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CXMS5182 CXMS5182A沟槽技术超高密度极低阈值电压电池设计是P沟道增强MOS场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计低栅极电荷提供优秀的RDS（ON）适用于DC-DC转换电源开关和充电电路
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本站网友 oumao18
ip:120.229.48.*
2025-05-28 02:18:24 发表
CXMS5182 CXMS5182A是P沟道增强MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供优秀的RDS（ON）。该装置适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品CXMS5182 CXMS5182A不含铅。 沟槽技术 超高密度电池设计 优良的电阻 •极低阈值电压
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