| 本站网友 oumao18 ip:120.229.48.* |
2025-05-28 02:18:24 发表 |
| CX10HN60NeoFET基于先进的深槽填充工艺，是新一代高压超结MOSFET产品。与传统MOSFET相比较，本产品的特征导通电阻下降了70%。通过利用先进的制造技术以及精确的工艺控制，NeoFET产品具有优越的开关特性和可靠性。本产品适用于计算机主板电源，服务器/通信领域，适配器，液晶和等离子平板电视，照明，UPS以及工业电源应用领域
● RDS(on)=0.85Ω(典型值)@VGS=10V，ID=2.8A
● 超高dv/dt耐量
● 高速开关可靠性
● 超低功耗，超低Rdson*Qg
● 超低栅电荷量(Typ.Qg=15nC)
● 超低输出电容
● 100%雪崩耐量测试 |
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