电阻设计先进的沟道工艺技术
查看原文
 评分: 1分 2分 3分 4分 5分
平均得分: 0 分，共有 人参与评分
   网友评论
   
本站网友 oumao18 ip:120.229.48.*
2025-05-21 09:29:42 发表
CXMS5252 VDS= -20V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 65mΩ@TYP RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A = 98mΩ@TYP 先进的沟道工艺技术 高密度超低电阻设计 改良的成形工艺
 
回复  支持[1]  反对[1]

   

网友评论仅供网友表达个人看法，并不表明本站同意其观点或证实其描述   
   我也评两句 用户名： 密码： 验证码：           还没有注册？
匿名发表