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评论：CXMS5217系列P沟道增强型场效应晶体管采用高单元密度DMOS沟道技术制造用于减小通态电阻适合于低电压应用和低功耗超低导通电阻高密度电池设计
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本站网友 oumao18 ip:120.229.48.*
2025-05-21 09:29:42 发表
CXMS5217系列P沟道增强型场效应晶体管，采用高单元密度DMOS沟道技术制造，主要用于减小通态电阻。这种装置特别适合于低电压应用和低功耗。超低导通电阻高密度电池设计 -30V/-6A RDS(ON) =53mΩ@ VGS=-10V,ID=-6A RDS(ON) =68mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A
 
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