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评论：CXMS5215 CXMS5215-N P沟道增强型场效应晶体管高密度DMOS沟道技术制造用于最小化导通电阻适合于低压应用低功耗超低导通电阻高密度电池设计
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本站网友 oumao18 ip:120.229.48.*
2025-05-21 09:29:42 发表
CXMS5215 CXMS5215-N系列P沟道增强型场效应晶体管，采用高密度DMOS沟道技术制造，特别用于最小化导通电阻。这种装置特别适合于低压应用，低功耗，低功耗，在一个非常小的外形表面安装包超低导通电阻高密度电池设计 -30V/-4.2A RDS(ON) =55mΩ@ VGS=-10V,ID=-4.2A RDS(ON) =62mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A RDS(ON) =72mΩ@ VGS=-2.5V,ID=-2.5A
 
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