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CXMS5158D这种单P沟道MOSFET是采用沟道工艺生产的沟道工艺提供电阻性能增强型功率MOSFET用于手机应用中的大功率充电电路大功率开关应用
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本站网友 oumao18
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2025-05-28 02:18:24 发表
CXMS5158D这种单P沟道MOSFET是采用沟道工艺生产的，沟道工艺提供了最小的电阻性能。增强型功率MOSFET，采用DFN3x3封装，2.0W功耗安装，1英寸衬垫。该装置适用于手机应用中的大功率充电电路。它也可以用于大功率开关应用
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